靜態(tài)存儲器文章進入靜態(tài)存儲器技術(shù)社區(qū)

基于W78E516B單片機的大容量靜態(tài)存儲器接口設(shè)計

摘要：為解決采集系統(tǒng)中大量數(shù)據(jù)存儲及數(shù)據(jù)傳輸問題，對數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中基于單片機大容量靜態(tài)存儲器的應(yīng)用進行了 ...
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IBM已生產(chǎn)出首個22納米工藝SRAM芯片

　　IBM周一宣布，已生產(chǎn)出首個22納米工藝SRAM（靜態(tài)存儲器）單元。　　據(jù)國外媒體報道，SRAM芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)試驗新工藝的設(shè)備，速度更快、體積更小且技術(shù)更復(fù)雜，主要負(fù)責(zé)在數(shù)據(jù)被處理之前暫時存儲數(shù)據(jù)。　　IBM認(rèn)為SRAM芯片的生產(chǎn)是縮小整個微處理器體積的重要一步。SRAM芯片將使22納米處理器性能大幅提高，并減少耗電。　　IBM希望，到2011年能夠制造出22納米制程處理器。IBM研究機構(gòu)副總裁陳博士表示：“隨著處理器內(nèi)核數(shù)量增多，人們對微處理器中存儲器的需求也在日漸增加。為
關(guān)鍵字： IBM SRAM 靜態(tài)存儲器 22納米

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靜態(tài)存儲器介紹

教學(xué)計算機的內(nèi)存儲器組成與設(shè)計 (1)靜態(tài)存儲器的存儲原理和芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)(P207) (2)教學(xué)計算機內(nèi)存儲器的組成與設(shè)計地址總線：記為AB15～AB0,統(tǒng)一由地址寄存器AR驅(qū)動，地址寄存器AR只接收ALU輸出的信息。控制總線：控制總線的信號由譯碼器74LS139給出，功能是指出總線周期的類型：（1）內(nèi)存寫周期用MMW信號標(biāo)記（2）內(nèi)存讀周期用MMR信號標(biāo)記（3）外設(shè)(接口 [ 查看詳細(xì) ]

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基于W78E516B單片機的大容量靜態(tài)存儲器接口設(shè)計

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