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海力士41納米通過(guò)認(rèn)證　切入蘋(píng)果供應(yīng)鏈

  • 　　海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運(yùn)多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開(kāi)始活躍起來(lái)，日前更打入蘋(píng)果(Apple)iPhone 3G S供應(yīng)鏈，獲得認(rèn)證通過(guò)，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋(píng)果」! 　　海力士2008年下半開(kāi)始，NAND Flash出貨量變得相當(dāng)少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價(jià)格崩盤(pán)，導(dǎo)致虧損
  • 關(guān)鍵字： Hynix  NAND  48納米  41納米  34納米  存儲(chǔ)器  
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48納米介紹

納米（符號(hào)為nm）是長(zhǎng)度單位，原稱毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬(wàn)分之一毫米）。如同厘米、分米和米一樣，是長(zhǎng)度的度量單位。相當(dāng)于4倍原子大小，比單個(gè)細(xì)菌的長(zhǎng)度還要小。 主要應(yīng)用在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域48納米 目前海力士48納米工藝已確定可在2008年第1季度進(jìn)入量產(chǎn)階段，且初步投片量一舉可拉高至約2萬(wàn)片規(guī)模，相較于東芝或三星在40納米工藝世代量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)，海 [ 查看詳細(xì) ]

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