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Altera公開下一代20nm產(chǎn)品創(chuàng)新技術(shù)細(xì)節(jié)

  • 不久前，Altera公司公開了在其下一代20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù)，通過在20 nm的體系結(jié)構(gòu)、軟件和工藝的創(chuàng)新，支持更強(qiáng)大的混合系統(tǒng)架構(gòu)的開發(fā)。日前，Altera公司資深副總裁首席技術(shù)官M(fèi)isha Burich博士專程來到北京，詳細(xì)介紹了創(chuàng)新技術(shù)的細(xì)節(jié)。
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臺積電推20nm及CoWoS參考流程

  • 　臺積電研發(fā)副總侯永清表示，以上參考流程能夠完整的，將臺積電先進(jìn)的20奈米與CoWoS技術(shù)提供給晶片設(shè)計業(yè)者，以協(xié)助其盡早開始設(shè)計開發(fā)產(chǎn)品。而對于臺積電及其開放創(chuàng)新平臺設(shè)計生態(tài)環(huán)境伙伴而言，首要目標(biāo)即在于能夠及早、并完整地提供先進(jìn)的矽晶片與生產(chǎn)技術(shù)給客戶
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臺積電摘蘋果A7 明年試產(chǎn)

  • 至于智慧型手機(jī)晶片，現(xiàn)在多采28或32奈米制程，明年良率會倍增到75%，吸引更多手機(jī)大廠采用。德意志證券預(yù)估，明年約有75~100%智慧型手機(jī)搭配28或32奈米制程的晶片，整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又向前跨一步。
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20nm和3D IC將是積極的產(chǎn)業(yè)

  • 　注2：doublepatterning(兩次曝光)：20nm后需要兩次曝光或多次曝光。28nm到20nm時，設(shè)備不用做大的改變，但是設(shè)計手段要變。因為20nm后，設(shè)計間距太窄了，一次曝光會使光線無法穿過，或者穿過的光線大大失真。doublepatterning就像兩個人坐在一起，為了加大間距，中間可隔開一個位置。因此，人們把一層金屬拆成兩個mask(掩膜)，這樣間距加大，光的不良效應(yīng)就降低。方法是第一次曝光奇數(shù)行，第二次偶數(shù)行。
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ARM和Globalfoundries聯(lián)手研發(fā)20nm移動芯片

  • 　ARM和Globalfoundries都沒有透露雙方合作將持續(xù)多長時間，但鑒于20nm工藝節(jié)點(diǎn)還有很長的一段路要走，臺積電也不必太過擔(dān)心于增加28nm工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)量。
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ARM將與Global Foundries合作開發(fā)生產(chǎn)20nm芯片

  • 　　近日，ARM和Global Foundries簽訂了一個長期協(xié)議，將一起研發(fā)生產(chǎn)下一代移動系統(tǒng)級(SoC)芯片。屆時，兩家公司將合力開發(fā)生產(chǎn)20nm芯片，并在生產(chǎn)過程中使用FinFET加工技術(shù)。另外，根據(jù)這個協(xié)議，ARM還需要著手開發(fā) Artisan Physical IP 平臺，其中包括電池庫、記憶卡及POP IP解決方案。 　　而研發(fā)生產(chǎn)出來的芯片將用于下一代的智能手機(jī)、平板電腦和超級本。 　　據(jù)報道，Global Foundries生產(chǎn)的20nm LPM技術(shù)將可提升芯片40%的性能表現(xiàn)。
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20nm是如何改變半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的

  • 　　芒果啤酒對于半導(dǎo)體設(shè)計與制造業(yè)有什么貢獻(xiàn)?我從未想象過，在一張來自世界各地的啤酒愛好者的表單中，果味啤酒會通過一項味覺測試。事實(shí)證明，芒果啤酒非常好!同樣的道理，20nm曾經(jīng)被認(rèn)為華而不實(shí)，不會投入量產(chǎn)，不會微縮，但事實(shí)證明20nm非常好。那些前沿的無晶圓廠商們6個月前還在撓頭糾結(jié)，現(xiàn)在已經(jīng)在規(guī)劃著明年第一季度20nm的流片了。 　　20nm工藝節(jié)點(diǎn)是電子產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。它帶來巨大的動力、性能和面積優(yōu)勢，同時帶來了光刻技術(shù)、可變性和復(fù)雜性等挑戰(zhàn)。然而令人欣慰的是，通過在端到端、集成設(shè)計流程中使用EDA
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GLOBALFOUNDRIES代工意法半導(dǎo)體28納米和20納米芯片

  • 　　意法半導(dǎo)體宣布，引領(lǐng)全球半導(dǎo)體技術(shù)升級的半導(dǎo)體代工廠商GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的FD-SOI(FullyDepletedSilicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的消費(fèi)者對智能手機(jī)和平板電腦的期望越來越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能，同時又不能犧牲電池壽命。在設(shè)備廠商滿足消費(fèi)者這些需求的努力中，意法半導(dǎo)體的FD-SOI芯片的量產(chǎn)和上市將起到至關(guān)重要的作用。 　　多媒體融合應(yīng)用需要性能
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28nm芯片供不應(yīng)求 或影響高端智能手機(jī)市場

