5納米文章進(jìn)入5納米技術(shù)社區(qū)

吃下蘋(píng)果臺(tái)積電5納米繼續(xù)領(lǐng)先三星

自去年底開(kāi)始，三星就放話(huà)要以3納米制程技術(shù)搶走臺(tái)積電訂單，但供應(yīng)鏈業(yè)者認(rèn)為其生態(tài)系將會(huì)逐漸壓倒三星。
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半導(dǎo)體供應(yīng)鏈表示，臺(tái)積電投資大量資金研發(fā)最新技術(shù)，盡管近期營(yíng)運(yùn)遇逆風(fēng)，但先進(jìn)制程或廠務(wù)設(shè)備機(jī)器購(gòu)置依舊按既定計(jì)畫(huà)進(jìn)行，隨著下半年?duì)I運(yùn)回溫，設(shè)備、材料供應(yīng)鏈業(yè)績(jī)亦可望同步先蹲后跳。
關(guān)鍵字： 7納米+ 5納米臺(tái)積電

臺(tái)積電制程技術(shù)領(lǐng)先幅度持續(xù)擴(kuò)大，3日正式宣布在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)(Open Innovation Platform；OIP)之下推出5納米設(shè)計(jì)架構(gòu)的完整版本，協(xié)助客戶(hù)實(shí)現(xiàn)支持下一世代先進(jìn)行動(dòng)及高效能運(yùn)算應(yīng)用產(chǎn)品的5納米系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)，目標(biāo)鎖定具有高成長(zhǎng)性的5G與人工智能(AI)市場(chǎng)。
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　　摩爾定律在20年前就被唱衰，但直到現(xiàn)在，半導(dǎo)體工程師們?nèi)匀话l(fā)揚(yáng)釘子精神，從方寸之地騰挪出無(wú)限空間。　　　　IBM公司研究團(tuán)隊(duì)6月在日本京都宣布，其在晶體管的制造上取得了巨大的突破——在一個(gè)指甲大小的芯片上，從集成200億個(gè)7納米晶體管飛躍到了集成300億個(gè)5納米晶體管。　　半導(dǎo)體行業(yè)一直致力于打造5納米節(jié)點(diǎn)替代方案。IBM此次宣布的最新“全包圍門(mén)”結(jié)構(gòu)，被認(rèn)為是晶體管的未來(lái);即將投入生產(chǎn)的5納米芯片，將使用工藝成本有所降低
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　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電14日召開(kāi)季度例行董事會(huì)，會(huì)中決議通過(guò)資本預(yù)算約1,298億元(新臺(tái)幣，下同)，其中包括將投入逾505億元興建廠房的資本支出，正式啟動(dòng)5納米新廠的建廠計(jì)劃。　　設(shè)備業(yè)者指出，臺(tái)積電位于臺(tái)灣地區(qū)南科園區(qū)內(nèi)的5納米新廠總投資金額上看2,000億元，要趕在2019年上半年完成建廠、下半年進(jìn)入試產(chǎn)，2020年正式量產(chǎn)。　　臺(tái)積電昨天召開(kāi)董事會(huì)，會(huì)中決議核準(zhǔn)資本預(yù)算約新臺(tái)幣1298億元，包括興建廠房資本預(yù)算約505億元，其他項(xiàng)目資本預(yù)算約793億元，用來(lái)擴(kuò)充及升級(jí)先進(jìn)制程產(chǎn)能、擴(kuò)充先進(jìn)
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　　臺(tái)積電持續(xù)在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)投資先進(jìn)制程，臺(tái)科技部長(zhǎng)楊弘敦 6 日證實(shí)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將斥資 5,000 億元在南科高雄園區(qū)籌建 3 納米、5 納米制程，新廠將可望在 2020 年動(dòng)工、2022 年量產(chǎn)。　　每 4 年一次的臺(tái)灣科學(xué)技術(shù)會(huì)議 6 日登場(chǎng)，楊弘敦在會(huì)中透露，臺(tái)積電已提出 3 至 5 納米制程的先進(jìn)制程投資藍(lán)圖，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)科技部認(rèn)為南科高雄園區(qū)最適合，臺(tái)積電該計(jì)劃需 50 至 80 公頃土地，規(guī)劃將在 2020 年動(dòng)工、2022 年量產(chǎn)，年?duì)I業(yè)額估計(jì)約 2,000 億元，可創(chuàng)造約 1 萬(wàn)個(gè)就
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　　半導(dǎo)體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機(jī)所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)(DP)。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時(shí)，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級(jí)，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來(lái)到10納米甚至7納米時(shí)，基本上可以使用同樣的設(shè)備，似乎己無(wú)懸念，只是芯片的制造成本會(huì)迅速增加。然而到5納米時(shí)肯定是個(gè)坎，因?yàn)槿绻鸈UV不能準(zhǔn)備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)(FP)，這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。　　而對(duì)于更先進(jìn)5納米生產(chǎn)線(xiàn)來(lái)說(shuō)，至今業(yè)界
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　　英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù).這兩家公司稱(chēng),這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 　　英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說(shuō),這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲(chǔ)屬性縮小到一個(gè)內(nèi)存類(lèi). 　　This image shows phase-change memory bu
關(guān)鍵字： Intel 5納米 DRAM NAND

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