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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d dtof

NAND閃存市場持續(xù)高漲，NAND閃存市場持續(xù)高漲，2020年將超DRAM

  • 9月6日，深圳市閃存市場資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國存儲·全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)，本文根據(jù)部分會議內(nèi)容整理了國內(nèi)外NAND閃存及部分非易失存儲器市場信息。
  • 關(guān)鍵字： 閃存  NAND  3D Xpoint  201710  

東芝宣布出售予美日聯(lián)盟，加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星

  • 　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導(dǎo)體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權(quán)業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟，，由于此出售案較預(yù)期延宕，對于NAND Flash市場的產(chǎn)能影響，預(yù)期要到明年上半年才會趨于明顯;中長期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。 　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)(INCJ)財團、
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  東芝  

3D Touch步入市場應(yīng)用關(guān)鍵期 NDT今年將出貨1000萬片

  • 　　“3D Touch從今年開始將邁入實質(zhì)性進(jìn)展的一年。”自2015年Apple Watch最早采用Force Touch，隨后iPhone 6s/6s Plus問世，帶來了我們熟知的3D Touch，壓力觸控技術(shù)開始由平面轉(zhuǎn)向三維，給人機交互帶來了新風(fēng)潮。 　　然而，在iPhone 6s推出前后，包括中興、華為、HTC、小米、金立等手機廠商都有推出支持3D Touch功能的新品，但整個市場依舊涇渭分明，不溫不火。 　　跟風(fēng)蘋果3D Touch但受兩大因素限制 　　自蘋果把3
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3D NAND究竟出了什么問題？

  • 3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  存儲器  

3D電影比比皆是，你真的懂3D是什么原理嗎？

  • 3D電影現(xiàn)在比比皆是，相必大家都不陌生了吧，但是你知道3D的原理嗎?不知道的話，就隨小編一起來學(xué)習(xí)一下吧~~~
  • 關(guān)鍵字： 3d原理  3D  

基于3D帽舌助宇航員進(jìn)行太空手術(shù)

  • 近日科學(xué)家為身在國際空間站或者執(zhí)行火星任務(wù)的宇航員研發(fā)了一種虛擬現(xiàn)實3D帽舌。佩戴該帽舌的宇航員可以看到覆蓋在現(xiàn)實世界之上的虛擬圖像，后者能夠輔助宇航員獨自進(jìn)行外科手術(shù)治療疾病。
  • 關(guān)鍵字： 3D  太空手術(shù)  創(chuàng)新技術(shù)  

基于3D全息投影技術(shù)助力遠(yuǎn)程醫(yī)療

  • 加拿大皇后大學(xué)人類媒體實驗室研究員研發(fā)成功的“TeleHuman”3D全息投影設(shè)備，能將科幻片中經(jīng)常出現(xiàn)的3D虛擬投影變成現(xiàn)實。這款設(shè)備開發(fā)本意就是用3D全息影像來代替現(xiàn)有的平面視頻會議.
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移動通信發(fā)展與天線技術(shù)的創(chuàng)新

  • 隨著移動互聯(lián)網(wǎng)的持續(xù)發(fā)展以及物聯(lián)網(wǎng)的高速增長，移動寬帶技術(shù)不斷向前演進(jìn)。移動寬帶技術(shù)的發(fā)展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年，全球移動用戶連 接數(shù)預(yù)計將達(dá)到70億，覆蓋全球96%以上的人口，其中3G和4G移動用戶連接數(shù)之和也將達(dá)到24億，占據(jù)全球總量的三分之一以上。這些數(shù)據(jù)表明MBB業(yè) 務(wù)正在快速增長。
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3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

  • 　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。 　　3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)

  • 　　三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 　　三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。 　　新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設(shè)備。 　　市調(diào)機構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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發(fā)展3D NAND閃存的意義

  • “首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  3D NAND  DRAM  20170203  

迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠43億美元

  • 　　據(jù)海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。 　　Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費用。 　　三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流

  • 容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比，預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容量SSD將成為各式系統(tǒng)設(shè)備及消費者的優(yōu)先選擇。
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  SSD  

汽車車載3D技術(shù)應(yīng)用助力實現(xiàn)安全駕駛

  • 3D并不是什么新技術(shù)，在消費電子領(lǐng)域已有廣泛的應(yīng)用，但在汽車應(yīng)用中卻處于起步階段，仍需要相關(guān)技術(shù)和解決方案有所突破。以汽車安全駕駛應(yīng)用為
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲

  • 　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 　　根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  3D XPoint  
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