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使用SEMulator3D進(jìn)行虛擬工藝故障排除和研究

• 現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝極其復(fù)雜，包含成百上千個(gè)互相影響的獨(dú)立工藝步驟。在開(kāi)發(fā)這些工藝步驟時(shí)，上游和下游的工藝模塊之間常出現(xiàn)不可預(yù)期的障礙，造成開(kāi)發(fā)周期延長(zhǎng)和成本增加。本文中，我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) (DOE) 功能來(lái)解決這一問(wèn)題。在 3D NAND 存儲(chǔ)器件的制造中，有一個(gè)關(guān)鍵工藝模塊涉及在存儲(chǔ)單元中形成金屬柵極和字線。這個(gè)工藝首先需要在基板上沉積數(shù)百層二氧化硅和氮化硅交替堆疊層。其次，在堆疊層上以最小圖形間隔來(lái)圖形化和刻蝕存儲(chǔ)孔陣列。此時(shí)，每層氮化硅（即將成為字線）的外表變得像
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