- ? 三星昨日宣布量產面向下一代智能手機和平板機等便攜設備的3xnm 2GB LPDDR3內存芯片，美光今天也宣布了另外一種DDR3內存的登場：30nm工藝制造的DDR3L-RS DRAM已經開始批量供應，主要針對超極本、平板機等超輕薄計算設備。
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美光 30nm
- 韓國三星公司近日宣布將開始量產基于30nm制程4Gb密度DDR3內存芯片的32GB內存條，這款內存條產品將主要面向云計算以及高檔服務器應用。相比之前的40nm制程4Gb DDR3產品,三星30nm制程4Gb DDR3內存芯片的產出量可提升大約50%。
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三星 30nm
- 日本爾必達存儲器(Elpida Memory)宣布，將從2011年5月開始全面量產采用30nm工藝的DRAM。生產基地是該公司的廣島工廠和臺灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)的工廠。廣島工廠已經開始生產30nmDRAM，2011年4～6月將把比例擴大至20%、2011年7～9月擴大至30%。而瑞晶工廠則計劃在2011年7～9月導入30nmDRAM技術，2011年7～9月將比例提高至50%、2011年10～12月迅速提高至100%。
爾必達從2010年9月開始開發(fā)30nmDRAM
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爾必達 30nm DRAM
- 最近，內存顆粒的工藝進步速度非?？欤钕冗M的30nm工藝甚至已經超過了處理器。在功耗與散熱方面也有了長足的進步。
今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達也成功開發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內存顆粒，并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀錄。
據了解，爾必達這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率，可以在1.35V低電壓下實現(xiàn)1600MHz頻率。同時，其工作電流相比同廠40nm產品工作電流降低15%，待機電流下降10%。
爾必達聲稱該內存顆粒是目前世界上體積最小的產品
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爾必達 DDR3 30nm
- 三星今天公布了型號為470的SSD產品系列，它們分為64/128/256GB三個版本售價分別為199、399和699美元。這種SSD采用30nm MLC閃存打造，內置雙控制器，支持TRIM，采用3Gbps的SATA接口連接，寫入和讀取速度分別為250和220MB/s，隨機讀取寫入性能為21000IOps和21000IOps，不過64GB版本的性能要稍低，寫入速度僅有170MB/s，隨機寫入性能為11000IOps。
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三星 30nm TRIM
- 三星和東芝公司已經宣布了一個合作計劃，旨在制定新規(guī)范推動NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術，這比目前版本的NAND閃存接口技術快了十倍，這項技術將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發(fā)的ONFI接口進行直接競爭，主要面向高性能產品例如SSD以及智能手機和消費電子產品。
三星和東芝公司目前供應NAND快閃記憶體市場70%的貨源，因此它們在行業(yè)內具有相當大的話語權，這對他們的新規(guī)范計劃將非常有利。
三星上個月
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三星 NAND 30nm
- 三星電子今天宣布，已經開始在全球范圍內首家采用30nm級工藝(30-39nm)批量生產2Gb DDR3內存顆粒。三星稱，這種新工藝DDR3內存顆粒在云計算和虛擬化等服務器應用中電壓1.35V，頻率最高可達1866MHz，而在PC應用中電壓為1.5V，皮哦年率最高2133MHz，號稱比DDR2內存快3.5倍，相比于50nm級工藝的DDR3也要快1.55倍。
該顆粒屬于三星的綠色內存系列，在服務器應用中能比50nm級工藝產品節(jié)約最多20%的功耗，在多核心PC系統(tǒng)中30nm級工藝4GB DDR3內存條
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三星電子 內存 30nm
- 今年早些時候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內存芯片的開發(fā)工作，而最近他們則宣布這款芯片產品已經進入批量生產階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數據傳輸率下，加壓到1.5V之后數據傳輸率則可提升至2133MHz，適用于 臺式機，筆記本，服務器，上網本，移動設備的各種應用。
三星表示目前他們正在開發(fā)4Gb密度的30nm制程DDR3內存芯片產品，預計這款產品今年才會投入使用。
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三星 30nm DDR3
- 三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內存芯片已經通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。
三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標 準電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內存(Gree
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三星電子 DRAM 30nm DDR3
- 三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司宣稱，這種產品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。
即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。
另外一款
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三星 30nm NAND
- 三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司宣稱，這種產品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。
即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。
另外一款三
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三星 30nm NAND
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