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意法半導(dǎo)體車(chē)規(guī)MDmesh DM9超結(jié)MOSFET提升硅片能效

  • 2024 年 3 月 28 日，中國(guó)– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的車(chē)規(guī)600V/650V超結(jié) MOSFET為車(chē)載充電機(jī)(OBC)和采用軟硬件開(kāi)關(guān)拓?fù)涞腄C/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用帶來(lái)卓越的能效和魯棒性。 這些硅基晶體管具有出色的單位芯片面積導(dǎo)通電阻RDS(on)和非常低的柵極電荷，兼?zhèn)浜艿偷哪芰繐p耗和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)，品質(zhì)因數(shù)成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。與上一代產(chǎn)品相比，意法半導(dǎo)體最新的MDmesh DM9 技術(shù)確保柵源閾值電壓(VGS(th)) 分布更窄，使開(kāi)關(guān)波形更加銳利，導(dǎo)通和關(guān)斷
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超結(jié)mosfet介紹

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