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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 長江存儲(chǔ)

國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破，長江存儲(chǔ)192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

  • 頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱，長江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長江存儲(chǔ)跳過了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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國產(chǎn)技術(shù)進(jìn)步：長江存儲(chǔ)或跳過192層閃存 切入232層

  • 2016年成立的長江存儲(chǔ)，于2017年通過自主研發(fā)和國際合作的方式，設(shè)計(jì)制造了首款3D NAND閃存。2019年，長江存儲(chǔ)晶棧 Xtacking架構(gòu)的第二代3D TLC閃存量產(chǎn)，2020年，第三代TLC/QLC研發(fā)成功，推進(jìn)到128層3D堆疊。在閃存領(lǐng)域，通常將堆疊層數(shù)視作技術(shù)先進(jìn)程度的指標(biāo)。DT報(bào)道稱，業(yè)內(nèi)人士給出消息稱，長江存儲(chǔ)計(jì)劃跳過192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。根據(jù)此前韓國研究機(jī)構(gòu)OERI的一份報(bào)告，其表示中韓閃存技術(shù)差距目前已經(jīng)縮短至兩年，理由是三星和SK海力士明年初會(huì)量產(chǎn)超200層閃存，
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國產(chǎn)芯片彎道超車：曝長江存儲(chǔ)欲直接量產(chǎn)232層閃存

  • 國產(chǎn)芯片領(lǐng)域中，存儲(chǔ)芯片的表現(xiàn)和追趕速度是最快的領(lǐng)域。此前有消息稱國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片大廠已經(jīng)完成了192層的3D NAND閃存樣品的自主研發(fā)，并在今年年底前會(huì)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付。而目前有消息稱，長江存儲(chǔ)計(jì)劃跳過192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。這意味著，如果長江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)232層閃存芯片，我國在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)將達(dá)到國際先進(jìn)水平。而目前三星和SK海力士明年初會(huì)量產(chǎn)超200層閃存，長江存儲(chǔ)越過192層，直接生產(chǎn)232層，將到達(dá)一線水平。
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長江存儲(chǔ)官宣：擁有7%全球市場份額

  • 相信大家都知道，我國在芯片領(lǐng)域一直都存在很大的技術(shù)短板，無論是在PC芯片、手機(jī)芯片，還是在閃存芯片等領(lǐng)域，目前國內(nèi)科技企業(yè)都絕大部分依賴于進(jìn)口，就連前一段時(shí)間韓國方面也正式對(duì)外公布了《2020年韓國半導(dǎo)體出口金額》數(shù)據(jù)報(bào)告，其中明確提到韓國半導(dǎo)體出口金額高達(dá)992億美元，并且其中有超過50%+半導(dǎo)體產(chǎn)品是被銷往中國市場，而這些產(chǎn)品主要有內(nèi)存、閃存、OLED屏幕等，確實(shí)我們?cè)谶@些產(chǎn)品領(lǐng)域，整體國產(chǎn)化程度還非常的低，這些產(chǎn)品主要也被韓系廠商所壟斷，例如三星、LG、SK海力士等等，在AMOLED屏幕領(lǐng)域，幾乎壟
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長江存儲(chǔ)十年飲冰的國產(chǎn)存儲(chǔ)器之路：差距、突破和追趕

  • 芯片是一個(gè)寬泛的概念，既有麒麟、展銳等負(fù)責(zé)運(yùn)算和判斷的邏輯芯片，還有傳感器、集成電路、模擬芯片、射頻等，當(dāng)然還包括本文要寫的存儲(chǔ)器。好巧不巧，存儲(chǔ)芯片又正撞上了三星帝國的優(yōu)勢領(lǐng)域。三星在存儲(chǔ)行業(yè)的巨頭地位，是靠著“逆周期”的策略、活活拖垮了日本和寶島的存儲(chǔ)器行業(yè)而確立的。所謂“逆周期”就是在供大于求的時(shí)候逆勢擴(kuò)張，吸收吞并優(yōu)質(zhì)企業(yè)、擠垮競品；到了供不應(yīng)求的時(shí)候，則產(chǎn)能在手，乘勢而起，賺足利潤。日本NEC、日立、三菱，德國奇夢(mèng)達(dá)，臺(tái)灣力晶、茂德、南亞科等，一時(shí)俊彥，卻無一不是隕落于霸主三星的滾滾車輪之下。換
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長江存儲(chǔ)發(fā)布閃存子品牌 “致鈦 ?ZHITAI”

