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全球首款!美光232層NAND客戶端SSD正式出貨

  • 12月15日,美光宣布,已開始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤(SSD)。據(jù)官方介紹,美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶端SSD,該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構(gòu),采用美光232層NAND技術(shù),加強(qiáng)了散熱架構(gòu)和低功耗設(shè)計(jì)。美光2550 SSD可在包括游戲、消費(fèi)和商用客戶端等主流PC平臺(tái)上提升應(yīng)用程序的運(yùn)行速度和響應(yīng)靈敏度。與競(jìng)品相比,2550 SSD文件傳輸速度快112%,辦公應(yīng)用運(yùn)行速度快67%,主流游戲加載速度快57%,內(nèi)容創(chuàng)
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業(yè)界首發(fā),美光232層NAND,開啟存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新浪潮

  • 如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低,同時(shí)容量更大的閃存產(chǎn)品,這是美光研發(fā)工程師每天都要應(yīng)對(duì)的挑戰(zhàn)。隨著各國(guó)對(duì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型和云遷移的重視,世界對(duì)存儲(chǔ)容量和性能的要求越來越大。美光正在迎接這一創(chuàng)新變局。這些變化體現(xiàn)在異構(gòu)計(jì)算、邊緣計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、金融系統(tǒng)實(shí)時(shí)大數(shù)據(jù)更新,以及移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、汽車信息娛樂系統(tǒng)帶來智能化沉浸式體驗(yàn)。美光232層NAND技術(shù)為這些高性能存儲(chǔ)應(yīng)用環(huán)境提供了可能。優(yōu)秀的架構(gòu),高效優(yōu)化存儲(chǔ)顆粒的使用空間和密度 美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構(gòu),通過增加NAN
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業(yè)界首發(fā),不二選擇:美光推出全球首款232層NAND

  • 半導(dǎo)體行業(yè)十分有趣,同時(shí)也充滿挑戰(zhàn)。俗話說,“打江山難,守江山更難”,這句話形容半導(dǎo)體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力,不斷突破物理、化學(xué)、制造和創(chuàng)新的極限,以推動(dòng)邏輯、內(nèi)存、存儲(chǔ)等計(jì)算器件的發(fā)展。如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低,同時(shí)容量更大的閃存技術(shù)是我們每天都要應(yīng)對(duì)的挑戰(zhàn)。美光憑借3D NAND新技術(shù)與率先推出的新產(chǎn)品再攀高峰,借此機(jī)會(huì)讓我們回顧美光取得的輝煌成就。 美光一直以來被公認(rèn)為3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商,之前我們推出了業(yè)內(nèi)首款176層替換柵極NAND技術(shù),再次
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美光出貨全球首款232層NAND,進(jìn)一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位

  • Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù),從而為存儲(chǔ)解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比,該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效,能為客戶端及云端等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供卓越支持。???美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示:“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴(kuò)展到超過 200 層,
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國(guó)產(chǎn)技術(shù)進(jìn)步:長(zhǎng)江存儲(chǔ)或跳過192層閃存 切入232層

  • 2016年成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ),于2017年通過自主研發(fā)和國(guó)際合作的方式,設(shè)計(jì)制造了首款3D NAND閃存。2019年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧 Xtacking架構(gòu)的第二代3D TLC閃存量產(chǎn),2020年,第三代TLC/QLC研發(fā)成功,推進(jìn)到128層3D堆疊。在閃存領(lǐng)域,通常將堆疊層數(shù)視作技術(shù)先進(jìn)程度的指標(biāo)。DT報(bào)道稱,業(yè)內(nèi)人士給出消息稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃跳過192層,直接切入232層閃存生產(chǎn)。根據(jù)此前韓國(guó)研究機(jī)構(gòu)OERI的一份報(bào)告,其表示中韓閃存技術(shù)差距目前已經(jīng)縮短至兩年,理由是三星和SK海力士明年初會(huì)量產(chǎn)超200層閃存,
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232層介紹

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