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力拼臺積電？傳三星14nm AP年底送樣 跳過20nm

  • 　　SamMobile、Android Community 14日引述南韓媒體DDaily報導(dǎo)，為了和臺積電(2330)在晶圓代工領(lǐng)域一較高下，最新消息顯示三星電子(Samsung Electronics Co.)可能會跳過20奈米制程技術(shù)，直接從當前的28奈米制程一口氣轉(zhuǎn)進14奈米FinFET制程，并將技術(shù)導(dǎo)入Galaxy S5內(nèi)建的行動處理器。 　　根據(jù)報導(dǎo)，三星被市場通稱為「Galaxy S5」的次世代旗艦智慧型手機可能會搭載采用14奈米制程技術(shù)的64位元行動應(yīng)用處理器(AP)「Exynos 6
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遠拋對手 Intel宣布14nm工藝芯片年底投產(chǎn)

  • 　　雖然Intel的桌面處理器明年不會升級到14nm，但是這種新工藝正在緊張有序地鋪開，將首先在筆記本和移動領(lǐng)域施展拳腳。 　　Intel今天確認，14nm工藝將在今年底投入批量生產(chǎn)，打頭陣的當然是Broadwell。在舊金山會場上，Intel還拿出了一臺配備著14nm Broadwell芯片的筆記本，已經(jīng)可以正常運行了。 　　Intel宣稱，Broadwell初期樣品的測試顯示，它能比Haswell帶來“30%的功耗改進”，后期進一步完善后還有望更多。 　　Intel同時重
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半導(dǎo)體搶入16/14nm FinFET制程 業(yè)者掠地

  • 　　EDA業(yè)者正大舉在FinFET市場攻城掠地。隨著臺積電、聯(lián)電和英特爾(Intel)等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進制程市場。 　　16/14奈米(nm)先進制程電子設(shè)計自動化(EDA)市場戰(zhàn)火正式點燃。相較起28/20奈米制程，16/14奈米以下制程采用的鰭式場效電晶體(FinFET)結(jié)構(gòu)不僅提升晶片設(shè)計困難度(圖1)，更可能拖累產(chǎn)品出貨時程，為協(xié)助客戶能突破Fi
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IC業(yè)發(fā)展模式孕育新一輪變革 面臨三大難題

  • 　　半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開始量產(chǎn)。如果從工藝制程節(jié)點來說，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術(shù)可能達到10nm，這意味著如果EUV技術(shù)再次推遲應(yīng)用，到2015年制程將暫時在10nm徘徊。除非等到EUV技術(shù)成熟，制程才能再繼續(xù)縮小下去。依目前的態(tài)勢，即便EUV成功也頂多還有兩個臺階可上，即7nm或者5nm。因為按理論測算，在5nm時可能器件已達到物理極限。 　　工藝尺寸縮小僅是手段之一，不是最終目標。眾所周知，推動市場進步的是終端電子產(chǎn)品的市場需求，向著更
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14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個“坎”？

  • 　　尺寸縮小是推動產(chǎn)業(yè)進步的“靈舟妙藥”，每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不會盲目跟進。依目前的態(tài)勢，業(yè)界已然有所爭議，有人認為由28nm向22nm過渡時成本可能反而上升，這或是產(chǎn)業(yè)過渡過程中的正?，F(xiàn)象。 　　全球半導(dǎo)體業(yè)中還能繼續(xù)跟蹤14nm工藝節(jié)點者可能尚余不到10家，包括英特爾、三星、臺積電、格羅方得、聯(lián)電、東芝、海力士、美光等。顯然在半
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確保與IBM合作有成　聯(lián)電緊握14/10nm主導(dǎo)權(quán)

  • 　　聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計劃，全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過，聯(lián)電也不忘記取當初發(fā)展0.13微米時，授權(quán)IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行，反遭臺積電大幅超前進度的教訓(xùn);此次在14/10奈米的合作僅將采用IBM基礎(chǔ)技術(shù)平臺與材料科技，并將主導(dǎo)大部分制程研發(fā)，以結(jié)合先進科技和具成本效益的量產(chǎn)技術(shù)，避免重蹈覆轍。 　　聯(lián)電執(zhí)行長顏博文表示，隨著IC設(shè)計業(yè)者對于更新、更先進技術(shù)的需求日益增高，聯(lián)電日前已宣布加入IBM 10奈米FinFET互補式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)
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Altera CEO：14nm Trigate將引領(lǐng)高端FPGA

  • 　　日前，Altera公布了其2013年二季度營收，總收入為421.8億美元，環(huán)比增長3%，同比卻下降9%。其凈利潤為1.015億美元，環(huán)比下降16%，同比則下降38%。 　　由于種種問題，Stratix V的銷量不升反降，環(huán)比下降22%，而新產(chǎn)品Arria V則環(huán)比上升113%，Cyclone V則上漲了73%，這導(dǎo)致Altera新品銷量環(huán)比僅上漲6%。 　　按區(qū)域來分，亞太及北美市場同比都有一定程度的下滑，分別為下降22%與12%，歐洲區(qū)則同比上升11%。 　　而按照應(yīng)用劃分，只有工業(yè)自動化、軍
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IC業(yè)十大“芯”結(jié)求解：產(chǎn)業(yè)生態(tài)難成氣候?

