英睿達(dá) 文章進(jìn)入英睿達(dá)技術(shù)社區(qū)

Crucial英睿達(dá)推出全新Gen4消費(fèi)級NVMe SSD固態(tài)硬盤,為游戲玩家和創(chuàng)作者提供閃電般高速體驗(yàn)

Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全新?Crucial??英睿達(dá)??T500 Gen4 NVMe??SSD，為其備受認(rèn)可的?NVMe?固態(tài)硬盤?(SSD)?產(chǎn)品系列又增一員。Crucial?英睿達(dá)?T500 SSD?是業(yè)內(nèi)一流的?PCIe??4.0 NVMe?驅(qū)動器，其采用了美光?232?層?
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2023年7月26日，上海 —— 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布推出Crucial?英睿達(dá) X9 Pro 移動固態(tài)硬盤和Crucial英睿達(dá) X10 Pro 移動固態(tài)硬盤。作為Crucial英睿達(dá)Pro系列產(chǎn)品線的新成員，這兩款高性能產(chǎn)品專為攝影師、攝像師、設(shè)計(jì)師等內(nèi)容創(chuàng)作者或追求高性能的消費(fèi)者而設(shè)計(jì)。兩款產(chǎn)品均采用美光TLC NAND，以及革命性的單ASIC移動存儲架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了突破性的超緊湊、輕量化外形
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一部4K電影就將筆記本的存儲空間占去了30%以上;《極限競速:地平線5》的游戲文件直接將近150G空間標(biāo)紅;視頻素材、工程文件持續(xù)導(dǎo)入,電腦里都快裝不下了,剪輯時(shí)中甚至提示“空間不夠”…面對超高清視頻、大型游戲、影像及3D內(nèi)容創(chuàng)作等更高負(fù)載需求,處理器、顯卡、內(nèi)存都能做到從容不迫,卻沒想到存儲也有成為瓶頸的一天。特別是輕薄本、游戲本用戶,在使用過程中更容易遇到空間不足的情況,或者頻繁進(jìn)行數(shù)據(jù)本地云端備份、遷移。若是遇到突發(fā)情況,需要導(dǎo)入大量數(shù)據(jù)時(shí),更是捉襟見肘。所以對于有內(nèi)容創(chuàng)作、游戲需求的用戶,在購買筆
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凡出新品，必是“爆款”，Crucial英睿達(dá)是怎么做到的？多年來，Crucial 英睿達(dá)憑借獨(dú)特優(yōu)勢，將數(shù)百萬客戶與美光四十多年來不斷完善的創(chuàng)新和技術(shù)連結(jié)起來，助力游戲玩家在游戲中“超神發(fā)揮”、幫助設(shè)計(jì)師在靈感迸發(fā)時(shí)流暢平穩(wěn)的完成創(chuàng)作、滿足大容量存儲需求人群安全、快速、穩(wěn)定的要求。作為內(nèi)存及存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先者，Crucial英睿達(dá)屢屢打破世界記錄，獲得游戲玩家、創(chuàng)意設(shè)計(jì)師等消費(fèi)者的好評。如何用更優(yōu)惠的價(jià)格體驗(yàn)更非凡的Crucial英睿達(dá)暢銷單品？一年一度的英睿達(dá)雙十一狂歡盛典不容錯(cuò)過！無論你是手
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隨著 PCIe 5.0 在 AMD / Intel 新一代硬件平臺上的引入，消費(fèi)級 M.2 固態(tài)存儲市場也正經(jīng)歷著從 PCIe 3.0 x4 向 PCIe 4.0 x4 迭代轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時(shí)期。此前，我們已經(jīng)體驗(yàn)過高端的英睿達(dá) P5 / P5 Plus 型號，兩者在 PCIe 3.0 / 4.0 產(chǎn)品線中都極具代表性。但是對于想要淺嘗一下 PCIe 4.0 固態(tài)的 PC / PS5 玩家們來說，品質(zhì)與性價(jià)比仍是其更為關(guān)注的兩大因素。【1 開箱介紹】本文要為大家介紹的，就是近期開售的英睿達(dá)（Crucial）P3
關(guān)鍵字：英睿達(dá) P3 Plus 1TB PCIe 4.0 SSD

在過去的十年時(shí)間里，隨著程序與應(yīng)用、數(shù)據(jù)集與復(fù)雜代碼，以及3D模型渲染、8K視頻編輯和高幀速率游戲等領(lǐng)域的空前發(fā)展，DDR4技術(shù)已不堪重負(fù)，難以跟上行業(yè)發(fā)展步伐。隨著CPU內(nèi)核數(shù)量的不斷增加，為了應(yīng)對這些海量需求，內(nèi)存技術(shù)也需要進(jìn)一步擴(kuò)展。下一代系統(tǒng)中的DDR5內(nèi)存是實(shí)現(xiàn)當(dāng)前所需性能的最佳解決方案，同時(shí)能夠進(jìn)一步擴(kuò)展，以滿足未來內(nèi)容創(chuàng)作、內(nèi)容發(fā)布和內(nèi)容消費(fèi)的更高要求。內(nèi)容創(chuàng)作內(nèi)容創(chuàng)作者受到了DDR4技術(shù)的限制，因?yàn)樗麄兊母咝阅芄ぷ髋_消耗了增加的內(nèi)存密度或內(nèi)存帶寬。等待時(shí)間延長導(dǎo)致效率降低，甚至無法進(jìn)行多任
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關(guān)鍵優(yōu)勢：· Crucial? 英睿達(dá) P3 Plus 采用 Gen4 NVMe? SSD技術(shù)，讀取速度高達(dá) 5000MB/秒，而 Crucial P3 Gen3 NVMe SSD 的讀取速度高達(dá) 3500MB/秒· 兩款 SSD 均采用了 Micron?美光先進(jìn)的 176層 3D NAND 和創(chuàng)新控制器技術(shù)· &nb
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