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內(nèi)存晴雨表:聲稱內(nèi)存市場復蘇的報告過于夸張
- 在面臨破產(chǎn)威脅之際,許多內(nèi)存供應商為了維護自己的形象,紛紛強調(diào)潛在的市場復蘇,試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是,雖然預計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定,但iSuppli公司認為,這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后,這些產(chǎn)品市場將在今年剩余時間內(nèi)增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%,第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。 圖4所示為iSuppli公
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集邦:海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位
- 針對NAND閃存產(chǎn)業(yè),研究機構(gòu)集邦科技最新研究報告指出,三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座,而海力士則因大幅減產(chǎn),市場占有率恐將下滑剩下10%,落居第5名。 集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營運狀況分析指出,三星因擁有較大產(chǎn)能,同時制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米,預期今年市占率 40%以上居冠,日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降,但制程技術(shù)也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米,預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。 集邦科技表示,市場占有率第三和第
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三維NAND內(nèi)存技術(shù)將讓固態(tài)存儲看到希望
- IBM的技術(shù)專家Geoff Burr曾說過,如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大,而且還要配備自己的發(fā)電廠的話,那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而,如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺的話,那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。 這并非危言聳聽,過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象,這就是最好的證明。以前,如果需要更多的性能或容量,企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了,而且那樣做也很方便?,F(xiàn)在,Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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人人都是魔術(shù)師 投影機3D技術(shù)淺析
- 人類對于視覺體驗的要求總是不斷進步的,在清晰度以及畫面尺寸均能夠得到保證的今天,人們對于視覺感受又提出了更高的要求。目前家庭影院型投影機雖然能夠提供身臨其境的感受,但效果最多與電影院相當。能不能得到再進一步、更驚艷的視覺效果呢?3D顯示技術(shù)就解答了這個問題。 3D投影技術(shù)日益進取 沒有體驗過3D顯示技術(shù)的人很難想象當你親眼見到時的興奮感,而且僅用文字和圖片也很難將這項技術(shù)呈現(xiàn)出來。不過我能說的是,3D顯示技術(shù)不僅能帶給你第一眼的震撼,更能在長期使用中得到與傳統(tǒng)顯示技術(shù)完全不同的體驗效果。
- 關(guān)鍵字: 投影 3D
FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 全球領(lǐng)先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)日前宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估??蛻魧χ圃爝^程中無灰化光刻膠剝離法、實現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
- 關(guān)鍵字: FSI 半導體 NAND
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