  • 　　“萬物并作，吾以觀復(fù)?！比缤匀唤缟鷳B(tài)要和諧共處才能生生不息一樣，半導(dǎo)體業(yè)的生態(tài)系統(tǒng)更是“俱榮俱損”的關(guān)系，當半導(dǎo)體業(yè)步入多元且全面的商業(yè)競爭時代，競爭已不局限于單純的產(chǎn)品和技術(shù)，而在于誰能構(gòu)建完整的產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)。設(shè)備和材料在半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中扮演“左右護法”的角色：全球每年在半導(dǎo)體業(yè)的投資約500億~600億美元，其中有70%是用來購買設(shè)備，因為工藝的進步全要仰仗設(shè)備業(yè)的進步。半導(dǎo)體材料的質(zhì)量和供應(yīng)則直接影響著IC的質(zhì)量和競爭力，
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英特爾：14nm開發(fā)順利并將提前投產(chǎn)

  • 　　據(jù)外電報道，英特爾方面日前明確表示，在今年年底將正式投產(chǎn)14nm工藝，但此次的產(chǎn)品發(fā)布會和以往有所區(qū)別。 　　英特爾CEO科再奇已經(jīng)表示：“半導(dǎo)體工藝上的投資和技術(shù)優(yōu)勢為英特爾保證行業(yè)領(lǐng)先提供了基礎(chǔ)。22nm工藝的缺陷率、產(chǎn)出時間達到了歷時最低水平，在這種情況下，英特爾將在今年年底按期投產(chǎn)14nm?！? 　　這實際上和之前的路線圖有所出入，按照之前的計劃，英特爾不會在2014年內(nèi)推出14nmBroadwell處理器，因為在2014年，英特爾本來安排了HaswellRefres
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英特爾：14nm開發(fā)順利并將提前投產(chǎn)

  • 　　據(jù)外電報道，英特爾方面日前明確表示，在今年年底將正式投產(chǎn)14nm工藝，但此次的產(chǎn)品發(fā)布會和以往有所區(qū)別。 　　英特爾CEO科再奇已經(jīng)表示：“半導(dǎo)體工藝上的投資和技術(shù)優(yōu)勢為英特爾保證行業(yè)領(lǐng)先提供了基礎(chǔ)。22nm工藝的缺陷率、產(chǎn)出時間達到了歷時最低水平，在這種情況下，英特爾將在今年年底按期投產(chǎn)14nm。” 　　這實際上和之前的路線圖有所出入，按照之前的計劃，英特爾不會在2014年內(nèi)推出14nm Broadwell處理器，因為在2014年，英特爾本來安排了Haswell Refr
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蘋果回頭找三星代工A9處理器？

  • 　　根據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》(KoreaEconomicDaily)報導(dǎo)，蘋果公司(AppleInc.)與三星電子(SamsungElectronics)日前簽署一項代工協(xié)議，雙方將再續(xù)前緣──三星將為蘋果未來的iPhone手機與iPad平板電腦產(chǎn)品打造14nmA9處理器。 　　在該報導(dǎo)中，根據(jù)雙方的協(xié)議，三星將從2015年開始，以FinFET制程技術(shù)為蘋果生產(chǎn)14nmA9處理器。A9處理器將用于蘋果下一代iPhone7智慧型手機。 　　蘋果從幾年前開始自行設(shè)計自家智慧型手機與平板電腦專用的處理器后，就一
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明導(dǎo)CEO：微細化程度越高 可靠性設(shè)計越重要

  • 　　赴日訪問的明導(dǎo)公司(Mentor Graphics Corp.)董事長兼首席執(zhí)行官阮華德(Walden C. Rhines)接受了本站記者的采訪。 　　阮華德詳細介紹“More Moore” 　　——首先想就半導(dǎo)體領(lǐng)域問幾個問題。20nm SoC已進入開發(fā)階段，在EDA行業(yè)，20nm的課題是支持雙重圖形(Double Patterning)，14nm以及以后工藝面臨的課題是什么呢?明導(dǎo)將為此提供些什么? 　　阮華德：14nm的課題是(一)FinFE
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Intel 14nm平臺爆發(fā)：DDR4、PCI-E 4.0、SATA-E

  • 　　PCGH今天曝光了一份Intel Xeon、Xeon Phi的規(guī)劃路線圖。雖是服務(wù)器和高性能計算領(lǐng)域的，但也能反映出桌面平臺的進展。 　　不過注意，本文中說的Xeon不包括單路型號，而是雙路型EP、多路型EX，而且Intel的新工藝、新架構(gòu)一般都是先在桌面上使用，一年左右之后進入服務(wù)器。 　　路線圖顯示，Haswell架構(gòu)的Xeon EP/EX將在明年發(fā)布，除了帶來桌面平臺已有的22nm工藝、AVX2指令集、PCI-E 3.0總線之外，還會開始支持DDR4，這也將是Intel第一次支持下代內(nèi)存
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Intel至強線路圖曝光 Skylake將用14nm制程

  • 　　國外媒體最近曝出了一張Intel至強(Xeon)處理器產(chǎn)品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構(gòu)的芯片產(chǎn)品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預(yù)計也得幾年之后才會和用戶見面，搭載最新的技術(shù)是肯定的。 　　Skylake會采用14nm制程，當和Broadwell算作是Intel首批采用這一制造工藝生產(chǎn)的芯片，而且還會引入Intel的第九代IntelHDIGP。Skylake將支持DDR4內(nèi)存，不過應(yīng)當不是首個支持DDR4的平臺，明年的Has
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Intel Skylake平臺將采用14nm制程 并支持DDR4/PCIe 4

  • 　　國外媒體最近曝出了一張Intel至強(Xeon)處理器產(chǎn)品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構(gòu)的芯片產(chǎn)品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺的繼任者，這一平臺預(yù)計也得幾年之后才會和用戶見面，搭載最新的技術(shù)是肯定的。 　　Skylake會采用14nm制程，當和Broadwell算作是Intel首批采用這一制造工藝生產(chǎn)的芯片，而且還會引入Intel的第九代Intel HD IGP。Skylake將支持DDR4內(nèi)存，不過應(yīng)當不是首個支持DDR4的平臺，明年
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