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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 超結(jié)mosfet器件

支持功率因數(shù)校正和反激拓撲的新型950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件

  • 更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。該器件甚至能達到最嚴格的設計要求：用于照明、智能電表、移動充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業(yè)SMPS應用。這種全新半導體解決方案能實現(xiàn)出色的散熱性能及能源效率，減少用料并降低總生產(chǎn)成本
  • 關(guān)鍵字： 950 V CoolMOS P7  超結(jié)MOSFET器件  全新半導體  
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超結(jié)mosfet器件介紹

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