3d芯片文章進(jìn)入3d芯片技術(shù)社區(qū)

混合鍵合在3D芯片中發(fā)揮著重要作用

上周，IEEE電子元件與技術(shù)會議（ECTC）的研究人員推動了一項對尖端處理器和存儲器至關(guān)重要的技術(shù)。該技術(shù)被稱為混合鍵合，將兩個或多個芯片堆疊在同一封裝中，使芯片制造商能夠增加其處理器和存儲器中的晶體管數(shù)量，盡管曾經(jīng)定義摩爾定律的傳統(tǒng)晶體管收縮速度普遍放緩。來自主要芯片制造商和大學(xué)的研究小組展示了各種艱苦奮斗的改進(jìn)，包括應(yīng)用材料公司、Imec、英特爾和索尼在內(nèi)的一些研究小組顯示的結(jié)果可能導(dǎo)致3D堆疊芯片之間的連接密度達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的密度，即在一平方毫米的硅中約有700萬個鏈接。Imec設(shè)法在每2微米放置一次的
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默克：3D芯片是摩爾定律物理極限的最佳解答

　　隨著半導(dǎo)體先進(jìn)制程持續(xù)往5奈米、3奈米逼近的同時，摩爾定律也正逐漸走向物理極限。制程的微縮不只越來越困難，耗用的時間也越來越長，成本也越走越高。這使得半導(dǎo)體也必須從材料端與封裝端來打破制程技術(shù)的限制，并達(dá)到技術(shù)上的突破。也由于臺灣的半導(dǎo)體實力在全世界有目共睹，這使得默克決定在臺灣高雄成立其亞洲地區(qū)集成電路材料應(yīng)用研究與開發(fā)中心。　　默克研發(fā)中心的重點領(lǐng)域，包括用于薄膜制程的CVD/ALD材料，和用于后段封裝連接和黏晶的導(dǎo)電膠。默克對此研發(fā)中心的投資超過280萬歐元(約1億新臺幣)，此研發(fā)中心同時與
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3D集成系統(tǒng)的測試自動化

封裝技術(shù)的進(jìn)步推動了三維(3D)集成系統(tǒng)的發(fā)展。3D集成系統(tǒng)可能對基于標(biāo)準(zhǔn)封裝集成技術(shù)系統(tǒng)的性能、電源、功能密度和外形尺寸帶來顯著改善。雖然這些高度集成系統(tǒng)的設(shè)計和測試要求仍在不斷變化，但很顯然先進(jìn)的測試自
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3D芯片設(shè)計趨于成熟　半導(dǎo)體未來走向整合開發(fā)

　　電子系統(tǒng)層級(ESL)和高階合成(HLS)方案試圖以硬體取代軟件。法新社在過去，由于軟件內(nèi)容不多、產(chǎn)品制備不容易延滯，開發(fā)業(yè)者會先設(shè)計硬體，再完成軟件設(shè)計。時至今日，軟件內(nèi)容大增，軟件設(shè)計逐漸比硬體占更多時間與成本，且是產(chǎn)品功能重要實現(xiàn)關(guān)鍵。　　軟件功能受到重視之甚，使得硬體開始被視為支援軟件最佳化之平臺。現(xiàn)在許多開發(fā)業(yè)者會先設(shè)計軟件，并依據(jù)成本、功耗、存儲器容量、體積等軟件效能限制，去建造支援該軟件的硬體設(shè)計。　　軟、硬體不只是技術(shù)層面需要顧及，還牽涉到公司結(jié)構(gòu)問題，傳統(tǒng)公司部門分化根深蒂固
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美光轉(zhuǎn)向3D芯片 40億美元擴(kuò)建工廠

