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Crucial英睿達(dá)推出全新Gen4消費(fèi)級(jí)NVMe SSD固態(tài)硬盤(pán),為游戲玩家和創(chuàng)作者提供閃電般高速體驗(yàn)

  • Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布推出全新?Crucial??英睿達(dá)??T500 Gen4 NVMe??SSD,為其備受認(rèn)可的?NVMe?固態(tài)硬盤(pán)?(SSD)?產(chǎn)品系列又增一員。Crucial?英睿達(dá)?T500 SSD?是業(yè)內(nèi)一流的?PCIe??4.0 NVMe?驅(qū)動(dòng)器,其采用了美光?232?層?
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美光擴(kuò)展Crucial英睿達(dá)移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線(xiàn),推出全新革命性存儲(chǔ)架構(gòu)

  • 2023年7月26日,上海 —— 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布推出Crucial?英睿達(dá) X9 Pro 移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)和Crucial英睿達(dá) X10 Pro 移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)。作為Crucial英睿達(dá)Pro系列產(chǎn)品線(xiàn)的新成員,這兩款高性能產(chǎn)品專(zhuān)為攝影師、攝像師、設(shè)計(jì)師等內(nèi)容創(chuàng)作者或追求高性能的消費(fèi)者而設(shè)計(jì)。兩款產(chǎn)品均采用美光TLC NAND,以及革命性的單ASIC移動(dòng)存儲(chǔ)架構(gòu),實(shí)現(xiàn)了突破性的超緊湊、輕量化外形
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Crucial英睿達(dá)P3 Plus SSD:高性?xún)r(jià)比存儲(chǔ)擴(kuò)容方案

  • 一部4K電影就將筆記本的存儲(chǔ)空間占去了30%以上;《極限競(jìng)速:地平線(xiàn)5》的游戲文件直接將近150G空間標(biāo)紅;視頻素材、工程文件持續(xù)導(dǎo)入,電腦里都快裝不下了,剪輯時(shí)中甚至提示“空間不夠”…面對(duì)超高清視頻、大型游戲、影像及3D內(nèi)容創(chuàng)作等更高負(fù)載需求,處理器、顯卡、內(nèi)存都能做到從容不迫,卻沒(méi)想到存儲(chǔ)也有成為瓶頸的一天。特別是輕薄本、游戲本用戶(hù),在使用過(guò)程中更容易遇到空間不足的情況,或者頻繁進(jìn)行數(shù)據(jù)本地云端備份、遷移。若是遇到突發(fā)情況,需要導(dǎo)入大量數(shù)據(jù)時(shí),更是捉襟見(jiàn)肘。所以對(duì)于有內(nèi)容創(chuàng)作、游戲需求的用戶(hù),在購(gòu)買(mǎi)筆
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重磅回歸,狂歡開(kāi)啟!Crucial英睿達(dá)開(kāi)啟雙十一年度盛典

  • 凡出新品,必是“爆款”,Crucial英睿達(dá)是怎么做到的?多年來(lái),Crucial 英睿達(dá)憑借獨(dú)特優(yōu)勢(shì),將數(shù)百萬(wàn)客戶(hù)與美光四十多年來(lái)不斷完善的創(chuàng)新和技術(shù)連結(jié)起來(lái),助力游戲玩家在游戲中“超神發(fā)揮”、幫助設(shè)計(jì)師在靈感迸發(fā)時(shí)流暢平穩(wěn)的完成創(chuàng)作、滿(mǎn)足大容量存儲(chǔ)需求人群安全、快速、穩(wěn)定的要求。 作為內(nèi)存及存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先者,Crucial英睿達(dá)屢屢打破世界記錄,獲得游戲玩家、創(chuàng)意設(shè)計(jì)師等消費(fèi)者的好評(píng)。如何用更優(yōu)惠的價(jià)格體驗(yàn)更非凡的Crucial英睿達(dá)暢銷(xiāo)單品?一年一度的英睿達(dá)雙十一狂歡盛典不容錯(cuò)過(guò)!無(wú)論你是手
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英睿達(dá)P3 Plus 1TB上手體驗(yàn):PCIe 4.0 M.2 SSD性?xún)r(jià)之選

  • 隨著 PCIe 5.0 在 AMD / Intel 新一代硬件平臺(tái)上的引入,消費(fèi)級(jí) M.2 固態(tài)存儲(chǔ)市場(chǎng)也正經(jīng)歷著從 PCIe 3.0 x4 向 PCIe 4.0 x4 迭代轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時(shí)期。此前,我們已經(jīng)體驗(yàn)過(guò)高端的英睿達(dá) P5 / P5 Plus 型號(hào),兩者在 PCIe 3.0 / 4.0 產(chǎn)品線(xiàn)中都極具代表性。但是對(duì)于想要淺嘗一下 PCIe 4.0 固態(tài)的 PC / PS5 玩家們來(lái)說(shuō),品質(zhì)與性?xún)r(jià)比仍是其更為關(guān)注的兩大因素。【1 開(kāi)箱介紹】本文要為大家介紹的,就是近期開(kāi)售的英睿達(dá)(Crucial)P3
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DDR5內(nèi)存滿(mǎn)足未來(lái)內(nèi)容創(chuàng)作、發(fā)布和消費(fèi)的更高要求

  • 在過(guò)去的十年時(shí)間里,隨著程序與應(yīng)用、數(shù)據(jù)集與復(fù)雜代碼,以及3D模型渲染、8K視頻編輯和高幀速率游戲等領(lǐng)域的空前發(fā)展,DDR4技術(shù)已不堪重負(fù),難以跟上行業(yè)發(fā)展步伐。隨著CPU內(nèi)核數(shù)量的不斷增加,為了應(yīng)對(duì)這些海量需求,內(nèi)存技術(shù)也需要進(jìn)一步擴(kuò)展。下一代系統(tǒng)中的DDR5內(nèi)存是實(shí)現(xiàn)當(dāng)前所需性能的最佳解決方案,同時(shí)能夠進(jìn)一步擴(kuò)展,以滿(mǎn)足未來(lái)內(nèi)容創(chuàng)作、內(nèi)容發(fā)布和內(nèi)容消費(fèi)的更高要求。內(nèi)容創(chuàng)作內(nèi)容創(chuàng)作者受到了DDR4技術(shù)的限制,因?yàn)樗麄兊母咝阅芄ぷ髋_(tái)消耗了增加的內(nèi)存密度或內(nèi)存帶寬。等待時(shí)間延長(zhǎng)導(dǎo)致效率降低,甚至無(wú)法進(jìn)行多任
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美光推出全新 Crucial 英睿達(dá) NVMe SSD,為消費(fèi)者帶來(lái)更快速、更實(shí)惠、更可靠的產(chǎn)品選擇

  • 關(guān)鍵優(yōu)勢(shì):·       Crucial? 英睿達(dá) P3 Plus 采用 Gen4 NVMe? SSD技術(shù),讀取速度高達(dá) 5000MB/秒,而 Crucial P3 Gen3 NVMe SSD 的讀取速度高達(dá) 3500MB/秒·       兩款 SSD 均采用了 Micron?美光先進(jìn)的 176層 3D NAND 和創(chuàng)新控制器技術(shù)·    &nb
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英睿達(dá)介紹

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