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新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開發(fā)DesignWare IP產(chǎn)品組合

  • 要點： 用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產(chǎn)品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 兩家公司之間的長期合作已成功實現(xiàn)了DesignWare IP核從180納米到12納米的開發(fā)，可應(yīng)用于廣泛領(lǐng)域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開展合作，開發(fā)用于G
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格羅方德12LP+ FinFET解決方案針對AI進行優(yōu)化

  • 半導(dǎo)體代工廠格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布，旗下最先進的FinFET解決方案「12LP+」已通過技術(shù)驗證，目前準(zhǔn)備投入生產(chǎn)。 格羅方德的差異化「12LP+」解決方案主要針對AI訓(xùn)練以及推論應(yīng)用進行優(yōu)化。本解決方案建立于驗證過的平臺上，具有強大的制造生態(tài)系統(tǒng)，可為芯片設(shè)計師帶來高效能的開發(fā)體驗，及快速的上市時間。 為達到性能、功耗和面積的組合，12LP+導(dǎo)入了若干新功能，包含更新后的標(biāo)準(zhǔn)組件庫、用于2.5D封裝的中介板，與一個低功耗的0.5V Vmin SRAM記憶單元，以支持AI處理器與內(nèi)
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格芯針對人工智慧應(yīng)用推出12LP+ FinFET解決方案

  • 晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設(shè)計廠SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲器（HBM2E）運用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設(shè)計服務(wù)，可加速人工智能（AI）應(yīng)用上市時間。
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