  • 　　全球智能手機(jī)市場近幾年來出現(xiàn)爆發(fā)式增長，智能手機(jī)迅速對功能手機(jī)進(jìn)行更新?lián)Q代，高端智能手機(jī)的需求也同樣增長迅猛。但目前最高端的28納米尺寸芯片的缺貨，可能對高端智能手機(jī)的出貨產(chǎn)業(yè)影響。雖然日前分析家稱，蘋果公司下一代iPhone的發(fā)布計劃不會受到高通公司28納米芯片缺貨的影響，但高通公司13日也承認(rèn)28納米芯片供給吃緊，問題要等到今年10~12月才能得到緩解。 　　28納米芯片缺貨 　　隨著越來越多的人開始使用手機(jī)和平板電腦上網(wǎng)、玩游戲和看視頻，對移動設(shè)備芯片的需求也在增加。據(jù)美國市場研究公司com
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三星嫁西安，看上去很美

  • 　　最近，有關(guān)于三星存儲器生產(chǎn)項目落戶西安的新聞充斥網(wǎng)絡(luò)，引起了很大的爭議。 　　該項目是三星電子繼1996年于美國奧斯汀之后第二次在海外設(shè)立半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠，同時是三星電子海外投資史上最大的項目，也是我國西部地區(qū)迄今為止最大的外商投資高新技術(shù)項目。該項目主要包含20nm工藝存儲芯片生產(chǎn)線以及相關(guān)研發(fā)中心，三期預(yù)計總投資300億美元，第一期約70億美元，將坐落于西安市長安區(qū)興隆鄉(xiāng)，毗鄰西安電子科技大學(xué)，計劃今年開工，明年年底前投產(chǎn)。 　　爭議的焦點(diǎn)不在于三星此次投資的規(guī)模，而在于西安方面給出的優(yōu)惠政策。
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20nm制程后年來到：臺積電Fab 14五期動工

  • 　　根據(jù)官網(wǎng)消息，臺積電于今日在臺南科學(xué)工業(yè)園區(qū)舉行Fab 14超大型晶圓廠五期奠基儀式。此前本站曾經(jīng)報道臺積電Fab 14五期將可極大緩解28nm制程工藝產(chǎn)能不足的現(xiàn)狀，但從今日公告看來其意義遠(yuǎn)不僅僅如此。 　　臺積電稱，今日奠基的Fab 14五期將是臺積電繼新竹園區(qū)Fab 12六期之后第二座具備20nm制程工藝生產(chǎn)能力的超大型12英寸晶圓廠，預(yù)計將于2014年初進(jìn)行量產(chǎn)。兩座晶圓廠總無塵潔凈室面積高達(dá)87000平方米，超過11個足球場的面積，是一般2英寸晶圓廠的4倍。臺積電稱該公司的20nm制程工藝
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IBM/GF/三星聯(lián)合展望20nm、14nm

  • 　　通用平臺聯(lián)盟的三巨頭IBM、GlobalFoundries、三星電子將于今年3月14日(德國漢諾威CeBIT 2012展會之后一周)在加州圣克拉拉舉行2012年通用平臺技術(shù)論壇，主題是“預(yù)覽硅技術(shù)的未來”(previewing the future of silicon technology)。 　　屆時，三大巨頭將會聯(lián)合介紹在28nm、20nm、14nm等一系列新工藝技術(shù)上的發(fā)展和開發(fā)情況，同時還會展望下一代450毫米晶圓——比現(xiàn)在流行的300毫米大
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TSMC確認(rèn)將擴(kuò)大旗下Gigafab工廠20nm產(chǎn)能

  • 　　臺灣TSMC公司宣布，該公司目前已經(jīng)開始了旗下Fab15(Gigafab)工廠的phase3廠房建設(shè)，新廠房將會被用于20nm以及更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝。 　　TSMC于2010年7月開始了Fab15,phase1的建設(shè)，并于2011年年中完成了設(shè)備的安裝，計劃于2012年年初投入生產(chǎn)。與此同時，F(xiàn)ab15,phase2于2011年年中開始建設(shè)，計劃于明年投入生產(chǎn)。Fab15/1和Fab15/2預(yù)計將會每年帶來約30億美元的產(chǎn)值，而phase3在不久的未來也將會達(dá)到相似的規(guī)模。 　　TSMC公司主席Mo
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MRAM熱輔助寫入 為實(shí)現(xiàn)20nm以下工藝所必需

  • 　　法國研究機(jī)構(gòu)SPINTEC與開發(fā)MRAM技術(shù)的Crocus Technology共同開發(fā)出了將熱輔助切換(Thermally Assisted　Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技術(shù)。并在2011年10月31日于美國亞利桑那(Arizona)州斯科茨戴爾(Scottsdale)開幕的磁技術(shù)國際會議“56th MMM”的首日進(jìn)行了發(fā)布。 　　TAS技術(shù)是一項邊用加熱器對MTJ元件存儲層進(jìn)行加熱，邊寫入數(shù)據(jù)的技術(shù)。對存儲層進(jìn)行加熱后，矯頑力會
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GlobalFoundries 20nm工藝成功流片

  • 　　GlobalFoundries今天宣布，最新的20nm工藝試驗芯片已于近日成功流片，這也是新工藝發(fā)展之路上里程碑式的關(guān)鍵一步。 　　GlobalFoundries 20nm工藝使用了四家電子設(shè)計自動化(EDA)廠商的工藝流程，分別是Cadence Design Systems、Magma Design Automation、Mentor Graphics Corporation、Synopsys Inc.。 　
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20nm介紹

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