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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 記憶電阻器

惠普開發(fā)記憶電阻器項目取得進展

  • 　　據(jù)國外媒體報道，惠普科學家在開發(fā)名為“memristors”(記憶電阻器)的下一代內(nèi)存技術(shù)方面取得了小的突破。一些人認為，這種技術(shù)有可能取代目前廣泛應(yīng)用的閃存和DRAM內(nèi)存技術(shù)?；萜湛茖W家本周一在《納米技術(shù)》雜志上發(fā)表的論文中稱，他們已經(jīng)描繪出記憶電阻器在電子運行期間內(nèi)部發(fā)生的情況的基本化學性質(zhì)和結(jié)構(gòu)?！　?/li>
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2008年國際十大科技新聞 記憶電阻器上榜

  • 　　由科技日報社組織，部分院士、多家中央新聞單位及本報讀者參與評選的“2008年國際十大科技新聞”今天揭曉。 　　2008年國際十大科技新聞是（按事件公布時間排序）： 　　一、器官移植研究取得重要成果 　　美國明尼蘇達大學心血管修復(fù)中心科學家1月13日在《自然—醫(yī)學》雜志在線版發(fā)表論文稱，他們通過給“脫細胞化”處理后的動物尸體心臟注入活細胞，成功地使這些心臟恢復(fù)了跳動。這是器官移植研究領(lǐng)域的重大突破，也是人類首次在生物體外用組織培養(yǎng)出完整器
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記憶電阻器成為電路世界中第四種基本元件

  • 　　美國惠普公司實驗室研究人員在5月1日出版的英國《自然》雜志上發(fā)表論文宣稱，他們已經(jīng)證實了電路世界中的第四種基本元件———記憶電阻器，簡稱憶阻器（Memristor）的存在，并成功設(shè)計出一個能工作的憶阻器實物模型。這項發(fā)現(xiàn)將有可能用來制造非易失性存儲設(shè)備、即開型PC、更高能效的計算機和類似人類大腦方式處理與聯(lián)系信息的模擬式計算機等鋪平了道路，未來甚至可能會通過大大提高晶體管所能達到的功能密度，對電子科學的發(fā)展歷程產(chǎn)生重大影響。 　　華裔科學家37年前理論預(yù)測成
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記憶電阻器介紹

memristors，惠普科學家開發(fā)的下一代內(nèi)存技術(shù)，這種技術(shù)有可能取代目前廣泛應(yīng)用的閃存和DRAM內(nèi)存技術(shù)。 記憶電阻器是加州大學伯克利分校的一位教授在1971年首次闡明的。在此之前，科學家僅知道三個基本電路元件：電阻器、電容器和電感器。蔡少棠(Leon Chua)教授把記憶電阻器稱作第四個元件。 幾十年后，惠普科學家證明記憶電阻器是存在的，并且證明他們能夠讓記憶電阻器在兩個或者更多的電阻級 [ 查看詳細 ]

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