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紫光集團(tuán)深耕芯片產(chǎn)業(yè)鏈上下游 長江存儲3DNAND存儲芯片今年量產(chǎn)

  • 　　自5月8日起，紫光國芯的證券簡稱由“紫光國芯”變更為“紫光國微”。公告稱，公司在紫光集團(tuán)“從芯到云”總體戰(zhàn)略的部署下，從事集成電路設(shè)計相關(guān)業(yè)務(wù)。而這一變更是為了進(jìn)一步反映公司所處行業(yè)，明確了紫光國微聚焦微電子領(lǐng)域的核心業(yè)務(wù)定位。 　　在國內(nèi)芯片企業(yè)中，紫光集團(tuán)布局較廣，涉及產(chǎn)業(yè)鏈上的設(shè)計、生產(chǎn)到封測等環(huán)節(jié)，但國內(nèi)整體芯片布局處于比較早期階段。 　　“我們現(xiàn)在基本上完成了面上的一個布局，但是在更多細(xì)節(jié)上進(jìn)入到高端還有
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3D NAND技術(shù)工藝發(fā)展與主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)探討

  • 3D NAND技術(shù)工藝發(fā)展與主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)探討-本文為您講述ROM存儲介質(zhì)3D NAND技術(shù)工藝的發(fā)展，現(xiàn)階段主流的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，包括傳統(tǒng)eMMC，三星和蘋果提出的UFC標(biāo)準(zhǔn)和NVMe標(biāo)準(zhǔn)。
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中國“注血”三年 解芯片技術(shù)落后之憂

  • 2014年我國成立集成電路大基金以來，我國斥巨資打造芯片強(qiáng)國，這條路越來越順，理想也越來越接近。
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3D NAND這么火，比2D NAND到底優(yōu)秀在哪？

  • 如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價，閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競爭，以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。
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全球3D NAND大軍技術(shù)對決 下半年產(chǎn)出可望大增

  • 　　2017年將是3DNANDFlash應(yīng)用市場快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(SamsungElectronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競爭力的64層3DNANDFlash加入競局，SK海力士(SKHynix)更一舉跳到72層3DNANDFlash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉(zhuǎn)換，良率仍不穩(wěn)定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NANDFlash市場大缺貨，業(yè)者預(yù)期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開啟3DNANDFlash時代。三星在2016年底宣布量產(chǎn)64層3DN
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中國存儲業(yè)的“春天”來了？

  • 目前說中國存儲器業(yè)的”春天”已經(jīng)到來可能還為時尚早，確切地說，應(yīng)該是中國的半導(dǎo)體業(yè)一定要跨入全球存儲器的行列之中。
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紫光旗下長江存儲自己造內(nèi)存：世界頂級水平！

  • 　　據(jù)業(yè)內(nèi)消息稱，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲技術(shù)公司(YMTC)正在規(guī)劃開發(fā)自己的DRAM內(nèi)存制造技術(shù)，而且可能直奔當(dāng)今世界最先進(jìn)的20/18nm工藝。 　　長江存儲技術(shù)公司是紫光集團(tuán)收購武漢新芯部分股權(quán)后更名而來的，并邀請了臺灣華亞科技董事長高啟全(CharlesKau)加盟，出任全球執(zhí)行副總裁。 　　據(jù)高啟全披露，長江存儲致力于開發(fā)自己的存儲芯片，除了3DNAND閃存之外，還組建了500人的研發(fā)團(tuán)隊，攻關(guān)DRAM內(nèi)存制造技術(shù)。 　　同時，長江存儲還將繼續(xù)與好伙伴美光合作，互助互利，這對于其實現(xiàn)技術(shù)突
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存儲器國產(chǎn)化？堅持下去才有希望

  • 投資沒耐心是制約中國半導(dǎo)體發(fā)展的重要因素，很多投資人或企業(yè)想要三五年就獲得回報，很難實現(xiàn)，半導(dǎo)體制造行業(yè)投資成功在中國可能需要十年左右的時間，不過拋開主觀愿望，中國要想真正建立屬于自己的記憶體產(chǎn)業(yè)，還需要可靠的知識產(chǎn)權(quán)來源與工程技術(shù)人才。
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