28納米文章進(jìn)入28納米技術(shù)社區(qū)

聯(lián)電28納米趕路苦今年獲利估降

　　聯(lián)電苦于追趕28納米制程進(jìn)度，法人擔(dān)憂公司市占率流失及競(jìng)爭(zhēng)力不足，對(duì)于聯(lián)電今年獲利預(yù)計(jì)低于去年，目前本土法人對(duì)聯(lián)電今年EPS預(yù)估由0.7元下調(diào)至0.4元左右。　　聯(lián)電已耗費(fèi)一年時(shí)間致力于提高28納米良率，但仍無法邁入穩(wěn)定量產(chǎn)階段，公司管理層也預(yù)估今年底28納米產(chǎn)品僅有個(gè)位數(shù)的營收貢獻(xiàn)度。法人擔(dān)憂聯(lián)電28納米制程進(jìn)展過慢，無法跟上變化快速的市場(chǎng)，恐導(dǎo)致今年市占率流失。法人認(rèn)為，聯(lián)電已錯(cuò)失智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等可攜式裝置的升級(jí)趨勢(shì);預(yù)期聯(lián)電未來兩季將面臨高階通訊產(chǎn)品需求疲弱、先進(jìn)制程市占率流失等問題
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卡位14/16nm市場(chǎng)　晶圓廠加碼FinFET研發(fā)

　　全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14納米FinFET后，臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀藉此一新技術(shù)，提供IC設(shè)計(jì)業(yè)者效能更佳的制造方案，搶占通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。　　鰭式電晶體(FinFET)已成為晶圓制造業(yè)者角逐未來行動(dòng)通訊市場(chǎng)的關(guān)鍵利器。為進(jìn)一步提升晶片效能并縮小尺寸，各家晶圓代工業(yè)者皆已挾不同的制程技術(shù)積極研發(fā)FinFET架構(gòu)，預(yù)計(jì)明后年即可開花結(jié)果，并開始挹注營收貢獻(xiàn)。　　在眾家晶圓廠中，
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晶圓代工龍頭臺(tái)積電28納米產(chǎn)能滿到明年

　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電受惠于行動(dòng)裝置芯片大量導(dǎo)入28納米制程，不僅第4季28納米產(chǎn)能利用率維持滿載，以目前手中掌握的訂單來看，就算明年新產(chǎn)能大量開出，仍可望滿載到明年下半年，持續(xù)推升營收及獲利成長。　　至于20納米亦可望在明年下半年順利進(jìn)入試產(chǎn)，并成為2014年的最大成長動(dòng)能。　　臺(tái)積電日前公布10月合并營收，達(dá)499.38億元，較9月大增15.2%，并再度創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。　　雖然外資圈看好臺(tái)積電本季營收將超標(biāo)，不過，臺(tái)積電仍維持先前法說會(huì)中的預(yù)期，預(yù)估第4季合并營收將落在1,290～1,3
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臺(tái)積28納米產(chǎn)能滿到明年

　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)受惠于行動(dòng)裝置芯片大量導(dǎo)入28納米制程，不僅第4季28納米產(chǎn)能利用率維持滿載，以目前手中掌握的訂單來看，就算明年新產(chǎn)能大量開出，仍可望滿載到明年下半年，持續(xù)推升營收及獲利成長。　　至于20納米亦可望在明年下半年順利進(jìn)入試產(chǎn)，并成為2014年的最大成長動(dòng)能。　　臺(tái)積電日前公布10月合并營收，達(dá)499.38億元，較9月大增15.2%，并再度創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。　　雖然外資圈看好臺(tái)積電本季營收將超標(biāo)，不過，臺(tái)積電仍維持先前法說會(huì)中的預(yù)期，預(yù)估第4季合并營收將落在1,2
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臺(tái)積電撥936億擴(kuò)充產(chǎn)能

　　晶圓龍頭臺(tái)積電(2330)昨天董事會(huì)通過約936億元資本預(yù)算擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能，與12寸超大晶圓廠廠房興建案，是近期電子業(yè)難得的大手筆動(dòng)作。　　龍頭大廠在先進(jìn)制程的擴(kuò)產(chǎn)腳步，不受下半年景氣回檔而停歇。外資高盛證券預(yù)期，臺(tái)積電今年資本支出將達(dá)95億美元，超乎公司預(yù)估的83億美元。　　在智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)下，臺(tái)積電以高資本支出策略，企圖甩掉三星、格羅方德等國際競(jìng)爭(zhēng)大廠。今年初，臺(tái)積電資本支出從60億美元資本支出上調(diào)至80至85億美元;上季法說，董事長張忠謀表示，年底為止的資本支出將落在
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首個(gè)DDR4 IP設(shè)計(jì)方案在28納米級(jí)芯片上獲驗(yàn)證

