首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 35納米

三星35納米4Q出擊　臺(tái)DRAM廠以卵擊石

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續(xù)踩油門，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產(chǎn)，目標(biāo)2010年底占總產(chǎn)能達(dá)10%，由于從 35納米跳到46納米估計(jì)成本可再下降30%，屆時(shí)臺(tái)、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵擊石，加上臺(tái)廠新產(chǎn)能大量產(chǎn)出時(shí)間點(diǎn)亦多落在第4季，面對產(chǎn)能將大量開出，近期DRAM價(jià)格跌不停，特別是DDR3 eTT已傳出通路商價(jià)格殺至1.7美元，較同容量DDR2價(jià)格還要低。 　　近期DRAM合約價(jià)及現(xiàn)貨價(jià)均呈現(xiàn)極度疲軟，尤其在傳統(tǒng)旺季是相當(dāng)少見情況，甚至
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  35納米  
共1條 1/1 1

35納米介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條35納米!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對35納米的理解，并與今后在此搜索35納米的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473