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美光發(fā)布新款內(nèi)存：30nm工藝 用于超輕薄設(shè)備

  • ?　　三星昨日宣布量產(chǎn)面向下一代智能手機(jī)和平板機(jī)等便攜設(shè)備的3xnm 2GB LPDDR3內(nèi)存芯片，美光今天也宣布了另外一種DDR3內(nèi)存的登場(chǎng)：30nm工藝制造的DDR3L-RS DRAM已經(jīng)開始批量供應(yīng)，主要針對(duì)超極本、平板機(jī)等超輕薄計(jì)算設(shè)備。
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三星量產(chǎn)30nm制程內(nèi)存

  • 　　韓國(guó)三星公司近日宣布將開始量產(chǎn)基于30nm制程4Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的32GB內(nèi)存條，這款內(nèi)存條產(chǎn)品將主要面向云計(jì)算以及高檔服務(wù)器應(yīng)用。相比之前的40nm制程4Gb DDR3產(chǎn)品,三星30nm制程4Gb DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)出量可提升大約50%。 　　
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爾必達(dá)全面量產(chǎn)30nmDRAM

  • 　　日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器(Elpida Memory)宣布，將從2011年5月開始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺(tái)灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)的工廠。廣島工廠已經(jīng)開始生產(chǎn)30nmDRAM，2011年4～6月將把比例擴(kuò)大至20%、2011年7～9月擴(kuò)大至30%。而瑞晶工廠則計(jì)劃在2011年7～9月導(dǎo)入30nmDRAM技術(shù)，2011年7～9月將比例提高至50%、2011年10～12月迅速提高至100%。 　　爾必達(dá)從2010年9月開始開發(fā)30nmDRAM
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爾必達(dá)推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒

  • 　　最近，內(nèi)存顆粒的工藝進(jìn)步速度非?？欤钕冗M(jìn)的30nm工藝甚至已經(jīng)超過了處理器。在功耗與散熱方面也有了長(zhǎng)足的進(jìn)步。 　　今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達(dá)也成功開發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒，并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀(jì)錄。 　　據(jù)了解，爾必達(dá)這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率，可以在1.35V低電壓下實(shí)現(xiàn)1600MHz頻率。同時(shí)，其工作電流相比同廠40nm產(chǎn)品工作電流降低15%，待機(jī)電流下降10%。 　　爾必達(dá)聲稱該內(nèi)存顆粒是目前世界上體積最小的產(chǎn)品
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三星推出30納米制程SSD 支持TRIM

  • 　　三星今天公布了型號(hào)為470的SSD產(chǎn)品系列，它們分為64/128/256GB三個(gè)版本售價(jià)分別為199、399和699美元。這種SSD采用30nm MLC閃存打造，內(nèi)置雙控制器，支持TRIM，采用3Gbps的SATA接口連接，寫入和讀取速度分別為250和220MB/s，隨機(jī)讀取寫入性能為21000IOps和21000IOps，不過64GB版本的性能要稍低，寫入速度僅有170MB/s，隨機(jī)寫入性能為11000IOps。
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三星與東芝聯(lián)合 加快NAND Flash速度

  • 　　三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個(gè)合作計(jì)劃，旨在制定新規(guī)范推動(dòng)NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù)，這比目前版本的NAND閃存接口技術(shù)快了十倍，這項(xiàng)技術(shù)將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發(fā)的ONFI接口進(jìn)行直接競(jìng)爭(zhēng)，主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品。 　　三星和東芝公司目前供應(yīng)NAND快閃記憶體市場(chǎng)70%的貨源，因此它們?cè)谛袠I(yè)內(nèi)具有相當(dāng)大的話語(yǔ)權(quán)，這對(duì)他們的新規(guī)范計(jì)劃將非常有利。 　　三星上個(gè)月
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三星量產(chǎn)全球首款30nm級(jí)工藝2Gb DDR3內(nèi)存顆粒

  • 　　三星電子今天宣布，已經(jīng)開始在全球范圍內(nèi)首家采用30nm級(jí)工藝(30-39nm)批量生產(chǎn)2Gb DDR3內(nèi)存顆粒。三星稱，這種新工藝DDR3內(nèi)存顆粒在云計(jì)算和虛擬化等服務(wù)器應(yīng)用中電壓1.35V，頻率最高可達(dá)1866MHz，而在PC應(yīng)用中電壓為1.5V，皮哦年率最高2133MHz，號(hào)稱比DDR2內(nèi)存快3.5倍，相比于50nm級(jí)工藝的DDR3也要快1.55倍。 　　該顆粒屬于三星的綠色內(nèi)存系列，在服務(wù)器應(yīng)用中能比50nm級(jí)工藝產(chǎn)品節(jié)約最多20%的功耗，在多核心PC系統(tǒng)中30nm級(jí)工藝4GB DDR3內(nèi)存條
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三星宣布開始量產(chǎn)30nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　今年早些時(shí)候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內(nèi)存芯片的開發(fā)工作，而最近他們則宣布這款芯片產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數(shù)據(jù)傳輸率下，加壓到1.5V之后數(shù)據(jù)傳輸率則可提升至2133MHz，適用于 臺(tái)式機(jī)，筆記本，服務(wù)器，上網(wǎng)本，移動(dòng)設(shè)備的各種應(yīng)用。 　　三星表示目前他們正在開發(fā)4Gb密度的30nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，預(yù)計(jì)這款產(chǎn)品今年才會(huì)投入使用。
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三星發(fā)布全球首顆30nm級(jí)工藝DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級(jí)別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過客戶認(rèn)證。注意這里說的是30nm級(jí)別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級(jí)別的。 　　三星這種30nm工藝級(jí)DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標(biāo) 準(zhǔn)電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級(jí)可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內(nèi)存(Gree
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三星開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片

  • 　　三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。 　　即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機(jī)，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設(shè)備。 　　另外一款
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三星宣布開始量產(chǎn)兩種30nm制程N(yùn)AND閃存芯片

  • 　　三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。 　　即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機(jī)，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設(shè)備。 　　另外一款三
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