絕緣體上硅文章進(jìn)入絕緣體上硅技術(shù)社區(qū)

550V無電壓折回逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管器件設(shè)計(jì)

逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管（RC-LIGBT）由于高電流密度、小封裝成本等優(yōu)點(diǎn)，成為了功率器件領(lǐng)域內(nèi)主流器件之一，然而其會(huì)受到電壓折回現(xiàn)象的不利影響。本文提出了一種基于絕緣體上硅技術(shù)的RCLIGBT器件，將續(xù)流二極管集成在位于埋氧層下的襯底，利用埋氧層的隔離特性實(shí)現(xiàn)了IGBT與續(xù)流二極管之間的電學(xué)隔離，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了完全消除電壓折回現(xiàn)象。
關(guān)鍵字：逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管電壓折回現(xiàn)象絕緣體上硅導(dǎo)通壓降關(guān)斷損耗 202009

一種增大質(zhì)量塊的三軸MEMS加速度計(jì)的設(shè)計(jì)

　　馮?堃，張國(guó)俊，王姝婭，戴麗萍，鐘志親（電子科技大學(xué)?電子科學(xué)與工程學(xué)院，成都611731）　　摘?要：介紹了一種增大質(zhì)量塊設(shè)計(jì)的三軸MEMS加速度計(jì)。該加速度計(jì)基于絕緣體上硅（SOI）硅片，采用雙面光刻、干法刻蝕的工藝，利用了部分SOI硅片的底層硅部分來增大加速度計(jì)的質(zhì)量塊，設(shè)計(jì)了基于單一米字形質(zhì)量塊的三軸MEMS電容式微加速度計(jì)。根據(jù)不同的外界加速度對(duì)器件產(chǎn)生的不同位移，研究了在三個(gè)軸向的加速度計(jì)的靈敏度，同時(shí)分析了加速度計(jì)的交叉軸耦合的影響。最后結(jié)合Ansys仿真結(jié)果得出：所設(shè)計(jì)的微加速度計(jì)具有
關(guān)鍵字： 202005 微機(jī)械系統(tǒng) 三微加速度計(jì) 高靈敏度絕緣體上硅

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絕緣體上硅介紹

　　絕緣體上硅（SOI，Silicon-on-insulator）被業(yè)界公認(rèn)為納米技術(shù)時(shí)代取代現(xiàn)有單晶硅材料的解決方案之一，是維持 Moore 定律走勢(shì)的一大利器。絕緣體上硅是指以“工程化的”基板代替?zhèn)鹘y(tǒng)的體型襯底硅的基板技術(shù)，應(yīng)用于諸如軍事和空間電子系統(tǒng)等一些專門場(chǎng)合已有20多年，由于SOI具有良好的抗輻射性和高速特性，使它在這些領(lǐng)域具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)?！　OI 材料是 SOI 技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，S [ 查看詳細(xì) ]

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550V無電壓折回逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管器件設(shè)計(jì)

一種增大質(zhì)量塊的三軸MEMS加速度計(jì)的設(shè)計(jì)

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