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美國可替代CMOS器件的低功耗隧道晶體管

• 　　一種新型晶體管使更快、更低功耗的計(jì)算器件成為可能，可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動(dòng)式計(jì)算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場效應(yīng)晶體這種新型器件采用量子機(jī)制，電子遂穿超薄能量勢壘，可以低電壓產(chǎn)生高電流。 　　賓夕法尼亞州立大學(xué)、美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院以及專業(yè)晶片制造商IQE公司在國際電子器件會(huì)議(IEDM)上聯(lián)合宣布了這一發(fā)現(xiàn)。IEDM會(huì)議匯集了全部來自主要芯片公司的代表，是一個(gè)廣受認(rèn)可的論壇，用于報(bào)告半導(dǎo)體和電子技術(shù)方面取得的突破性進(jìn)展。 　　芯片制造商正在尋找繼續(xù)縮小晶體管
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