  • 根據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)的消息，長江存儲(chǔ)剛剛發(fā)布子品牌，命名 “致鈦 ?ZHITAI”，面向 3D NAND 閃存產(chǎn)品及解決方案市場。致鈦 ?ZHITAI 官方微博已經(jīng)上線，這意味著未來長江存儲(chǔ)將會(huì)推出致鈦 ?ZHITAI 的 SSD 產(chǎn)品。8 月 20 日，長江存儲(chǔ)在武漢召開 “融合創(chuàng)新 · 長存之道”Xtacking 合作伙伴生態(tài)大會(huì)，正式宣布 Xtacking 生態(tài)聯(lián)盟成立。據(jù)介紹，Xtacking 生態(tài)聯(lián)盟旨在建立一個(gè)以合作伙伴為基礎(chǔ)，以 Xtacking 品牌為標(biāo)識(shí)，以長江存儲(chǔ) NAND 為載體的存儲(chǔ)產(chǎn)品
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長江存儲(chǔ)128層QLC閃存首次公開亮相

  • Q3季度閃存價(jià)格又要跌10%，今年6大原廠將會(huì)把重點(diǎn)轉(zhuǎn)向128層堆棧的3D閃存生產(chǎn)上來。國產(chǎn)的長江存儲(chǔ)也趕上來了，4月份推出了128層QLC閃存，在中國電子信息博覽會(huì)首次亮相。長江存儲(chǔ)這次展示了64層、128層堆棧的閃存，其中64層TLC閃存是國內(nèi)首個(gè)自研量產(chǎn)的64層閃存，基于Xtacking堆疊架構(gòu)，單位面積的存儲(chǔ)密度是同類產(chǎn)品中最大的。目前長江存儲(chǔ)的量產(chǎn)主力就是64層TLC閃存，已經(jīng)隨光威、國科微、金泰克、七彩虹等廠商的SSD硬盤上市。長江存儲(chǔ)展示的另一個(gè)重點(diǎn)是128層QLC閃存，這是今年4月13日才
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打入長江存儲(chǔ)等供應(yīng)鏈，又一家市值破千億的半導(dǎo)體設(shè)備公司誕生

  • 7月7日，北方華創(chuàng)股票漲幅2.35%，每股報(bào)收202.83元，總市值達(dá)1004.25億元，成功突破千億市值大關(guān)，這也是繼中微公司之后，又一家市值突破千億的半導(dǎo)體設(shè)備廠商。資料顯示，北方華創(chuàng)由北京七星電子和北方微電子戰(zhàn)略重組而成，主要產(chǎn)品為電子工藝裝備和電子元器件，是國內(nèi)主流高端電子工藝裝備供應(yīng)商，也是重要的高精密、高可靠電子元器件生產(chǎn)基地。其中，電子工藝裝備主要包括半導(dǎo)體裝備、真空裝備和鋰電裝備，廣泛應(yīng)用于集成電路、半導(dǎo)體照明、功率器件、微機(jī)電系統(tǒng)、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域；電子元器件主要包括電阻、電容、晶體器件、
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疫情之下，長江存儲(chǔ)程衛(wèi)華談閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

  • 6月27日，SEMICON China 2020大會(huì)于上海拉開帷幕。會(huì)上，長江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官程衛(wèi)華發(fā)表《探索閃存發(fā)展可能，共同迎接未來挑戰(zhàn)》主題演講，談及了疫情下閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展、長江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)進(jìn)展等內(nèi)容。程衛(wèi)華認(rèn)為，2020年不平凡的一年，這一年經(jīng)歷了新冠疫情的全球蔓延，國際局勢的變幻莫測，全球產(chǎn)業(yè)鏈合作受到了極大的沖擊。與此同時(shí)，疫情給人們的生活方式與半導(dǎo)體技術(shù)帶來了改變。程衛(wèi)華指出，消費(fèi)市場的變化驅(qū)動(dòng)了SSD的需求，以及云上業(yè)務(wù)驅(qū)動(dòng)企業(yè)級(jí)SSD需求增長。從全球市場綜合發(fā)展來看，企業(yè)級(jí)SS
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長江存儲(chǔ)將推出首款存儲(chǔ)產(chǎn)品

