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Intel展示首款40萬(wàn)兆硅光子收發(fā)器：四束激光 24nm工藝

  • Intel發(fā)布了旗下首款100G 10萬(wàn)兆網(wǎng)卡，當(dāng)然這遠(yuǎn)不是重點(diǎn)，現(xiàn)在Intel又借助硅光子技術(shù)沖到了400G，也就是40萬(wàn)兆，證明了采用硅光子技術(shù)實(shí)現(xiàn)超高速網(wǎng)絡(luò)的可行性，在傳統(tǒng)技術(shù)之外開辟了新路。
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新技術(shù)讓24nm閃存壽命延長(zhǎng)13倍

  • 　　NAND閃存工藝技術(shù)不斷進(jìn)步，但是可靠性和使用壽命卻在倒退。盡管從理論上說依然足夠絕大多數(shù)人用上好幾年的，但這種趨勢(shì)終歸讓人很不爽。固態(tài)硬盤廠商STEC近日宣布了一項(xiàng)新技術(shù)“CellCare”，能讓NAND閃存的壽命一下子延長(zhǎng)多達(dá)13倍。 　　CellCare是一項(xiàng)硬件和固件綜合技術(shù)，核心內(nèi)容包括：每個(gè)內(nèi)核的閃存參數(shù)追蹤，可帶來更少的、受控的磨損;終生閃存管理，可減少磨損、控制性能、改進(jìn)性能、降低讀寫延遲;高級(jí)錯(cuò)誤糾正與數(shù)字信號(hào)處理，可改進(jìn)數(shù)據(jù)可靠性、最大程度減少重新讀取。
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東芝開始量產(chǎn)24nm工藝NAND閃存

  • 　　東芝公司宣布，即日起開始使用24nm工藝批量生產(chǎn)NAND閃存芯片，這也是該領(lǐng)域內(nèi)迄今為止最為先進(jìn)的制造技術(shù)。 　　東芝透露，24nm工藝已被用于生產(chǎn)世界上體積最小、存儲(chǔ)密度最高的2bpc(每單元兩個(gè)比特)MLC NAND閃存芯片，單顆容量64Gb(8GB)，今后還會(huì)使用同樣工藝制造32Gb(4GB)容量和3bpc規(guī)格的閃存芯片。 　　東芝表示，新工藝將進(jìn)一步減小芯片尺寸、提高生產(chǎn)效率，同時(shí)還支持Toggle DDR接口規(guī)范，有助于增強(qiáng)數(shù)據(jù)傳輸速度。 　　在此之前，Intel、美光合資的IM Fl
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