　　傳統(tǒng)的平面閃存在16/15nm工藝之后面臨瓶頸，廠商開始轉(zhuǎn)向3D閃存，這其中三星動作最快，去年就已經(jīng)開始量產(chǎn)第二代V-NAND閃存了，850 Pro及850 Evo硬盤也上市了。東芝/閃迪系也在跟進(jìn)，在日本擴(kuò)建Fab 2工廠準(zhǔn)備3D閃存生產(chǎn)，Intel/美光系去年底也公開了他們的3D NAND閃存，現(xiàn)在也準(zhǔn)備量產(chǎn)了。日前美光宣布投資40億美元擴(kuò)建新加坡的Fab 10晶圓廠，明年底開始量產(chǎn)第二代3D NAND閃存。　　 ? 　　美光斥資40億美元升級Fab 10X晶圓廠生產(chǎn)3D N
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腦科學(xué)屆的革命：3D芯片精確控制腦神經(jīng)

　　用光精確地控制神經(jīng)元可以在腦科學(xué)研究和腦疾病治療方面掀起一場革命。　　光遺傳學(xué)把光敏基因和光源結(jié)合在一起，用來選擇性地打開或關(guān)閉大腦。光遺傳學(xué)已經(jīng)成為有希望的研究工具和潛在療法。不過，這一技術(shù)大部分時候只把光打到某個點上，而腦部活動經(jīng)常包括不同區(qū)域以復(fù)雜的順序被激活。一個新的設(shè)備可以讓光遺傳學(xué)變成三維技術(shù)，把光的模式發(fā)送到腦部不同坐標(biāo)的神經(jīng)元上。　　“在接下來的幾年里，會出現(xiàn)大量的類似設(shè)備，”布朗大學(xué)納米光學(xué)和神經(jīng)工程實驗室(Nanophotonics and Neur
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三星將3D芯片制造技術(shù)授權(quán)給GlobalFoundries

　　4月18日消息，據(jù)路透社報道，三星電子周五表示，公司已將最新的芯片制造技術(shù)授權(quán)給美國制造商GlobalFoundries。此舉旨在幫助后者改善生產(chǎn)力，以提高其在面對像蘋果這樣的大訂單時與臺積電的競爭力。　　GlobalFoundries是全球第二大合同芯片制造商。而根據(jù)周五公布的聲明，該公司如今已從三星獲得了3D芯片制造工藝的授權(quán)，或稱為FinFET。　　三星已計劃在今年第四季度展開14納米工藝的FinFET量產(chǎn)。公司希望不斷提高產(chǎn)能，以滿足當(dāng)前日趨增加的市場需求。　　3D晶體管比傳統(tǒng)平面
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3D芯片時代將至光學(xué)檢測設(shè)備應(yīng)用空間擴(kuò)大

　　美商陸得斯科技(RudolphTechnologies,Inc.)指出，到了3D晶片時代，矽鉆孔(TSV)、微凸塊(microbumping)等半導(dǎo)體制程技術(shù)越趨復(fù)雜，每一道程式的精密控制均開出新的檢測需求，預(yù)料光學(xué)檢測設(shè)備扮演角色依舊吃重，甚至將自表面量測等現(xiàn)行主流用途，開展出更大應(yīng)用空間。　　光學(xué)檢測作為制程式控制制(processcontrol)的重要環(huán)節(jié)，無論是在半導(dǎo)體前段抑或后段制程，都扮演著決定成品可靠度的重要關(guān)鍵。隨著3D晶片時代箭在弦上，不僅晶片尺寸縮微，制程也更加精密，自動光
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3D芯片封測準(zhǔn)備就緒但成本需降低

　　來自全球11個國家、超過200位的半導(dǎo)體封裝技術(shù)專家，近日齊聚一堂探討能有助于維持半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新步伐的中介層(interposer)與IC封裝技術(shù);專家們的結(jié)論是， 3D晶片堆疊技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，但有需要再進(jìn)一步降低成本。　　由美國喬治亞理工大學(xué)(Georgia Tech)封裝研究中心(Packaging Research Center，PRC)所主辦的第三屆年度中介層技術(shù)研討會上，來自Amkor、日月光(ASE)等半導(dǎo)體封裝大廠的專家明確指出，他們已經(jīng)準(zhǔn)備好為以中介層基礎(chǔ)的設(shè)計進(jìn)行封裝與測試;此
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3D芯片封測準(zhǔn)備就緒但成本需降低