?　　全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(CadenceDesignSystems,Inc.)日前宣布，CadenceDDR4SDRAMPHY和存儲(chǔ)控制器DesignIP的首批產(chǎn)品在TSMC的28HPM和28HP技術(shù)工藝上通過硅驗(yàn)證。
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首個(gè)DDR4 IP設(shè)計(jì)解決方案在28納米級(jí)芯片上獲驗(yàn)證

　　全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.)日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存儲(chǔ)控制器Design IP的首批產(chǎn)品在TSMC的28HPM和28HP技術(shù)工藝上通過硅驗(yàn)證。　　為了擴(kuò)大在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)接口IP技術(shù)上的領(lǐng)先地位，Cadence在DDR4標(biāo)準(zhǔn)高級(jí)草案的基礎(chǔ)上，承擔(dān)并定制了多款28納米級(jí)晶片DDR PHY 和控制器的IP。DDR4標(biāo)準(zhǔn)建議稿預(yù)計(jì)在今年年底由固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JE
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AMD將發(fā)行5億美元優(yōu)先票據(jù)進(jìn)行融資

　AMD計(jì)劃將這筆資金用于一般企業(yè)目的和公司運(yùn)營資本，這包括：1)償付或回購部分或全部將于2012年到期的利率5.75%的高級(jí)可轉(zhuǎn)債;2)償付或回購部分或全部將于2015年到期的利率6.00%的高級(jí)可轉(zhuǎn)債;3)向GlobalFoundries支付現(xiàn)金，推動(dòng)28納米工藝產(chǎn)品的生產(chǎn);4)進(jìn)行可能的戰(zhàn)略合作。
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28納米營收占比提升平均晶圓報(bào)價(jià)看升

力拚28納米與40納米先進(jìn)制程，這類制程單價(jià)高，是推升雙雄營運(yùn)的「大補(bǔ)丸」。以臺(tái)積電為例，28納米貢獻(xiàn)營收比重從第1季的5%提升到第2季的7%，單季絕對(duì)營收貢獻(xiàn)金額接近90億元，第3季不排除突破100億元大關(guān)。
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中芯國際啟動(dòng)建設(shè)40－28納米集成電路生產(chǎn)線

　　中芯國際集成電路制造公司將與北京相關(guān)機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資72億美元，在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)建設(shè)兩條40-28納米12英寸集成電路生產(chǎn)線。前天，中芯國際北京公司二期項(xiàng)目合作框架簽字儀式舉行，市委書記劉淇，市委副書記、市長郭金龍出席簽字儀式。　　中芯國際是中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片制造企業(yè)，目前分別在北京、上海、天津建有多條8-12英寸集成電路生產(chǎn)線。其中北京的12英寸生產(chǎn)線自2002年啟動(dòng)建設(shè)以來，累計(jì)完成投資25.5億美元，月產(chǎn)12英寸晶圓片4.3萬片。為進(jìn)一步做強(qiáng)北京集成電路產(chǎn)業(yè)，市經(jīng)信委
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SpringSoft發(fā)表Laker定制IC設(shè)計(jì)平臺(tái)與全新模擬原型工具

全球EDA領(lǐng)導(dǎo)廠商SpringSoft日前宣布，現(xiàn)即提供Laker3?定制IC設(shè)計(jì)平臺(tái)與模擬原型(Analog Prototyping)工具。第三代熱銷的Laker產(chǎn)品系列對(duì)于模擬、混合信號(hào)、與定制數(shù)字設(shè)計(jì)與版圖，提供完整的OpenAccess(OA)環(huán)境，并在28與20納米的流程中，優(yōu)化其效能與互操作性。
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張忠謀：28納米客戶排隊(duì)搶產(chǎn)能

