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華為首次確認(rèn)芯片堆疊技術(shù)！用面積換性能、用堆疊換性能

華為芯片“卡脖子”未來(lái)如何解決？外界一直眾說紛紜。在日前舉辦的華為2021年年報(bào)發(fā)布會(huì)上，華為輪值董事長(zhǎng)郭平給出了答案。郭平表示，用面積換性能，用堆疊換性能，使得不那么先進(jìn)的工藝也能持續(xù)讓華為在未來(lái)的產(chǎn)品里面，能夠具有競(jìng)爭(zhēng)力。這是華為首次公開確認(rèn)芯片堆疊技術(shù)。也就是說，可以通過增大面積，堆疊的方式來(lái)?yè)Q取更高的性能，實(shí)現(xiàn)低工藝制程追趕高性能芯片的競(jìng)爭(zhēng)力。按照以往經(jīng)驗(yàn)，華為在一項(xiàng)技術(shù)公布的時(shí)候，往往已經(jīng)驗(yàn)證了其可行性。這也意味著，華為采用芯片堆疊技術(shù)的芯片很有可能在不遠(yuǎn)的將來(lái)問世。當(dāng)然，通過堆疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)低工藝
關(guān)鍵字：芯片堆疊技術(shù) 華為

　　包括ASE(AdvancedSemiconductorEngineering)，Altera，ADI(AnalogDevices)，LSI，安森美以及高通公司在內(nèi)的6家半導(dǎo)體公司現(xiàn)已加入了3DIC芯片堆疊技術(shù)啟動(dòng)項(xiàng)目，該消息是由美國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)聯(lián)盟(Sematech)于日前公布。　　
關(guān)鍵字：安森美芯片堆疊技術(shù)

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