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Wi-Fi 7下半年加速發(fā)酵 多數(shù)芯片業(yè)者大量備貨迎旺季增長(zhǎng)

  • 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》8日訊,Wi-Fi 7商機(jī)預(yù)計(jì)從今年下半開(kāi)始就會(huì)加速發(fā)酵,符合原先多數(shù)廠商預(yù)估的時(shí)間表。包括聯(lián)發(fā)科、瑞昱、立積等在內(nèi)的多數(shù)芯片業(yè)者從2024年第二季開(kāi)始就持續(xù)追加Wi-Fi 7的主芯片及射頻模塊訂單,提前補(bǔ)貨來(lái)應(yīng)對(duì)即將到來(lái)的出貨爆發(fā)。熟悉Wi-Fi芯片業(yè)界人士指出,Wi-Fi 7出貨的比重將會(huì)隨著時(shí)間愈來(lái)愈高。業(yè)界內(nèi)部估計(jì),如果市場(chǎng)對(duì)于新技術(shù)的接受度正面,且Wi-Fi 7的價(jià)格能有效地控制下來(lái),2025年的下半年Wi-Fi 7就會(huì)變成主流的出貨規(guī)格,并在2026年達(dá)到和Wi-
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聯(lián)發(fā)科、高通手機(jī)旗艦芯片Q4齊發(fā) 臺(tái)積電3nm再添大單

  • 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》8日訊,聯(lián)發(fā)科、高通新一波5G手機(jī)旗艦芯片將于第四季推出,兩大廠新芯片都以臺(tái)積電3nm制程生產(chǎn),近期進(jìn)入投片階段。臺(tái)積電再添大單,據(jù)了解,其3nm家族制程產(chǎn)能客戶排隊(duì)潮已一路排到2026年。在臺(tái)積電3nm制程加持之下,天璣9400的各面向性能應(yīng)當(dāng)會(huì)再提升,成為聯(lián)發(fā)科搶占市場(chǎng)的利器。高通雖尚未公布新一代旗艦芯片驍龍8 Gen 4亮相時(shí)間與細(xì)節(jié),外界認(rèn)為,該款芯片也是以臺(tái)積電3nm制程生產(chǎn),并于第四季推出。價(jià)格可能比當(dāng)下的驍龍8 Gen 3高25%~30%,每顆報(bào)價(jià)來(lái)到220美元~240
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性能暴增3.7倍!三星發(fā)布首款3nm芯片Exynos W1000:主頻1.6GHz

  • 7月3日消息,三星今天正式發(fā)布了其首款3nm工藝芯片——Exynos W1000。這款芯片專為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì),預(yù)計(jì)將應(yīng)用于即將推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工藝,搭載了1個(gè)Cortex-A78大核心和4個(gè)Cortex-A55小核心,其中大核心的主頻達(dá)到1.6GHz,小核心主頻為1.5GHz。與前代產(chǎn)品Exynos W930相比,W1000在單核性能上實(shí)現(xiàn)了3.4倍的提升,在多核性能上更是達(dá)到了3.
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三星HBM芯片據(jù)稱通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

  • 財(cái)聯(lián)社7月4日電,韓國(guó)媒體NewDaily報(bào)道稱,三星電子的HBM3e芯片通過(guò)了英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試,三星將很快就大規(guī)模生產(chǎn)HBM并供應(yīng)給英偉達(dá)一事展開(kāi)談判。
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光本位科技完成首顆光計(jì)算芯片流片

  • 據(jù)光本位官微消息,近日,光本位科技已完成算力密度和算力精度均達(dá)到商用標(biāo)準(zhǔn)的光計(jì)算芯片流片,這顆芯片的矩陣規(guī)模為128x128,峰值算力超1000tops,其算力密度已經(jīng)超過(guò)了先進(jìn)制程的電芯片。據(jù)了解,這顆芯片采用PCIe接口或其他通用標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行數(shù)據(jù)交互,可以與數(shù)據(jù)中心兼容,未來(lái)光計(jì)算芯片的算力密度仍有百倍提升空間,比電芯片更適合處理大模型應(yīng)用,達(dá)到商用標(biāo)準(zhǔn)可以說(shuō)是中國(guó)AI芯片“換道超車”的關(guān)鍵一步。光計(jì)算芯片要實(shí)現(xiàn)規(guī)模化商用,需解決非線性計(jì)算、存算一體等難題,構(gòu)建光電融合生態(tài)是一條必經(jīng)之路。因此,光本位科技
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指控英偉達(dá)在AI芯片領(lǐng)域有反競(jìng)爭(zhēng)行為 法國(guó)打響反壟斷第一槍

