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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 10nm

半導體材料爭相從10nm向5nm發(fā)展

  • 　　隨著晶體管向10nm、7nm甚至更小尺寸的發(fā)展，半導體行業(yè)面臨著真正的材料選擇困擾。基板、溝道、柵和接觸材料都迫切需要評估。 　　“在14nm,10nm工藝時代，器件架構(gòu)是確定的。”Intermolecular有限公司半導體部門高級副總裁兼總經(jīng)理RajJammy表示，“大多數(shù)情況下采用FinFET架構(gòu)，當然也有其它選項，如完全耗盡型絕緣硅(SOI)。” 　　對于10nm和7nm來說，Jammy認為高K值金屬柵將占主導地位，但真正的挑戰(zhàn)將是溝道
  • 關鍵字： 半導體材料  10nm  

三星全力投入10nm存儲器制程 拉大競爭差距

  • 　　三星電子(SamsungElectronics)半導體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部旗下半導體總括兼系統(tǒng)LSI事業(yè)部長金奇南，將以10奈米級記憶體晶片量產(chǎn)一決勝負。DS事業(yè)部的技術(shù)研發(fā)和投資焦點，也從設計技術(shù)轉(zhuǎn)移到制程技術(shù)。 　　自1993年起，三星在記憶體市場上維持超過20年的霸主地位，秘訣就在于提升制程技術(shù)，拉大與競爭對手的差距。 　　據(jù)南韓經(jīng)濟日報報導，金奇南在2014年2月接任記憶體事業(yè)部長職務后曾指示，將全力投注在平面記憶體晶片電路精細化。截至2013年，三星記憶體事業(yè)部仍致力于研發(fā)系
  • 關鍵字： 三星  10nm  

FD-SOI：芯片制造工藝向10nm技術(shù)節(jié)點發(fā)展的最佳選擇

  • 　　按照摩爾定律，芯片可容納的晶體管數(shù)量每兩年提高一倍。然而，摩爾定律不只是在同一顆芯片上將晶體管數(shù)量增加一倍的技術(shù)問題。摩爾定律暗示，隨著芯片集成密度翻倍，功耗和性能都將會實現(xiàn)大幅度改進。在過去50年里，半導體工業(yè)一直按照摩爾定律發(fā)展，因為芯片的三個要素——價格、功耗和性能始終是在聯(lián)動。 　　在可預見的未來，半導體工業(yè)雖然能夠繼續(xù)證明摩爾定律的正確性，但是，當發(fā)展到當今最先進的28納米技術(shù)節(jié)點以下時，卻遭遇逆風阻擋前進步伐，因為在28納米以后，技術(shù)復雜程度和制造成本都將大幅
  • 關鍵字： 芯片制造  10nm  

EUV遭受新挫折 半導體10nm工藝步伐蹉跎

  • 當半導體工藝發(fā)展到10nm水平時，傳統(tǒng)的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰(zhàn)，所有經(jīng)典物理的規(guī)律在量子水平下都有可能失效，必須在硅材料之外尋找一種新的、實用的思路來進一步延續(xù)集成電路的發(fā)展。
  • 關鍵字： EUV  10nm  

為量產(chǎn)10nm制程鋪路　ASML攜手IMEC建置APC

  • 　　艾司摩爾(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設立先進曝光中心(Advanced Patterning Center, APC)，助力半導體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進奈米曝光制程技術(shù)關卡，讓微影(Lithography)技術(shù)及其設備更臻成熟，加速制程微縮技術(shù)的商用化。 　　ASML總裁暨執(zhí)行長Martin van den Brink表示，長期以來，該公司與IMEC的合作，已促成半導體制程發(fā)展不斷突破;而此次的合作案，預期將進一步加快先進奈米制程技術(shù)及其相關設備
  • 關鍵字： 10nm  ASML  

攻新材料/互連技術(shù) IMEC力克10nm設計難關

  • 　　比利時微電子研究中心(IMEC)正全速開發(fā)下世代10奈米制程技術(shù)。為協(xié)助半導體產(chǎn)業(yè)跨越10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)門檻，IMEC已啟動新一代電晶體通道材料和電路互連(Interconnect)研究計劃，將以矽鍺/三五族材料替代矽方案，并透過奈米線(Nanowire)或石墨烯技術(shù)實現(xiàn)更細致的電路成型與布局，加速10奈米以下制程問世。 　　IMEC制程科技副總裁An Steegen提到，除了10奈米以下制程技術(shù)外，IMEC亦全力推動18寸晶圓的發(fā)展，目前已有相關設備進入驗證階段。 　　I
  • 關鍵字： IMEC  10nm  

Globalfoundries稱2015推10nm晶圓

  • 　　晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長蘇比(SubiKengeri)日前來臺，喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進度比臺積電領先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領先一年。 　　格羅方德2009年由美商超微獨立而出，2010年并購前特許半導體，蘇比表示，2009年剛獨立時，公司僅是全球第四大晶圓代工廠，但憑著超微在處理器技術(shù)的設計能力，加上先前新加坡特許半導體在晶圓代工服務客戶經(jīng)驗，ICInsights統(tǒng)計，2012年公司躍進晶
  • 關鍵字： Globalfoundries  10nm  

