肖特基勢壘二極管文章進(jìn)入肖特基勢壘二極管技術(shù)社區(qū)

東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢壘中使用新型金屬，有
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Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)

Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產(chǎn)品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項(xiàng)?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產(chǎn)品，以及?DIODES DSCxx120系列，共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產(chǎn)品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點(diǎn)包括可大幅提高效率和高溫可靠
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東芝推出具備更高正向浪涌電流的第二代650V碳化硅肖特基勢壘二極管

　　東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出第二代650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)，該二極管將該公司現(xiàn)有產(chǎn)品所提供的正向浪涌電流(IFSM)提高了約70%。新系列八款碳化硅肖特基勢壘二極管出貨即日啟動。　　這些新的碳化硅肖特基勢壘二極管采用東芝的第二代碳化硅工藝制造，與第一代產(chǎn)品相比，正向浪涌電流提高了約70%，同時(shí)開關(guān)損耗指標(biāo)“RON?*?Qc”?[1]降低了大約30%，這使它們適合應(yīng)用于高效功率因數(shù)校正(PFC)方案中
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肖特基勢壘二極管介紹

肖特基二極管SBD（Schottky Barrier Diode），又稱為金屬-半導(dǎo)體二極管,是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。SBD用某些金屬和半導(dǎo)體相接觸，在它們的交界面處便會形成一個(gè)勢壘區(qū)（通常稱為“表面勢壘”或“肖特基勢壘”），產(chǎn)生整流，檢波作用。其金屬層除鎢材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的 [ 查看詳細(xì) ]

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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率

Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)

東芝推出具備更高正向浪涌電流的第二代650V碳化硅肖特基勢壘二極管

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