羅姆半導(dǎo)體文章進(jìn)入羅姆半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

低邊開關(guān)的最大電流和可輸出的最大輸出電流

本文關(guān)鍵要點(diǎn)升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的最大輸出電流不僅僅取決于低邊開關(guān)的電流容量。升壓比、轉(zhuǎn)換效率和電感紋波電流等因素會(huì)導(dǎo)致最大輸出電流大大低于低邊開關(guān)的電流容量。在選擇升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器時(shí)，需要根據(jù)所需的輸出電流和升壓比等使用條件來求出低邊開關(guān)所需的開關(guān)電流值，然后再選擇產(chǎn)品。低邊開關(guān)不僅“輸入電流值”這個(gè)參數(shù)很重要，還需要具備支持流過電感紋波電流引起的電流波動(dòng)峰值的能力。目錄低邊開關(guān)的最大電流和可輸出的最大輸出電流低邊開關(guān)所需的最小開關(guān)電流容量探討首先來了解“低邊開關(guān)的最大電流和可輸出的最大輸出電流
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什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效問題。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位時(shí)間內(nèi)的電壓變化量，VDS的上升坡度
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體 dv dt

什么是雪崩失效

當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。這種電子-空穴對(duì)呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動(dòng)的電流稱為“雪崩電流IAS”，參見下圖（1）。MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)? 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。? 發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，會(huì)流過大電流，存在MOSFET
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測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測(cè)量方法

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長(zhǎng)電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測(cè)量，在開關(guān)速度較快時(shí)
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體，MOSFET

打造新一代智能電表/感知層的解決方案

　　姚玲玲?（羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司?技術(shù)中心?助理經(jīng)理）　　1 智能電表的發(fā)展機(jī)會(huì)　　在智能物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用中，羅姆（ROHM）目前主要著力點(diǎn)仍然在感知層。通過不斷優(yōu)化終端的數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)預(yù)處理，減輕邊緣計(jì)算負(fù)擔(dān)；提供無線傳輸方案，實(shí)現(xiàn)快速、安全的數(shù)據(jù)傳輸。　　智能電網(wǎng)在建成“堅(jiān)強(qiáng)智能電網(wǎng)”的基礎(chǔ)上，正在與“泛電力物聯(lián)網(wǎng)”相融合，以建設(shè)“能源互聯(lián)網(wǎng)”。作為感知層的智能電表，將會(huì)承擔(dān)“智慧網(wǎng)關(guān)”的角色。新一代智能電表引入操作系統(tǒng)、可插拔模組化設(shè)計(jì)理念，將主芯片分為管理芯和計(jì)量芯，新增了負(fù)荷識(shí)別模塊，并可根
關(guān)鍵字： 202004 羅姆半導(dǎo)體 ROHM 智能電表

2018年度“羅姆杯”上海大學(xué)大學(xué)生機(jī)電創(chuàng)新設(shè)計(jì)大賽圓滿落幕

2019年3月22日下午，由羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司主辦、上海大學(xué)承辦的2018年度“羅姆杯”上海大學(xué)大學(xué)生機(jī)電創(chuàng)新設(shè)計(jì)大賽在上海大學(xué)寶山校區(qū)工程技術(shù)訓(xùn)練中心圓滿落下帷幕。上海大學(xué)機(jī)電工程與自動(dòng)化學(xué)院領(lǐng)導(dǎo)、羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司設(shè)計(jì)中心領(lǐng)導(dǎo)以及全體參賽學(xué)生和指導(dǎo)老師出席了本次活動(dòng)。頒獎(jiǎng)儀式合影本屆大賽自2018年7月正式啟動(dòng)，歷時(shí)9個(gè)月終于圓滿落幕。大賽圍繞智能環(huán)境下“機(jī)械+”面向家庭和校園生活智能機(jī)械、物聯(lián)網(wǎng)智能系統(tǒng)應(yīng)用、互聯(lián)網(wǎng)+應(yīng)用、供電技術(shù)產(chǎn)品設(shè)計(jì)、機(jī)電一體化產(chǎn)品設(shè)計(jì)等主題進(jìn)行應(yīng)用設(shè)計(jì)，共吸引
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北汽新能源聯(lián)手羅姆半導(dǎo)體，推動(dòng)SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)

