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研發(fā)主管U盤拷走Intel技術(shù)機密：獻給對手

　　Intel風生水起的Optane傲騰產(chǎn)品是基于3D Xpoint存儲芯片打造的，而該技術(shù)其實是Intel和美光合研所得。不過，Intel和美光已經(jīng)宣布，將在今年上半年完成第二代3D Xpoint芯片開發(fā)后分道揚鑣，同時，該存儲芯片誕生地、Intel美光合資的IM Flash工廠，也已經(jīng)被美光全資收購，今年底交割完成。　　然而，關(guān)于3D Xpoint，Intel和美光之間還正爆發(fā)著一場官司?！　〖又輺|區(qū)法院3月22公布的法庭裁定顯示，Intel前研發(fā)經(jīng)理Doyle Rivers被要求不得擁有、使
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STRATASYS攜最新3D打印解決方案和高級新型材料亮相2019年TCT亞洲展

3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys（Nasdaq：SSYS）今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會（TCT Asia 2019），以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會期間，Stratasys所展示的體素級3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料，能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限，大幅降低生產(chǎn)耗時及人工成本，滿足客戶多元化的專業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級的行業(yè)盛會，匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展
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Stratasys攜最新3D打印方案和高新材料亮相TCT亞洲展

3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys（Nasdaq：SSYS）今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會（TCT Asia 2019），以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會期間，Stratasys所展示的體素級3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料，能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限，大幅降低生產(chǎn)耗時及人工成本，滿足客戶多元化的專業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級的行業(yè)盛會，匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展和最新應(yīng)用，
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CES 2019：英特爾推出5G芯片躋身無線基站

CES 2019展會上，英特爾宣布了因應(yīng)5G時代的“Snow Ridge”。此外，該公司還同時發(fā)布了10nm工藝的下代桌面和移動處理器Ice Lake、服務(wù)器處理器Ice Lake、Foveros 3D立體封裝處理器Lakefield。
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2018年三大手機創(chuàng)新技術(shù)：屏下指紋/前后雙屏/3D ToF

2018年，手機廠商在圍繞提升屏占比、充電速度、拍照素質(zhì)等方面上都有不少突破和嘗試。衍生出滑蓋屏、水滴屏、打孔屏的設(shè)計，充電速度最高也提升到了50W、拍照則出現(xiàn)各種“超級夜景”，這些設(shè)計與創(chuàng)新為消費者提供了更多的選擇，但這些創(chuàng)新相比上述三種，它們出現(xiàn)并沒有讓消費者對手機的使用體驗有著超預(yù)期的提升，實用但并不令人心生向往。
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突破瓶頸，英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)

2018年12月11日，以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學術(shù)界的專家，就數(shù)據(jù)洪流時代下，企業(yè)如何實施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價值，變數(shù)據(jù)資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開深入探討。
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產(chǎn)業(yè)高點已過，2019年閃存價格恐跌40%

　　CINNOResearch對閃存供應(yīng)商及其上下游供應(yīng)鏈調(diào)查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下，NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇，各家廠商以更為積極的降價來刺激出貨成長，也因此第三季度閃存平均銷售單價普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系，第三季成長幅度來到20-25%，整體第三季閃存產(chǎn)值達到172億美元，季成長約為5%，值得注意的是，也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
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e絡(luò)盟3D打印產(chǎn)品線再添新供應(yīng)商MakerGear

　　全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商e絡(luò)盟宣布新增MakerGear系列 3D 打印機，進一步擴充其 3D 打印產(chǎn)品陣列。MakerGear是 3D 打印系統(tǒng)技術(shù)和市場領(lǐng)航者，其打印機旨在加速終端應(yīng)用部件和設(shè)備的原型設(shè)計及生產(chǎn)?！　　癕akerGear打印機的設(shè)計、構(gòu)建、制造和檢驗均符合業(yè)界標準，確保為專業(yè)人士和創(chuàng)客提供最優(yōu)性能?！?Premier Farnell 和 e絡(luò)盟全球測試和工具主管 James McGregor表示，“作為開發(fā)服務(wù)分銷商，我們致力于為客戶進行創(chuàng)新設(shè)計、加快產(chǎn)品研發(fā)上市速度提供技術(shù)
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基本半導(dǎo)體成功主辦第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇

　　10月24日，由青銅劍科技、基本半導(dǎo)體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行。　　本屆高峰論壇和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達成戰(zhàn)略合作，與第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇同期舉行，來自中國、歐洲及其他國家的專家學者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺論劍，給現(xiàn)場觀眾帶來了一場第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛宴?！　×⒆銍H產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，從全球視角全面探討第三代半導(dǎo)體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰(zhàn)，以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇舉辦的宗旨。目
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晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額

　　近日國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位。　　2014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長，目前已成為全球半導(dǎo)體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設(shè)項目，代工廠、DRAM和3D
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STRATASYS推出碳纖維3D打印機滿足日益激增的碳纖維應(yīng)用需求

隨著各行各業(yè)越來越多的公司開始使用復(fù)合材料，3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者Stratasys（Nasdaq：SSYS）正式發(fā)售價格實惠的碳纖維填充尼龍12材料專用增材制造系統(tǒng)。該工業(yè)級Fortus 380mc碳纖維3D打印機曾在今年3月首次亮相，目前已經(jīng)面向全球市場正式出貨，國內(nèi)售價53萬元人民幣（含稅）。
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盤點值得一看的未來新型電池技術(shù)

顯然，我們不是第一次探討未來電池技術(shù)。在鋰電池無法獲得更大突破的情況下，科學家和技術(shù)人員紛紛著手研發(fā)新的電池技術(shù)，如石墨烯、鈉離子、有機電池
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3D圖形芯片的算法原理是什么樣的？

一、引言3D芯片的處理對象是多邊形表示的物體。用多邊形表示物體有兩個優(yōu)點：首先是直接(盡管繁瑣)，多邊形表示的物體其表面的分段線性特征除輪廓外可
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3D SiC技術(shù)閃耀全場，基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

　　6月26日-28日，基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會?！　』景雽?dǎo)體展臺以充滿科技感和未來感的藍白為主色調(diào)，獨有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內(nèi)外參展觀眾的眼球?！　∪颡殑?chuàng)3D SiC?技術(shù)　　展會期間，基本半導(dǎo)體技術(shù)團隊詳細介紹了公司獨創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù)，該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過外延生長結(jié)構(gòu)取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計靈活性也有利于實現(xiàn)高電流密度的
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紫光對3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

在“2018中國半導(dǎo)體市場年會暨IC中國峰會”上，紫光集團有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時間，紫光進入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
關(guān)鍵字：存儲器 3D NAND 自主可控 201807