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新紀(jì)錄：日本學(xué)者研制出4Tbit/平方英寸存儲密度的鐵電存儲體

• 　　據(jù)美國物理研究所出版的《應(yīng)用物理》雜志報(bào)道，日本東北大學(xué)的科學(xué)家們在試驗(yàn)室中使用鐵電存儲技術(shù)將存儲芯片的存儲密度提升到了每平方英寸4Tbit，達(dá)成了鐵電存儲體的新世界紀(jì)錄，如此等級的存儲密度要比現(xiàn)有最高級的磁記錄型硬盤的存儲密度要高上7倍左右。 　　這種數(shù)據(jù)存儲設(shè)備使用一個(gè)尖頂懸臂對鐵電體存儲材料進(jìn)行讀寫操作。進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入時(shí)，向尖頂發(fā)送電脈沖，這種電脈沖可以改變對應(yīng)位置的電子極性和電子所在區(qū)域周圍一小片圓型區(qū)域內(nèi)硅基體的介電常數(shù)。進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取時(shí)，則使用尖頂來偵測附近區(qū)域介電常數(shù)的變化值來讀取數(shù)據(jù)。
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