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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 12納米

Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片

  • 這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專用測試芯片通過加快產(chǎn)品上市進程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產(chǎn)品設計，堅定客戶對Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實了Dolphin Design在混合信號IP領域的行業(yè)領先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產(chǎn)權(quán)（IP）以及ASIC設計的行業(yè)領先供應商Dolphin De
  • 關鍵字： Dolphin Design  12納米  12nm  FinFet  成功流片  

三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

  • 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領域中的地位，并開啟了大容量內(nèi)存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎上，我們可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
  • 關鍵字： 三星  12納米  DDR5  DRAM  

三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)

  • 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
  • 關鍵字： 三星電子  12納米  DDR5  DRAM  

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

  • 三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5 DRAM的關鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動系統(tǒng)等領域更可持續(xù)運營的基礎。"AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計算
  • 關鍵字： 三星電子  12納米  DDR5  DRAM  

國產(chǎn)CPU工藝進展至16/12納米，工藝和性能雙提升

  • 國產(chǎn)CPU性能水平不斷提升。日前，飛騰公司發(fā)布新一代服務器芯片騰云S2500，擁有64顆內(nèi)核，采用16納米工藝，主頻達到2.0-2.2Ghz。同時有消息稱，龍芯中科正在設計中的新一代處理器LS3A5000/3C5000基于12nm工藝，即將流片。近年來我國CPU產(chǎn)業(yè)發(fā)展很快，在工藝水平、產(chǎn)品性能上均快速接近，甚至達到國際主流水平。目前，我國CPU產(chǎn)業(yè)面臨的問題主要是產(chǎn)業(yè)生態(tài)上的不足，希望新基建能為國產(chǎn)CPU的應用與發(fā)展提供新的契機。新一代CPU工藝和性能雙提升國產(chǎn)CPU再掀新動作。7月23日，飛騰公司發(fā)布
  • 關鍵字： 國產(chǎn)CPU  16/12納米  

三星看好PCM內(nèi)存潛力 有望取代NAND和NOR閃存

  • 　　三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動存儲形式. 　　多年來,半導體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過,它一直處于試驗階段.PCM內(nèi)存當中包含有類似玻璃的材料,當其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會發(fā)生改變,晶體的變化對應計算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數(shù)據(jù)存儲. 　　一直以來,包括英特爾和英飛凌在內(nèi)的很多公司都在從PCM的研發(fā),他們試圖將這種存儲器的體積減小,增存儲加速度與容量.支持PCM的人士認為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存. 　　三星半導體
  • 關鍵字： 三星  PCM  34納米  10納米  12納米  
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12納米介紹

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