  • 知情人士透露,法國(guó)反壟斷監(jiān)管機(jī)構(gòu)計(jì)劃對(duì)英偉達(dá)提出反競(jìng)爭(zhēng)行為的指控,成為首個(gè)對(duì)英偉達(dá)采取反壟斷行動(dòng)的國(guó)家。法國(guó)執(zhí)法機(jī)構(gòu)去年9月曾對(duì)顯卡行業(yè)進(jìn)行突襲檢查,目的是獲取更多關(guān)于潛在濫用市場(chǎng)支配地位的信息。當(dāng)時(shí)他們沒(méi)有確認(rèn)該公司是英偉達(dá),但英偉達(dá)后來(lái)承認(rèn),法國(guó)和其他機(jī)構(gòu)正在審查其商業(yè)行為。知情人士說(shuō),去年這場(chǎng)突擊檢查是針對(duì)云計(jì)算行廣泛調(diào)查后的結(jié)果。作為全球最大的人工智能和計(jì)算機(jī)顯卡制造商,英偉達(dá)在生成式人工智能應(yīng)用程序ChatGPT發(fā)布后,芯片需求激增,這引發(fā)了歐美的反壟斷機(jī)構(gòu)嚴(yán)密關(guān)注。目前,法國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)和英偉達(dá)均
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聯(lián)發(fā)科:正與越南企業(yè)合作開(kāi)發(fā)“越南制造”芯片,產(chǎn)品即將面世

  • 7 月 2 日消息,聯(lián)發(fā)科全球營(yíng)銷總經(jīng)理兼副總裁芬巴爾?莫伊尼漢(Finbarr Moynihan)6 月末稱正與多家越南企業(yè)合作開(kāi)發(fā)“越南制造”芯片。據(jù)越南媒體 Vietnam Investment Review 和 VnExpress 報(bào)道,莫伊尼漢在越南胡志明市的一場(chǎng)活動(dòng)上表示:我們正在積極與越南半導(dǎo)體領(lǐng)域的多個(gè)合作伙伴合作。很快,我們將看到“越南制造”芯片服務(wù)于(越南)國(guó)內(nèi)和國(guó)際市場(chǎng)。莫伊尼漢確認(rèn),雖然這些芯片的生產(chǎn)過(guò)程并非是在越南境內(nèi)進(jìn)行的,但芯片本身絕對(duì)是“越南制造”。聯(lián)發(fā)科在越南市場(chǎng)深耕多年
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消息稱谷歌Tensor G5芯片已流片 預(yù)計(jì)采用3nm制程

  • 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》2日訊,消息稱谷歌下一代的Tensor G5芯片確定在臺(tái)積電投片并已經(jīng)成功流片,預(yù)計(jì)采用3納米制程。 (DIGITIMES)。
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3nm 晶圓量產(chǎn)缺陷導(dǎo)致 1 萬(wàn)億韓元損失?三星回應(yīng):毫無(wú)根據(jù)

  • IT之家 6 月 27 日消息,三星昨日(6 月 26 日)發(fā)布聲明,否認(rèn)“三星代工業(yè)務(wù) 3nm 晶圓缺陷”的報(bào)道,認(rèn)為這則傳聞“毫無(wú)根據(jù)”。此前有消息稱三星代工廠在量產(chǎn)第二代 3nm 工藝過(guò)程中發(fā)現(xiàn)缺陷,導(dǎo)致 2500 個(gè)批次(lots)被報(bào)廢,按照 12 英寸晶圓計(jì)算,相當(dāng)于每月 65000 片晶圓,損失超過(guò) 1 萬(wàn)億韓元(IT之家備注:當(dāng)前約 52.34 億元人民幣)。三星駁斥了這一傳言,稱其“毫無(wú)根據(jù)”,仍在評(píng)估受影響生產(chǎn)線的產(chǎn)品現(xiàn)狀。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,報(bào)道中的數(shù)字可能被夸大了,并指出三星的
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Intel 3 “3nm 級(jí)”工藝技術(shù)正在大批量生產(chǎn)

