背面電軌 文章 進(jìn)入背面電軌技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電背面電軌黑科技 供應(yīng)鏈價(jià)量齊揚(yáng)
- 埃米時(shí)代來臨,背面電軌(BSPDN)成為先進(jìn)制程最佳解決方案,包括臺(tái)積電、英特爾、imec(比利時(shí)微電子研究中心)提出不同解方,鎖定晶圓薄化、原子層沉積檢測(cè)(ALD)及再生晶圓三大制程重點(diǎn),相關(guān)供應(yīng)鏈包括中砂、天虹及升陽半導(dǎo)體等受惠。 背面電軌(BSPDN)被半導(dǎo)體業(yè)者喻為臺(tái)積電最強(qiáng)黑科技,成為跨入埃米時(shí)代最佳解決方案,預(yù)估2026年啟用。目前全球有三種解決方案,分別為imec的Buried Power Rail、Intel的PowerVia及臺(tái)積電的Super Power Rail。代工大廠皆開始透過設(shè)
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背面電軌介紹
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