應材最新缺陷檢測與分類技術(shù)提高10nm設計良率

  • 　　應用材料公司(Applied Materials)為其SEMVision系列推出一套最新缺陷檢測及分類技術(shù)，加速達成10奈米及以下的先進晶片生產(chǎn)良率。Applied SEMVision G6 缺陷分析系統(tǒng)結(jié)合前所未有高解析度、多維影像分析功能，及革命性創(chuàng)新的 Purity 自動化缺陷分類(Automatic Defect Classification;ADC)系統(tǒng)高智慧的機器學習演算法，樹立全新的效能標竿，同時為半導體產(chǎn)業(yè)引進首創(chuàng)缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DR SEM)技術(shù)。 　　應用材料公司企業(yè)副總
  • 關鍵字： 應用材料  10nm  

聯(lián)電加入IBM技術(shù)聯(lián)盟 攜手奔向10nm工藝

  • 　　在半導體行業(yè)，聯(lián)電(UMC)算不上往往與最先進的技術(shù)搭不上邊，不過這一次，臺灣代工廠準備走在世界前列了。IBM、聯(lián)電今天共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同參與10nm CMOS工藝的開發(fā)。IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟是一個由IBM領導的半導體行業(yè)組織，成立已有數(shù)十年，成員包括GlobalFoundries(原AMD)、特許半導體(已被GF收購)、英飛凌、三星電子、意法半導體等赫赫有名的巨頭，共同致力于先進半導體制造工藝的開發(fā)。相比于Intel、臺積電、三星電子的單打獨斗，這些廠商都是共享資源、聯(lián)合開發(fā)
  • 關鍵字： 聯(lián)電  10nm  

半導體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素

  • 　　半導體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術(shù)節(jié)點后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升晶片效能與省電效益，已被視為產(chǎn)業(yè)明日之星。 　　應用材料半導體事業(yè)群EpitaxyKPU全球產(chǎn)品經(jīng)理SaurabhChopra提到，除了制程演進以外，材料技術(shù)更迭也是影響半導體科技持續(xù)突破的關鍵。 　　應用材料(Applied
  • 關鍵字： 半導體材料  10nm  

HGST融合分子自組裝與納米印刷技術(shù) 可令硬盤單碟容量提升一倍

  • 　　Western Digital 旗下 HGST 1 日宣布，已通過將融合 self-assembling molecules ( 分子自組裝 ) 和 nanoimprinting ( 納米印刷 ) 技術(shù)，成功創(chuàng)造出大面積高密度存儲介質(zhì)，其 magnetic islands 磁島寬度只有 10nm ，是目前硬盤技術(shù)的兩倍，可望于未來數(shù)年內(nèi)大幅提高機械硬盤的存儲密度，讓單碟容量可望提升。 　　據(jù) HGST 表示，新技術(shù)能夠讓 magnetic islands 磁島寬度只相當于大約 50 個原子寬，或者人
  • 關鍵字： 10nm  硬盤  

Intel以色列：跨越發(fā)展沖向10nm

  • 　　我們說過很多次，先進的制造工藝始終都是Intel面對任何競爭最強有力的武器，Intel也在矢志不渝地維護和擴大這種領先優(yōu)勢，比如在以色列南 部城市水牛城(Kiryat Gat)的晶圓廠Fab 28，目前就正在生產(chǎn)22nm Ivy Bridge，而在未來數(shù)年，這里將跳過14nm，直奔更高級的10nm。 　　Fab 28的擴建和22nm的投產(chǎn)不但讓Intel受益無窮，同樣刺激了以色列的經(jīng)濟發(fā)展，帶動其出口額從2011年的22億美元猛增至2012年的46億美 元，其中Intel一家就占了高科技出口額的20
  • 關鍵字： Intel  10nm  

SoC已有眉目微細化至10nm無需3D晶體管

  • 　　SoC(systemonachip)是智能手機及平板電腦等移動產(chǎn)品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技術(shù)。 　　如果采用FDSOI技術(shù)，無需使晶體管立體化便可繼續(xù)推進SoC微細化至10nm工藝左右。由于可以沿用原有半導體制造技術(shù)和設計技術(shù)，因此無需很多成本即可繼續(xù)推進微細化(圖1)。對于希望今后仍長期享受SoC微細化恩惠的
  • 關鍵字： 意法  10nm  晶體管  

下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

  • 　　在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 　　根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)
  • 關鍵字： ST  FD-SOI  10nm  

IMEC探討10nm以下制程變異

  • 　　在可預見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Forum上表示。 　　明天的智慧系統(tǒng)將會需要更多的運算能力和儲存容量，這些都遠遠超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動了我們對晶片微縮技術(shù)的需求。 　　在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動晶片微縮。在10nm之后，或許還
  • 關鍵字： IMEC  CMOS  10nm    
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