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可量產(chǎn)0.2nm工藝!ASML公布Hyper NA EUV光刻機:死胡同不遠(yuǎn)了

  • 6月16日消息,ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機,同時正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機,預(yù)計可將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)到0.2nm左右,也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數(shù)值只有0.33,對應(yīng)產(chǎn)品命名NXE系列,包括已有的3400B/C、3600D、3800E,以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預(yù)計到2025年可以量產(chǎn)2nm,再往后就得加入多重曝光,預(yù)計到2027年能實現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機升級到了
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臺積電今年將拿到最新款光刻機

  • 6月6日消息,據(jù)外媒報道稱,ASML將在今年向臺積電交付旗下最先進(jìn)的光刻機,單臺造價達(dá)3.8億美元。報道中提到,ASML首席財務(wù)官Roger Dassen在最近的一次電話會議上告訴分析師,公司兩大客戶臺積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數(shù)值孔徑(高NA)極紫外(EUV)光刻系統(tǒng)。英特爾此前已經(jīng)訂購了最新的高NA EUV設(shè)備,第一臺設(shè)備已于12月底運往俄勒岡州的一家工廠。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶臺積電何時會收到設(shè)備。據(jù)悉,這些機器每臺造價3.5億歐元(3.8億美元),重量相當(dāng)于兩架空中客車A
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