西安紫光國芯文章進(jìn)入西安紫光國芯技術(shù)社區(qū)

西安紫光國芯助力高可靠車規(guī)芯片市場(chǎng)

隨著全球?qū)沙掷m(xù)交通解決方案的需求不斷增長(zhǎng)，智能汽車和電動(dòng)車作為未來出行的重要組成部分正蓬勃發(fā)展。然而，低功耗和高性能一直是智能車規(guī)芯片面臨的重要挑戰(zhàn)。西安紫光國芯，作為以科技創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，多年來致力于半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新和研發(fā)，推出了一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高可靠車規(guī)芯片產(chǎn)品，為智能出行領(lǐng)域提供高品質(zhì)的解決方案。其中，作為業(yè)界首款具備On-Chip ECC功能的LPDDR4 SDRAM存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品，西安紫光國芯的該款產(chǎn)品在高溫環(huán)境下的性能和可靠性均得到了顯著增強(qiáng)。另外結(jié)合芯片封裝設(shè)計(jì)的可靠性
關(guān)鍵字：西安紫光國芯車規(guī)芯片

近日，西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“西安紫光國芯”）在VLSI 2023技術(shù)與電路研討會(huì)上(2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits)公開發(fā)表了技術(shù)論文——《基于小間距混合鍵合和mini-TSV的135GBps/Gbit 0.66 pJ/bit 嵌入式多層陣列 DRAM》（135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit Stacked Embedded DRAM with Multilayer Arrays by Fine Pitch H
關(guān)鍵字：西安紫光國芯 SeDRAM

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