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三星35納米4Q出擊　臺(tái)DRAM廠以卵擊石

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續(xù)踩油門，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產(chǎn)，目標(biāo)2010年底占總產(chǎn)能達(dá)10%，由于從 35納米跳到46納米估計(jì)成本可再下降30%，屆時(shí)臺(tái)、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵擊石，加上臺(tái)廠新產(chǎn)能大量產(chǎn)出時(shí)間點(diǎn)亦多落在第4季，面對(duì)產(chǎn)能將大量開出，近期DRAM價(jià)格跌不停，特別是DDR3 eTT已傳出通路商價(jià)格殺至1.7美元，較同容量DDR2價(jià)格還要低。 　　近期DRAM合約價(jià)及現(xiàn)貨價(jià)均呈現(xiàn)極度疲軟，尤其在傳統(tǒng)旺季是相當(dāng)少見情況，甚至
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  35納米  
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35納米介紹

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