　　來自全球11個國家、超過200位的半導(dǎo)體封裝技術(shù)專家，近日齊聚一堂探討能有助于維持半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新步伐的中介層(interposer)與IC封裝技術(shù);專家們的結(jié)論是，3D晶片堆疊技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，但有需要再進(jìn)一步降低成本。　　由美國喬治亞理工大學(xué)(GeorgiaTech)封裝研究中心(PackagingResearchCenter，PRC)所主辦的第三屆年度中介層技術(shù)研討會上，來自Amkor、日月光(ASE)等半導(dǎo)體封裝大廠的專家明確指出，他們已經(jīng)準(zhǔn)備好為以中介層基礎(chǔ)的設(shè)計進(jìn)行封裝與測試;此外晶圓代
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各芯片廠積極研發(fā) 臺積電日月光笑看3D芯片量產(chǎn)

　　臺積電、日月光、矽品等大廠積極架構(gòu)2.5D及3DIC封測產(chǎn)能，一般預(yù)料明年將進(jìn)入3DIC量產(chǎn)元年，啟動高階生產(chǎn)線及3DIC設(shè)備商機(jī)，國內(nèi)主要設(shè)備供應(yīng)商弘塑、辛耘及萬潤等業(yè)績吃香。　　設(shè)備廠表示，3DIC可以改善存儲器產(chǎn)品的性能表現(xiàn)與可靠度，并可協(xié)助減低成本與縮小產(chǎn)品尺寸，現(xiàn)今全球包括臺積電、日月光、矽品、意法、三星、爾必達(dá)、美光、格羅方德、IBM、英特爾等多家公司都已陸續(xù)投入3DIC的研發(fā)與生產(chǎn)。　　日月光集團(tuán)研發(fā)中心總經(jīng)理唐和明透露，目前3DIC從設(shè)計工具、制造、封裝測試等所有流程的
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先進(jìn)3D芯片堆疊的精細(xì)節(jié)距微凸點互連

本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(μbump)作為芯片堆疊的手段。系統(tǒng)研究了形成金屬互化物凸點連 ...
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NVIDIA首席科學(xué)家談3D芯片、中國崛起

　　GTC2012大會上，曾擔(dān)任斯坦福大學(xué)計算機(jī)科學(xué)系主任的NVIDIA首席科學(xué)家BillDally在接受EETimes采訪時談到了3D整合電路，技術(shù)層面上中國的崛起以及美國研發(fā)投資的現(xiàn)狀。　　關(guān)于3D芯片方面，Dally稱GPU的未來存在著整合若干塊3D堆疊顯存的一條道路，這種設(shè)計比較有潛力發(fā)揮出更高的帶寬效果，同時整體功耗更低。此前開發(fā)出HyperMemoryCube的美光實際上已經(jīng)與NVIDIA商議過這一點，但Dally表示由于NVIDIA只想要自己獨立設(shè)計芯片，而美光提出的要求帶有在價值鏈上攫
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多維設(shè)計技術(shù)力促3D芯片

您可能聽說過這樣的宣傳：隨著目前還是平面結(jié)構(gòu)的裸片向多層結(jié)構(gòu)的過渡，半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)在今后幾年內(nèi)將發(fā)生重大轉(zhuǎn)變。為了使這種多層結(jié)構(gòu)具有可制造性，全球主要半導(dǎo)體組織作出了近10年的不懈努力，從明年開始三維（
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3D芯片堆疊技術(shù)現(xiàn)狀

盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒有可能付諸實用，而且這項技術(shù)的實際發(fā)展速度也相對緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段
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3d芯片介紹

　　世界上第一款3D芯片工藝已經(jīng)準(zhǔn)備獲取牌照，該工藝來自于無晶圓半導(dǎo)體設(shè)計公司BeSang公司。BeSang公司制作的用于演示的芯片在其控制邏輯上使用了1.28億個垂直晶體管用作內(nèi)存位單元。該芯片的設(shè)計在國家Nanofab中心(韓國大田)和斯坦福Nanofab(美國加州)進(jìn)行。BeSang公司稱，該工藝由25個專利所保護(hù)，將允許Flash、DRAM以及SRAM放置在邏輯電路、微處理器以及片上系統(tǒng)上 [ 查看詳細(xì) ]

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