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垂直GaN JFET的動(dòng)態(tài)性能

美國(guó)弗吉尼亞理工學(xué)院、州立大學(xué)和NexGen電力系統(tǒng)公司首次對(duì)垂直氮化鎵（GaN）功率晶體管的動(dòng)態(tài)電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩(wěn)定性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)表征。研究人員研究了額定電壓高達(dá)1200V（1.2kV）的NexGen結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）器件。動(dòng)態(tài)?RON描述了開(kāi)關(guān)晶體管的電阻相對(duì)于穩(wěn)定直流狀態(tài)下的電阻的增加。該團(tuán)隊(duì)評(píng)論道：“這個(gè)問(wèn)題可能會(huì)導(dǎo)致器件的導(dǎo)通損耗增加，并縮短器件在應(yīng)用中的壽命?！毖芯咳藛T將NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ級(jí)GaN JFET（
關(guān)鍵字：氮化鎵結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管利用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)FET。場(chǎng)效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場(chǎng)的方向或大小，以控制半導(dǎo)體導(dǎo)電層（溝道）中的多數(shù)載流子的密度或類(lèi)型。這種晶體管的工作原理與雙極型晶體管不同，它是由電壓調(diào)制溝道中的電流，其工作電流是由半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子輸運(yùn)，少數(shù)載流子實(shí)際上沒(méi)有作用。這類(lèi)只有一種極性載流子參加導(dǎo)電的晶體管又稱(chēng)單極晶體管。　　 1925～1926年美國(guó)的J.E.里林 [ 查看詳細(xì) ]

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