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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d晶體管

英特爾 VS 三星 VS 臺(tái)積電,愈演愈烈

  • 隨著平面縮放優(yōu)勢(shì)的減弱,三維領(lǐng)域和新技術(shù)的代工競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。
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一文看懂3D晶體管

  •   隨著半導(dǎo)體制程工藝的發(fā)展,硅晶體管的局限逐漸被顯現(xiàn)出來(lái),為了摩爾定律繼續(xù)生效,業(yè)界推出了3D晶體管的的定義,而談到3D晶體管,就不能不談Intel的Tri-Gate晶體管和臺(tái)積電的FinFET制程。我們來(lái)深入了解一下吧。   讓硅半導(dǎo)體導(dǎo)電   硅半導(dǎo)體的特性就是它不導(dǎo)電,讀者們一定要問(wèn)如果它不導(dǎo)電那我們的芯片難不成是米糕做的?答對(duì)了,就是米糕!   水電工前輩們知道硅結(jié)晶呈現(xiàn)了很穩(wěn)定的四價(jià)鍵結(jié)構(gòu),所以晶體之中沒(méi)有什么自由電子活動(dòng)空間,如果沒(méi)有外力填充電子進(jìn)去或者填充電洞進(jìn)去是沒(méi)什么機(jī)會(huì)導(dǎo)電的。
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移動(dòng)芯片大比拼之工藝制程分析

  • 高通、三星、聯(lián)發(fā)科等廠商大家是耳熟能詳。而您知道嗎,移動(dòng)通信領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)是建立在核心通信芯片技術(shù)的發(fā)展上,更是建立在底層半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展上,而技術(shù)的更新?lián)Q代才能催生芯片的不斷優(yōu)化升級(jí),讓我們了解下支撐芯片廠商的巨人——專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)公司及其工藝制程吧......
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元器件入門(mén)分享之3D晶體管基礎(chǔ)知識(shí)大放送

  • 一、3D三維晶體管的概念3D三維晶體管,從技術(shù)上講,應(yīng)該是三個(gè)門(mén)晶體管。傳統(tǒng)的二維門(mén)由較薄的三維硅鰭(fin)所...
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英特爾開(kāi)始為一線芯片廠代工:下單或瞄準(zhǔn)蘋(píng)果

  •   2月26日,英特爾宣布將利用即將推出的14納米3D晶體管技術(shù)為芯片廠商Altera代工可編程芯片,這也是英特爾迄今為止簽訂的最引人關(guān)注的代工協(xié)議。   “這向我們期望中的業(yè)務(wù)水平邁出了一步。毫無(wú)疑問(wèn),代工今后將成為一項(xiàng)重要業(yè)務(wù)。”英特爾代工業(yè)務(wù)副總裁兼總經(jīng)理桑尼特·里克希(Sunit Rikhi)說(shuō)。   為一線客戶(hù)代工   芯片廠商Altera是可編程芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商,年銷(xiāo)售達(dá)到40億至50億美元,過(guò)去曾是臺(tái)灣芯片代工廠商臺(tái)積電的前五大客戶(hù)。雙方合作關(guān)系
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英特爾深入探討3D晶體管、Ultrabook關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)

  • 英特爾初步揭示了22nm工藝技術(shù),它采用了眾所期盼的3D晶體管設(shè)計(jì)──稱(chēng)之為三柵極──自2002年起英特爾便一直就該技術(shù)進(jìn)行開(kāi)發(fā)。而在本周的IDF中,英特爾預(yù)計(jì)將公布更多有關(guān)首款22nm芯片的細(xì)節(jié),該芯片預(yù)計(jì)今年底可進(jìn)
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未來(lái)處理器基石! 3D晶體管讓摩爾定律延續(xù)

  • 眾所周知,從1965年至今,摩爾定律主導(dǎo)了半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展。半導(dǎo)體芯片工藝水平以驚人的速度提高,帶給我們愈發(fā)精彩的IT生活。但是,行至現(xiàn)今,摩爾定律面臨著嚴(yán)重挑戰(zhàn)。未來(lái)處理器的發(fā)展,究竟如何讓摩爾定律延續(xù)?
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3D晶體管未必是英特爾在移動(dòng)市場(chǎng)的“救命稻草”

  •   英特爾(Intel)日前大動(dòng)作地發(fā)表了其年度科技大突破,號(hào)稱(chēng)其3D三閘(Tri-Gate)晶體管技術(shù),將可望為其進(jìn)軍行動(dòng)處理器市場(chǎng),鋪下一條平坦大道,但根據(jù)ZDNet網(wǎng)站引述市調(diào)研究機(jī)構(gòu)Gartner分析師的意見(jiàn)指出,英特爾在通訊技術(shù)方面的發(fā)展,屢戰(zhàn)屢敗,這對(duì)于英特爾企圖稱(chēng)霸智能型手機(jī)市場(chǎng)處理器的雄心,可說(shuō)是一大挑戰(zhàn)。   
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ARM:不懼怕Intel 3-D晶體管