  • 英特爾周三表示,其名為Intel 3的3nm級(jí)工藝技術(shù)已在兩個(gè)工廠進(jìn)入大批量生產(chǎn),并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的一些額外細(xì)節(jié)。新工藝帶來(lái)了更高的性能和更高的晶體管密度,并支持1.2V的電壓,適用于超高性能應(yīng)用。該節(jié)點(diǎn)針對(duì)的是英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶。它還將在未來(lái)幾年內(nèi)發(fā)展。英特爾代工技術(shù)開(kāi)發(fā)副總裁Walid Hafez表示:“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛(ài)爾蘭的工廠進(jìn)行大批量生產(chǎn),包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
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谷歌已經(jīng)與臺(tái)積電達(dá)成合作:首款芯片為Tensor G5,選擇3nm工藝制造

  • 此前有報(bào)道稱,明年谷歌可能會(huì)改變策略,在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠,改用臺(tái)積電代工,至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線。為了更好地進(jìn)行過(guò)渡,谷歌將擴(kuò)大在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的研發(fā)中心。隨后泄露的數(shù)據(jù)庫(kù)信息表明,谷歌已經(jīng)開(kāi)始與臺(tái)積電展開(kāi)合作,將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗(yàn)證。據(jù)Wccftech報(bào)道,谷歌與臺(tái)積電已達(dá)成了一項(xiàng)協(xié)議,后者將為Pixel系列產(chǎn)品線生產(chǎn)完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾,而Tenso
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曝三星3nm良率僅20%!但仍不放棄Exynos 2500

  • 6月23日消息,據(jù)媒體報(bào)道,Exynos 2500的良品率目前僅為20%,遠(yuǎn)低于量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn),但三星仍在積極尋求解決方案,以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機(jī)SoC,該工藝相較于前代4nm FinFET工藝,在能效和密度上預(yù)計(jì)有20%至30%的提升。然而,低良品率的問(wèn)題可能導(dǎo)致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺(tái),這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價(jià)。三星對(duì)Exynos 2500寄予厚望,該芯片在性能測(cè)試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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“Intel 3”3nm制程技術(shù)已開(kāi)始量產(chǎn)

  • 據(jù)外媒報(bào)道,英特爾周三表示,其名為“Intel 3”的3nm制程技術(shù)已在俄勒岡州和愛(ài)爾蘭工廠開(kāi)始大批量生產(chǎn),并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的一些額外細(xì)節(jié)。據(jù)介紹,新工藝帶來(lái)了更高的性能和更高的晶體管密度,并支持1.2V的超高性能應(yīng)用電壓。該節(jié)點(diǎn)既針對(duì)英特爾自己的產(chǎn)品,也針對(duì)代工客戶,將在未來(lái)幾年不斷發(fā)展。英特爾一直將Intel 3制造工藝定位于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用,這些應(yīng)用需要通過(guò)改進(jìn)的晶體管(與Intel 4相比)、降低晶體管通孔電阻的電源傳輸電路以及設(shè)計(jì)協(xié)同優(yōu)化來(lái)實(shí)現(xiàn)尖端性能。生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)支持<0.6V低壓以及&g
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2024年全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能預(yù)計(jì)增長(zhǎng)6%

  • 國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威機(jī)構(gòu)SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))發(fā)布的最新季度《世界晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示,為了跟上芯片需求持續(xù)增長(zhǎng)的步伐,全球半導(dǎo)體制造產(chǎn)能預(yù)計(jì)將在2024年增長(zhǎng)6%,并在2025年實(shí)現(xiàn)7%的增長(zhǎng),達(dá)到每月晶圓產(chǎn)能3370萬(wàn)片的歷史新高(以8英寸當(dāng)量計(jì)算)?!?整體產(chǎn)能變化情況。圖源 SEMI行業(yè)習(xí)慣將7nm及以下的芯片劃分為先進(jìn)制程,28nm及以上芯片為成熟制程。而最新的一輪擴(kuò)產(chǎn)潮兩者均有涉及:一方面是來(lái)自AI算力需求的激增,以先進(jìn)制程芯片的擴(kuò)產(chǎn)最為明顯;另一方面是中國(guó)大陸廠商在成熟制程領(lǐng)域的集中擴(kuò)
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3nm 芯片介紹

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