高速相變存儲模塊 文章 進入高速相變存儲模塊技術(shù)社區(qū)

日立聯(lián)合瑞薩開發(fā)用于片上非易失性存儲器應(yīng)用的1.5V低功耗、高速相變存儲模塊

• 　　為了滿足新一代高密度片上非易失性存儲技術(shù)的需求，日立有限公司與瑞薩科技公司宣布開發(fā)出運行于1.5V電源電壓的512KB（相當于4Mb）相變存儲模塊。該器件能夠?qū)崿F(xiàn)416KB/s的寫入速度和20ns的讀取時間。利用以前開發(fā)的100μA（Micro*2安培）寫入操作電流的“低功耗相變存儲單元”，兩家公司開發(fā)了一種可以實現(xiàn)高速讀寫操作的外設(shè)電路技術(shù)。 　　日立和瑞薩科技在2007年2月11日在美國舊金山舉行的國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上提交了有關(guān)報告。 　　最近幾年，微控制器已成為車載系統(tǒng)、家庭電子產(chǎn)品
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