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LSI攜NetApp開(kāi)發(fā)服務(wù)器閃存加速方案

  • LSI公司(NASDAQ:LSI)日前宣布LSI? Nytro? WarpDrive?應(yīng)用加速PCIe?閃存卡系列產(chǎn)品經(jīng)確認(rèn)支持 NetApp ? Flash Accel 軟件。LSI與NetApp正聯(lián)合推出完整的服務(wù)器閃存緩存解決方案,能將服務(wù)器閃存轉(zhuǎn)化為“熱點(diǎn)”數(shù)據(jù)緩存,以提高關(guān)鍵商業(yè)應(yīng)用的性能。
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新紀(jì)錄:日本學(xué)者研制出4Tbit/平方英寸存儲(chǔ)密度的鐵電存儲(chǔ)體

  •   據(jù)美國(guó)物理研究所出版的《應(yīng)用物理》雜志報(bào)道,日本東北大學(xué)的科學(xué)家們?cè)谠囼?yàn)室中使用鐵電存儲(chǔ)技術(shù)將存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)密度提升到了每平方英寸4Tbit,達(dá)成了鐵電存儲(chǔ)體的新世界紀(jì)錄,如此等級(jí)的存儲(chǔ)密度要比現(xiàn)有最高級(jí)的磁記錄型硬盤(pán)的存儲(chǔ)密度要高上7倍左右。   這種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備使用一個(gè)尖頂懸臂對(duì)鐵電體存儲(chǔ)材料進(jìn)行讀寫(xiě)操作。進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí),向尖頂發(fā)送電脈沖,這種電脈沖可以改變對(duì)應(yīng)位置的電子極性和電子所在區(qū)域周圍一小片圓型區(qū)域內(nèi)硅基體的介電常數(shù)。進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取時(shí),則使用尖頂來(lái)偵測(cè)附近區(qū)域介電常數(shù)的變化值來(lái)讀取數(shù)據(jù)。
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三星因iPhone喜憂參半:蘋(píng)果既是客戶也是對(duì)手

  •   據(jù)韓國(guó)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道,三星電子正在因蘋(píng)果()的iPhone而喜憂參半。蘋(píng)果公司于2007年推出iPhone,至今已售出2000萬(wàn)部以上。三星電子一直在為iPhone供應(yīng)中央處理器(CPU)和存儲(chǔ)芯片——閃存存儲(chǔ)器。   美國(guó)市場(chǎng)調(diào)查企業(yè)iSuppli于9月21日表示,第二季度,三星電子在智能手機(jī)等便攜式產(chǎn)品CPU市場(chǎng)上的份額達(dá)到15.9%,排名升至世界第二,僅次于美國(guó)德州儀器(TXN)。得益于iPhone的高人氣,為其提供核心零配件的三星電子也受益匪淺。尤其是三星的CPU占
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閃存存儲(chǔ)器介紹

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