  • 我國最大的存儲(chǔ)芯片制造商長江存儲(chǔ)科技有限公司(Yangtze Memory Technologies)上周六表示，該公司將在今年下半年推出其首個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)品系列，并補(bǔ)充稱，這些產(chǎn)品將用于從智能手機(jī)到云計(jì)算服務(wù)器的各種電子設(shè)備。“我們將以我們自己的品牌打造一系列廣泛的系統(tǒng)存儲(chǔ)產(chǎn)品，不僅用于個(gè)人計(jì)算機(jī)，企業(yè)存儲(chǔ)，云計(jì)算解決方案，還用于高端智能手機(jī)，安裝盒，平板電腦和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品?！遍L江存儲(chǔ)首席技術(shù)官程衛(wèi)華在SEMICON China上的主題演講中說，SEMICON China是中國最大的半導(dǎo)體展覽會(huì)。長江
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國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期開工 規(guī)劃月產(chǎn)能20萬片

  • 6月20日，紫光集團(tuán)發(fā)布消息，由長江存儲(chǔ)實(shí)施的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期（土建）在武漢東湖高新區(qū)開工，規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月，達(dá)產(chǎn)后與一期項(xiàng)目合計(jì)月產(chǎn)能將達(dá)30萬片。不容忽視的是，行業(yè)龍頭三星近期也在閃存領(lǐng)域動(dòng)作頻頻。6月1日，其宣布將在韓國平澤工廠擴(kuò)產(chǎn)NAND閃存芯片，同時(shí)該公司在西安的閃存項(xiàng)目也在持續(xù)擴(kuò)大投資，計(jì)劃建成全球規(guī)模最大閃存芯片制造基地。觀察者網(wǎng)注意到，受上述消息影響，今天A股早盤，光刻膠、半導(dǎo)體、國產(chǎn)芯片等板塊紛紛走強(qiáng)。個(gè)股方面，瑞芯微、北方華創(chuàng)、中微公司、北京君正、華特氣體、華峰測控等集成電路
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲(chǔ)3D NAND

  • 電子醫(yī)療設(shè)備、電競游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲(chǔ)存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲(chǔ) (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
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攜手長江存儲(chǔ)，中電港再擴(kuò)數(shù)字化時(shí)代產(chǎn)品線版圖

  • 日前，中央指導(dǎo)組物資保障組聯(lián)合新聞媒體在武漢召開湖北省工業(yè)品產(chǎn)銷對(duì)接會(huì)，全力推進(jìn)復(fù)工復(fù)產(chǎn)，加快經(jīng)濟(jì)社會(huì)全面恢復(fù)和重振。在對(duì)接會(huì)上，中電港副總經(jīng)理柏琳和長江存儲(chǔ)市場銷售高級(jí)副總裁龔翊在線簽署了授權(quán)分銷合作協(xié)議。在未來的合作中，雙方將最大限度發(fā)揮各自優(yōu)勢，共同推進(jìn)長江存儲(chǔ)芯片在5G、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、智能終端、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用。
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為湖北“搭把手” 國科微與長江存儲(chǔ)達(dá)成大規(guī)模采購協(xié)議

  • 近日，在“中央指導(dǎo)組物資保障組推動(dòng)湖北省工業(yè)品產(chǎn)銷對(duì)接會(huì)”上，國科微與長江存儲(chǔ)舉辦“云簽約”儀式，批量采購長江存儲(chǔ)64層閃存顆粒，全年采購金額預(yù)計(jì)突破億元。這是繼今年1月7日簽署戰(zhàn)略合作備忘錄以來，雙方在產(chǎn)業(yè)鏈合作領(lǐng)域取得的又一成果。
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128層閃存：中國剛剛突破、SK海力士加速量產(chǎn)

  • 長江存儲(chǔ)近日宣布,已經(jīng)攻克128層堆疊3D QLC閃存技術(shù),單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲(chǔ)密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個(gè)世界第一,首次躋身全球第一隊(duì)列水平。當(dāng)前,整個(gè)閃存行業(yè)都在全面轉(zhuǎn)向100+層堆疊,其中東芝、西部數(shù)據(jù)是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國的突破顯然讓國際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎(chǔ)。在今天的第一季度財(cái)務(wù)會(huì)議期間,同樣來自韓國的SK海
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長江存儲(chǔ)介紹

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