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新紀錄：日本學者研制出4Tbit/平方英寸存儲密度的鐵電存儲體

• 　　據(jù)美國物理研究所出版的《應用物理》雜志報道，日本東北大學的科學家們在試驗室中使用鐵電存儲技術將存儲芯片的存儲密度提升到了每平方英寸4Tbit，達成了鐵電存儲體的新世界紀錄，如此等級的存儲密度要比現(xiàn)有最高級的磁記錄型硬盤的存儲密度要高上7倍左右。 　　這種數(shù)據(jù)存儲設備使用一個尖頂懸臂對鐵電體存儲材料進行讀寫操作。進行數(shù)據(jù)寫入時，向尖頂發(fā)送電脈沖，這種電脈沖可以改變對應位置的電子極性和電子所在區(qū)域周圍一小片圓型區(qū)域內(nèi)硅基體的介電常數(shù)。進行數(shù)據(jù)讀取時，則使用尖頂來偵測附近區(qū)域介電常數(shù)的變化值來讀取數(shù)據(jù)。
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