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什么是dV/dt失效
- 如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導通，從而越容易發(fā)生失效問題。本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位時間內(nèi)的電壓變化量，VDS的上升坡度
- 關鍵字： 羅姆半導體 dv dt
什么是雪崩失效
- 當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，就會發(fā)生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場時，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動的電流稱為“雪崩電流IAS”，參見下圖（1）。MOSFET的失效機理本文的關鍵要點? 當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，會造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。? 發(fā)生雪崩擊穿時，會流過大電流，存在MOSFET
- 關鍵字： 羅姆半導體 雪崩失效
測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
- SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時
- 關鍵字： 羅姆半導體，MOSFET
打造新一代智能電表/感知層的解決方案
- 姚玲玲?（羅姆半導體（上海）有限公司?技術中心?助理經(jīng)理） 1 智能電表的發(fā)展機會 在智能物聯(lián)網(wǎng)的應用中，羅姆（ROHM）目前主要著力點仍然在感知層。通過不斷優(yōu)化終端的數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)預處理，減輕邊緣計算負擔；提供無線傳輸方案，實現(xiàn)快速、安全的數(shù)據(jù)傳輸。 智能電網(wǎng)在建成“堅強智能電網(wǎng)”的基礎上，正在與“泛電力物聯(lián)網(wǎng)”相融合，以建設“能源互聯(lián)網(wǎng)”。作為感知層的智能電表，將會承擔“智慧網(wǎng)關”的角色。新一代智能電表引入操作系統(tǒng)、可插拔模組化設計理念，將主芯片分為管理芯和計量芯，新增了負荷識別模塊，并可根
- 關鍵字： 202004 羅姆半導體 ROHM 智能電表
2018年度“羅姆杯”上海大學大學生機電創(chuàng)新設計大賽圓滿落幕
- 2019年3月22日下午，由羅姆半導體（上海）有限公司主辦、上海大學承辦的2018年度“羅姆杯”上海大學大學生機電創(chuàng)新設計大賽在上海大學寶山校區(qū)工程技術訓練中心圓滿落下帷幕。上海大學機電工程與自動化學院領導、羅姆半導體（上海）有限公司設計中心領導以及全體參賽學生和指導老師出席了本次活動。頒獎儀式合影本屆大賽自2018年7月正式啟動，歷時9個月終于圓滿落幕。大賽圍繞智能環(huán)境下“機械+”面向家庭和校園生活智能機械、物聯(lián)網(wǎng)智能系統(tǒng)應用、互聯(lián)網(wǎng)+應用、供電技術產(chǎn)品設計、機電一體化產(chǎn)品設計等主題進行應用設計，共吸引
- 關鍵字： 羅姆半導體
北汽新能源聯(lián)手羅姆半導體，推動SiC產(chǎn)品技術研發(fā)
- 11月30日，北汽新能源(北汽藍谷 600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產(chǎn)品技術聯(lián)合實驗室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現(xiàn)場簽署了合作協(xié)議書，并共同為SiC產(chǎn)品技術聯(lián)合試驗室揭牌?！ ≡撀?lián)合實驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領域不斷加強自主技術實力的重要舉措，聯(lián)合實驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術的預研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進行全面合作開發(fā)。 近年來，以SiC為代表的第三代功率半導體材料，已經(jīng)被廣泛應用在新能源
- 關鍵字： 北汽新能源 羅姆半導體 SiC
第十六屆高交會電子展：縱覽改變世界的技術創(chuàng)新
- 2014年11月16日，第十六屆高交會電子展ELEXCON2014在深圳會展中心2號館正式拉開帷幕。在這一中國最重要的電子展上，除了村田制作所、TDK、羅姆半導體、東芝電子、松下電器、尼吉康、路碧康、嘉美工、JAE、君耀電子、宇陽科技、順絡電子、諾信、騰盛等持續(xù)多年參展的企業(yè)外，三星電機、華新科、風華高科、潮州三環(huán)、Nesscap、上海芯導、臺灣明緯等不少新的代表性企業(yè)也一并攜新產(chǎn)品新技術登臺亮相，展出大量“助力新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動傳統(tǒng)市場小型化、綠色化、智慧化、互聯(lián)化轉型”的產(chǎn)
- 關鍵字： 電子展 羅姆半導體 元器件
再訪清華-羅姆電子工程館
- ? [EEPW北京訊]2013年5月24日，清華大學羅姆電子工程館（清華校內(nèi)稱之為‘羅 姆樓’），“２０１３清華－羅姆國際產(chǎn)學連攜論壇”在這里如期召開。通過對此次論壇的實地采訪，筆者再次獲得了深入了解這起曾引起業(yè)界廣泛關注的高校與國際企業(yè)間合作成功案例最新進展的機會。 ‘羅姆樓’熱鬧起來了 在清華大學學生中間，“清華羅姆電子工程館”被簡稱為“羅姆樓”，現(xiàn)如今清華大學電
- 關鍵字： 羅姆半導體，清華大學
羅姆半導體：用SiC撬動新能源、汽車電子新興市場
- 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點，SiC功率器件被廣泛應用于電動汽車/混合動力車中的逆變器、轉換器、PFC電路等領域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉換領域以及太陽能、風能等新能源中的整流、逆變等領域，很多半導體廠商都看好SiC技術的未來，并積極投身其中，在08年收購生產(chǎn)SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后，羅姆半導體(ROHM)已經(jīng)在SiC領域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系，并率先市場SiC器件的量產(chǎn)，羅姆要將SiC器件應用于哪些新興領域?如何發(fā)
- 關鍵字： 羅姆半導體 電動汽車
復制京都經(jīng)驗 羅姆半導體中國“野心”
- 從東京坐上新干線往南行駛2個小時，夜幕降臨時，便抵達了日本古城京都。 這是一座不允許建高樓，甚至不允許在街頭出現(xiàn)鮮艷顏色廣告牌的城市，街道上看不到東京一樣的車水馬龍，一些人喜歡把它比作日本的西安——京都的城市格局系仿照唐代的長安城修建。 不過，當你驅車在這座古城中穿梭，你會驚奇地發(fā)現(xiàn)歐姆龍、京瓷、羅姆、村田制作所、任天堂等一大批響當當?shù)拿植粫r在街旁出現(xiàn)。一組最新的統(tǒng)計數(shù)據(jù)足以讓它們的東京同行們感到十分難堪：在日本的半導體元器件企業(yè)中，總部位于京都的企業(yè)，如村田制作
- 關鍵字： 羅姆半導體 元器件
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羅姆半導體介紹
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