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長江存儲128層QLC閃存首次公開亮相
- Q3季度閃存價格又要跌10%,今年6大原廠將會把重點轉(zhuǎn)向128層堆棧的3D閃存生產(chǎn)上來。國產(chǎn)的長江存儲也趕上來了,4月份推出了128層QLC閃存,在中國電子信息博覽會首次亮相。長江存儲這次展示了64層、128層堆棧的閃存,其中64層TLC閃存是國內(nèi)首個自研量產(chǎn)的64層閃存,基于Xtacking堆疊架構(gòu),單位面積的存儲密度是同類產(chǎn)品中最大的。目前長江存儲的量產(chǎn)主力就是64層TLC閃存,已經(jīng)隨光威、國科微、金泰克、七彩虹等廠商的SSD硬盤上市。長江存儲展示的另一個重點是128層QLC閃存,這是今年4月13日才
- 關鍵字: 長江存儲 128 QLC 閃存
中國剛突破128層QLC閃存 三星將首發(fā)160層閃存
- 上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù),QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng)造了三個世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進,三星等公司也沒閑著,三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。對3D閃存來說,堆棧層數(shù)越多,容量就越大,存儲密度就越高,這是3D閃存的核心競爭力,2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。不過每家的技術(shù)方案不同,東芝、西數(shù)的BiCS 5代3D閃存是112層的,美光、SK海力士有128層的,Intel的是144層,而且是浮柵極技術(shù)的,三星去年推出的第六代V-NAND閃存做到了136層
- 關鍵字: 128 QLC
128*64液晶簡單單片機代碼
- 控制芯片是常用的HD61202列驅(qū)動,HD61203行驅(qū)動一個漢字由16*16個像素點構(gòu)成。掃描順序上下,然后到第2列再上下,一次類推。顯示結(jié)果:參考
- 關鍵字: 128*64液晶單片
128*64代碼進化版顯示時,分,秒
- 顯示結(jié)果:芯片晶振110592includereg51h>defineucharunsignedchardefineuintunsignedintdefinedataportP0數(shù)據(jù)
- 關鍵字: 128*64代碼進化版顯
128*64 LCD顯示驅(qū)動程序
- //頭文件部分#includereg52.h>//======================================================//定義常用符號,LCD控制字符號常量,TIME0定時...
- 關鍵字: 128*64LCD顯示驅(qū)動程
128*64液晶采用“單片機內(nèi)部顯示緩沖“的程序
- /***文件名稱:*摘要:讀寫lcd顯示緩沖區(qū)**當前版本:v1.0*作者:laoliu2008*完成日期:2008年4月12日*/#includepcb.h>#include全...
- 關鍵字: 128*64液晶單片機內(nèi)部顯示緩
信號調(diào)理電路在測壓系統(tǒng)中的作用--INA128的內(nèi)部結(jié)
- INA128的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如圖5所示。 圖5 INA128的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖增益設定INA128的基本連接中用一個獨立的外部電阻RG可以獲得的放大倍數(shù)為:G=1+50kOmega;/RG。式中50kOmega;為INA128內(nèi)部的兩個放大器反饋電阻之和,它們都
- 關鍵字: INA 128 信號調(diào)理電路 測壓系統(tǒng)
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