  •   Intel上周宣布了革命性的3-D Tri-Gate三柵極晶體管技術(shù),“重新發(fā)明晶體管”的說(shuō)法雖有夸張但也令人贊嘆。對(duì)此,作為老對(duì)頭的AMD還沒(méi)有做出任何回應(yīng),不過(guò)近來(lái)勢(shì)頭兇猛的ARM倒是發(fā)言了。ARM市場(chǎng)部執(zhí)行副總裁Ian Drew表示:“對(duì)我們來(lái)說(shuō),這一宣布并沒(méi)什么意外,因?yàn)槲覀兌贾?,整個(gè)產(chǎn)業(yè)也都明白,Intel已經(jīng)在這種技術(shù)上工作了很多年。你必須時(shí)刻緊盯競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,但我們相信ARM生態(tài)系統(tǒng)的力量足夠與之競(jìng)爭(zhēng)?!?   
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業(yè)界不懼英特爾3D晶體管來(lái)勢(shì)洶涌

  •   英特爾(Intel)于日前宣布芯片設(shè)計(jì)創(chuàng)新,外界認(rèn)為,主要是為擺脫英國(guó)芯片大廠ARM的威脅。ARM對(duì)英特爾在微處理器行業(yè)的統(tǒng)治地位構(gòu)成挑戰(zhàn)。   銷(xiāo)售收入居全球第1的芯片生產(chǎn)商英特爾,于5日公布最新3D三閘晶體管技術(shù)。該公司估計(jì),此設(shè)計(jì)有望讓自己領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手3年。  
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臺(tái)積電:成本下降構(gòu)架成熟后會(huì)導(dǎo)入3D晶體管

  •   英特爾日前宣布完成芯片技術(shù)重大突破,將導(dǎo)入三維晶體管的芯片技術(shù)在22 納米制程生產(chǎn)新款微處理器。臺(tái)積電研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義對(duì)此表示,在成本下降、上下游技術(shù)架構(gòu)建立后,臺(tái)積電即會(huì)導(dǎo)入三維晶體管。   
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臺(tái)積電稱(chēng)3D晶體管技術(shù)基礎(chǔ)條件尚不成熟

  •   臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,TSM,簡(jiǎn)稱(chēng):臺(tái)積電)周四表示,在2D芯片容量達(dá)到極限之前,公司不會(huì)啟用3D晶體管技術(shù)生產(chǎn)半導(dǎo)體,而且3D技術(shù)的基礎(chǔ)條件尚不成熟。   
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英特爾發(fā)布3D晶體管技術(shù)延伸摩爾定律

  •   當(dāng)蘋(píng)果的iPad與iPhone拿在手里時(shí),感覺(jué)如今的生活在移動(dòng)中變得非常方便。然而蘋(píng)果公司是全球半導(dǎo)體業(yè)中的最大客戶(hù),估計(jì)它在2011年中會(huì)消耗掉200億美元的半導(dǎo)體,約占整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的6%。此外,大約70%的蘋(píng)果公司芯片需求或折算約140億美元的市場(chǎng)需求都是采用NAND閃存、DRAM以及先進(jìn)邏輯芯片,所以?xún)H蘋(píng)果公司一家的芯片需求大約需要兩到三個(gè)大型的晶圓廠來(lái)完成?!?/li>
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英特爾3D晶體管芯片將先在美國(guó)和以色列量產(chǎn)

  •   英特爾大連芯片廠總經(jīng)理柯必杰昨天透露,英特爾內(nèi)部目前具備22納米、3維晶體管芯片生產(chǎn)能力的工廠有5個(gè),它們分別是在美國(guó)俄勒岡州的試驗(yàn)線D1D和D1C,在美國(guó)亞利桑那州的Fab-12和Fab-32,以及在以色列的Fab-28。  
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英特爾發(fā)布3D晶體管技術(shù) 助推22納米明年量產(chǎn)

  •   英特爾公布重大技術(shù),下一代處理器基于3D晶體管。那么,3D晶體管的精確定義及其重要性是什么呢?下面我們對(duì)此作出解答。   3D的確切含義是什么?   英特爾稱(chēng)之為3D晶體管,但從技術(shù)上講,這是三門(mén)晶體管。傳統(tǒng)的二維門(mén)由較薄的三維硅鰭所取代,硅鰭由硅基垂直伸出。   何謂硅鰭?   門(mén)包裹著硅鰭。硅鰭的三面都由門(mén)包裹控制,頂部包裹一個(gè)門(mén),側(cè)面各包裹一個(gè)門(mén),共包裹三個(gè)門(mén)。2D二維晶體管只有頂部一個(gè)門(mén)包裹控制。英特爾對(duì)此解釋簡(jiǎn)單明了:“控制門(mén)增加,晶體管處于‘開(kāi)&rsqu
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3d晶體管介紹

英特爾下一代處理器技術(shù)將基于3D晶體管,英特爾稱(chēng)之為3D晶體管,但從技術(shù)上講,這是三門(mén)晶體管。傳統(tǒng)的二維門(mén)由較薄的三維硅鰭所取代,硅鰭由硅基垂直伸出。 [ 查看詳細(xì) ]

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