　　11月30日，北汽新能源(北汽藍(lán)谷 600733)與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)董事末永良明現(xiàn)場(chǎng)簽署了合作協(xié)議書，并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗(yàn)室揭牌?！　　　≡撀?lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領(lǐng)域不斷加強(qiáng)自主技術(shù)實(shí)力的重要舉措，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預(yù)研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開發(fā)。　　　　近年來，以SiC為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
關(guān)鍵字：北汽新能源羅姆半導(dǎo)體 SiC

第十六屆高交會(huì)電子展：縱覽改變世界的技術(shù)創(chuàng)新

　　2014年11月16日，第十六屆高交會(huì)電子展ELEXCON2014在深圳會(huì)展中心2號(hào)館正式拉開帷幕。在這一中國(guó)最重要的電子展上，除了村田制作所、TDK、羅姆半導(dǎo)體、東芝電子、松下電器、尼吉康、路碧康、嘉美工、JAE、君耀電子、宇陽(yáng)科技、順絡(luò)電子、諾信、騰盛等持續(xù)多年參展的企業(yè)外，三星電機(jī)、華新科、風(fēng)華高科、潮州三環(huán)、Nesscap、上海芯導(dǎo)、臺(tái)灣明緯等不少新的代表性企業(yè)也一并攜新產(chǎn)品新技術(shù)登臺(tái)亮相，展出大量“助力新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動(dòng)傳統(tǒng)市場(chǎng)小型化、綠色化、智慧化、互聯(lián)化轉(zhuǎn)型”的產(chǎn)
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再訪清華-羅姆電子工程館

? [EEPW北京訊]2013年5月24日，清華大學(xué)羅姆電子工程館（清華校內(nèi)稱之為‘羅　姆樓’），“２０１３清華－羅姆國(guó)際產(chǎn)學(xué)連攜論壇”在這里如期召開。通過對(duì)此次論壇的實(shí)地采訪，筆者再次獲得了深入了解這起曾引起業(yè)界廣泛關(guān)注的高校與國(guó)際企業(yè)間合作成功案例最新進(jìn)展的機(jī)會(huì)。 ‘羅姆樓’熱鬧起來了在清華大學(xué)學(xué)生中間，“清華羅姆電子工程館”被簡(jiǎn)稱為“羅姆樓”，現(xiàn)如今清華大學(xué)電
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羅姆半導(dǎo)體：用SiC撬動(dòng)新能源、汽車電子新興市場(chǎng)

　　由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域以及太陽(yáng)能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域，很多半導(dǎo)體廠商都看好SiC技術(shù)的未來，并積極投身其中，在08年收購(gòu)生產(chǎn)SiC晶圓的德國(guó)SiCrystal公司之后，羅姆半導(dǎo)體(ROHM)已經(jīng)在SiC領(lǐng)域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系，并率先市場(chǎng)SiC器件的量產(chǎn)，羅姆要將SiC器件應(yīng)用于哪些新興領(lǐng)域?如何發(fā)
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復(fù)制京都經(jīng)驗(yàn) 羅姆半導(dǎo)體中國(guó)“野心”

　　從東京坐上新干線往南行駛2個(gè)小時(shí)，夜幕降臨時(shí)，便抵達(dá)了日本古城京都。　　這是一座不允許建高樓，甚至不允許在街頭出現(xiàn)鮮艷顏色廣告牌的城市，街道上看不到東京一樣的車水馬龍，一些人喜歡把它比作日本的西安——京都的城市格局系仿照唐代的長(zhǎng)安城修建。　　不過，當(dāng)你驅(qū)車在這座古城中穿梭，你會(huì)驚奇地發(fā)現(xiàn)歐姆龍、京瓷、羅姆、村田制作所、任天堂等一大批響當(dāng)當(dāng)?shù)拿植粫r(shí)在街旁出現(xiàn)。一組最新的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)足以讓它們的東京同行們感到十分難堪：在日本的半導(dǎo)體元器件企業(yè)中，總部位于京都的企業(yè)，如村田制作
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