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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 隔離驅(qū)動

避免IGBT不良反應(yīng)的隔離驅(qū)動7條經(jīng)驗

  • IGBT技術(shù)大多應(yīng)用在大功率電源場合，要在這些場合應(yīng)用，首先就需要擁有避免欠壓、米勒效應(yīng)、過載一類的不良反應(yīng)。因此在隔離驅(qū)動IGBT功率器件的設(shè)計上
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6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動入門

  • 由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動進(jìn)行輔助
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LED球泡燈內(nèi)部驅(qū)動電源分析

  • LED球泡燈內(nèi)部驅(qū)動電源分析-作為白熾燈的直接替代光源，LED球泡燈的用量將得到巨大的提升。其品質(zhì)也會參差不齊。作為LED球泡燈內(nèi)部不可或缺的驅(qū)動電源，其品質(zhì)很大程度上決定了一個球泡燈的安全與否及品質(zhì)好壞。
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半橋電路的工作原理及注意問題

  • 本篇文章幾乎將半橋電路的大部分基礎(chǔ)知識都進(jìn)行了總結(jié)和歸納。難得的是，還對半橋電路當(dāng)中出現(xiàn)的問題進(jìn)行了詳盡的分析，并給出了相應(yīng)的解決方案。希望大家能夠全面掌握這些知識，從而為自己的設(shè)計生涯打好堅實(shí)的基礎(chǔ)。
  • 關(guān)鍵字： 半橋電路  隔離驅(qū)動  軟啟動  

隔離驅(qū)動IGBT功率器件設(shè)計技巧八大問

  • IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件，都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和...
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隔離驅(qū)動IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧

  • 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
  • 關(guān)鍵字： 隔離驅(qū)動  PowerMOSFET  功率器件  

IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)

  • 1引言開關(guān)電源中大功率器件驅(qū)動電路的設(shè)計一向是電源領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。普通大功率三極管和絕緣柵功...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IGBT  隔離驅(qū)動  光電耦合器  脈沖變壓器  
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隔離驅(qū)動介紹

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