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Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片

這款測(cè)試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應(yīng)用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專用測(cè)試芯片通過(guò)加快產(chǎn)品上市進(jìn)程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，堅(jiān)定客戶對(duì)Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實(shí)了Dolphin Design在混合信號(hào)IP領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。2024年2月22日，法國(guó)格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號(hào)、處理知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）以及ASIC設(shè)計(jì)的行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商Dolphin De
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2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)，開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）。這是繼2023年5月三星開(kāi)始量產(chǎn)12納米級(jí)16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開(kāi)發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開(kāi)啟了大容量?jī)?nèi)存時(shí)代的新篇章。三星12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級(jí)32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，我們可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
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今日，三星電子宣布其采用12納米級(jí)工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進(jìn)的12 納米級(jí)DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開(kāi)拓DRAM市場(chǎng)的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計(jì)算市場(chǎng)對(duì)大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過(guò)商業(yè)化的下一代
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三星電子宣布，已成功開(kāi)發(fā)出其首款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung Lee表示："三星12nm級(jí)DRAM將成為推動(dòng)整個(gè)市場(chǎng)廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運(yùn)營(yíng)的基礎(chǔ)。"AMD高級(jí)副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計(jì)算
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國(guó)產(chǎn)CPU性能水平不斷提升。日前，飛騰公司發(fā)布新一代服務(wù)器芯片騰云S2500，擁有64顆內(nèi)核，采用16納米工藝，主頻達(dá)到2.0-2.2Ghz。同時(shí)有消息稱，龍芯中科正在設(shè)計(jì)中的新一代處理器LS3A5000/3C5000基于12nm工藝，即將流片。近年來(lái)我國(guó)CPU產(chǎn)業(yè)發(fā)展很快，在工藝水平、產(chǎn)品性能上均快速接近，甚至達(dá)到國(guó)際主流水平。目前，我國(guó)CPU產(chǎn)業(yè)面臨的問(wèn)題主要是產(chǎn)業(yè)生態(tài)上的不足，希望新基建能為國(guó)產(chǎn)CPU的應(yīng)用與發(fā)展提供新的契機(jī)。新一代CPU工藝和性能雙提升國(guó)產(chǎn)CPU再掀新動(dòng)作。7月23日，飛騰公司發(fā)布
關(guān)鍵字：國(guó)產(chǎn)CPU 16/12納米

　　三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢(shì)可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動(dòng)存儲(chǔ)形式. 　　多年來(lái),半導(dǎo)體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過(guò),它一直處于試驗(yàn)階段.PCM內(nèi)存當(dāng)中包含有類似玻璃的材料,當(dāng)其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會(huì)發(fā)生改變,晶體的變化對(duì)應(yīng)計(jì)算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ). 　　一直以來(lái),包括英特爾和英飛凌在內(nèi)的很多公司都在從PCM的研發(fā),他們?cè)噲D將這種存儲(chǔ)器的體積減小,增存儲(chǔ)加速度與容量.支持PCM的人士認(rèn)為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存. 　　三星半導(dǎo)體
關(guān)鍵字：三星 PCM 34納米 10納米 12納米

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