首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 非易失鐵電存儲器

非易失鐵電存儲器 文章 進入非易失鐵電存儲器技術社區(qū)

基于FPGA的F-RAM防掉電設計

  • 摘要 在復雜實驗條件下，需采用非易失性鐵電存儲器記錄重要數(shù)據(jù)。為防止二次上電時實驗數(shù)據(jù)被覆蓋，需設計防掉電功能。文中介紹了一種F-RAM的防棹電設計思路，并基于現(xiàn)場可編程門陣列實現(xiàn)，板級驗證工作正常，并已
  • 關鍵字： 非易失鐵電存儲器  防掉電  現(xiàn)場可編程門陣列  
共1條 1/1 1

非易失鐵電存儲器介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條非易失鐵電存儲器!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對非易失鐵電存儲器的理解，并與今后在此搜索非易失鐵電存儲器的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473