　　臺(tái)積電董事長張忠謀19日表示，臺(tái)積電28納米制程需求強(qiáng)勁，已有客戶排隊(duì)要產(chǎn)能，臺(tái)積電不排除調(diào)高今年資本支出。但這不代表所有半導(dǎo)體業(yè)者都一樣好，他維持今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)成長2%的看法不變。　　張忠謀19日應(yīng)輔大管理學(xué)院「永續(xù)成長論壇」邀請(qǐng)，演講「我如何看待大學(xué)教育」，并發(fā)表對(duì)臺(tái)積電近期狀況與半導(dǎo)體業(yè)看法。張忠謀透露，臺(tái)積電接單狀況佳，主要受惠智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)相關(guān)訂單強(qiáng)勁，這也讓臺(tái)積電市占率持續(xù)提升。　　臺(tái)積電28納米接單火熱，推升昨天股價(jià)再寫歷史新高，盤中最高來到84.2元，收盤價(jià)83.7元
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臺(tái)積電28納米估可占今年?duì)I收一成

　　臺(tái)積電28納米去年底量產(chǎn)后，良率問題謠言不斷，臺(tái)積電歐洲子公司總經(jīng)理馬塞德(Maria Marced)近日重申，28納米制程良率改善的進(jìn)度比40納米更好，28納米估可占今年?duì)I收一成。法人計(jì)算，臺(tái)積電今年?duì)I收在4,000億元以上，28納米今年貢獻(xiàn)400億元，穩(wěn)居同業(yè)第一。馬塞德上周出席歐洲一科技論提，接受媒體采訪時(shí)指出，臺(tái)積電28納米缺點(diǎn)密度減少的情況一直符合公司預(yù)期，比起40納米，28納米的改善情況甚至還更好。　　馬塞德表示，臺(tái)積電28納米占去年第四季營收2%比重，約21億元營業(yè)額，28納米占
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聯(lián)華電子與Kilopass簽訂長期技術(shù)藍(lán)圖合作協(xié)議

　　聯(lián)華電子與半導(dǎo)體邏輯NVM硅智財(cái)領(lǐng)導(dǎo)廠商Kilopass，日前共同宣布，雙方已拓展了原本既有的制造協(xié)議范疇。除了現(xiàn)有協(xié)議中的40納米低功耗制程之外，此次擴(kuò)展的部份將包含聯(lián)華電子55納米到0.13微米制程。未來計(jì)劃包括聯(lián)華電子28納米HKMG與Poly/SiON制程，也將視客戶需求而加入。此項(xiàng)技術(shù)藍(lán)圖可支持雙方客戶的尖端系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)，于廣泛的聯(lián)華電子制程平臺(tái)上，采用Kilopass的XPMTM、GustoTM、與IteraTMNVM產(chǎn)品。　　由Kilopass在嵌入式邏輯NVM技術(shù)上的領(lǐng)導(dǎo)地位，以
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良率和需求讓28納米制程遭受挑戰(zhàn)

　　盡管接下來幾年，晶圓制造領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)以高于整體芯片市場(chǎng)的速度成長，但Gartner和其它市場(chǎng)分析公司表示，該領(lǐng)域仍然面臨著來自先進(jìn)28nm制程節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)。　　特別是今天許多晶圓廠都在努力引進(jìn)32-nm/28-nm high-K金屬閘極(HKMG)CMOS制程，Gartner研究副總裁Bob Johnson說?！耙?8nm上制造塊狀硅HKMG很困難。所有的晶圓廠現(xiàn)在都遭遇良率和缺陷密度問題，”他表示。　　半導(dǎo)體設(shè)備制造商 KLA-Tencor 公司總裁兼CEO Richa
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28納米介紹

就是指制造工藝，比如說CPU，以前的制造工藝是130nm，后來又出現(xiàn)了90nm、45nm、30nm、22mn等，28nm好像是顯卡的制造工藝。 28納米工藝，指的是手機(jī)主板芯片里面的半導(dǎo)體溝道之間的距離，現(xiàn)在做到28納米了，之所以賣家要說這點(diǎn)，是科技進(jìn)步的表現(xiàn)，能做到越小，這方面的技術(shù)工藝越先進(jìn)，越小集成度越高，但是隨之而來會(huì)出現(xiàn)負(fù)面的效應(yīng)，耗能散熱的問題，電子通過的通道越窄，一來是工藝越難 [ 查看詳細(xì) ]

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賽靈思下一代28納米FPGA技術(shù)概述
賽靈思重新定義電源，性能和設(shè)計(jì)效率與三個(gè)創(chuàng)新的28納米FPGA系列：Virtex-7，KINTEX-7，Artix-7設(shè)備
低功耗28納米賽靈思7系列FPGA

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