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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵（gan）功率器件

600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)

幾種直流電機驅(qū)動電路圖及設(shè)計思路

  • 　　本文為您詳細(xì)介紹直流電機驅(qū)動設(shè)計需要注意的事項，低壓驅(qū)動電路的簡易柵極驅(qū)動、邊沿延時驅(qū)動電路圖解及其設(shè)計思路。 　　   　　以上是直流電機驅(qū)動電路圖，下面為您詳細(xì)介紹直流電機驅(qū)動設(shè)計需要注意的事項，低壓驅(qū)動電路的簡易柵極驅(qū)動、邊沿延時驅(qū)動電路圖解及其設(shè)計思路。 　　一、 直流電機驅(qū)動電路的設(shè)計目標(biāo) 　　在直流電機驅(qū)動電路的設(shè)計中，主要考慮一下幾點： 　　1. 功能：電機是單向還是雙向轉(zhuǎn)動?需不需要調(diào)速?對于單向的電機驅(qū)動，只要用一個大功率三極管或場效應(yīng)管或繼電器直接帶動電機
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Dialog加入功率元件市場戰(zhàn)局 GaN應(yīng)用成長可期

  • 　　隨著去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后，國際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要動作。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。 　　   　　Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall 　　透過臺積電以六寸晶圓廠的技術(shù)，Dialog推出了DA8801，Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會后接受CTIMES采訪時表示，該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
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以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

  • 　　德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構(gòu)模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體... 　　下一代行動無線網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應(yīng)用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構(gòu)模組
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GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界

  • 　　眾人皆知，由于半導(dǎo)體制程的不斷精進，數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。 　　 ? 　　GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp) 　　不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進提升，例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動態(tài)

  • 　　當(dāng)諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。 　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個技術(shù)研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都是
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED  

諾貝爾獎后　日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動態(tài)

  • 　　當(dāng)諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。 　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個技術(shù)研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都
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三菱電機展臺大受歡迎，攜八款功率器件實力亮相

  • 　　三菱電機今年繼續(xù)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題， 攜帶八款新型功率器件，在今天正式亮相PCIM Asia 2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)，受到廣大參觀者的一致好評，參觀者們紛紛在三菱電機展臺拍照留念，三菱電機再次向公眾展示其在功率半導(dǎo)體市場上的非凡實力(三菱電機展位號：B15)。 　　今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越四大領(lǐng)域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。 　　  
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我國發(fā)展化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正當(dāng)時

  • 當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點，我國應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動權(quán)。
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臺積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務(wù)

  • 　　臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產(chǎn)服務(wù)的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術(shù)生產(chǎn)GaN晶體管。 　　臺積電打算開展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關(guān)型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產(chǎn)品。 　　其中，耐壓650V的常關(guān)
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三菱電機攜八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登場

  • 　　三菱電機今年繼續(xù)以“創(chuàng)新 功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題， 攜帶八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展覽館舉行的 PCIMAsia2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)中登場，向公眾展示其在功率 半導(dǎo)體市場上的非凡實力(三菱電機展位號：B15)。 　　今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越四大領(lǐng)域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動 汽車、工業(yè)和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。 　　變頻家電市場 　　在變頻家電應(yīng)用方面，三菱電機這次在去
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Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能

  • 　　移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防等應(yīng)用中領(lǐng)先的RF解決方案供應(yīng)商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設(shè)計用于優(yōu)化商業(yè)用雷達、通信系統(tǒng)及航空電子應(yīng)用的功率性能。 　　Qorvo 國防與航空航天產(chǎn)品總經(jīng)理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統(tǒng)性能。Qorvo可以更好地實現(xiàn)相位陣列雷達等先進設(shè)備的要求，提供
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基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC

  • 　　氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和效率，從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項打開了大門。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優(yōu)點的拓?fù)洹Ｅc通常使用的雙升壓無橋PFC拓?fù)湎啾?，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導(dǎo)體開關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應(yīng)的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被
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TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能

  • 　　基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應(yīng)晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起，能使設(shè)計人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設(shè)計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應(yīng)用中都特別重要。如需了解更多信息
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安森美半導(dǎo)體推進更快、更智能和更高能效的GaN晶體管

  • 　　氮化鎵(GaN)是一種新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱為第三代半導(dǎo)體材料，用于電源系統(tǒng)的設(shè)計如功率因數(shù)校正(PFC)、軟開關(guān)DC-DC、各種終端應(yīng)用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務(wù)器及通信電源等，可實現(xiàn)硅器件難以達到的更高電源轉(zhuǎn)換效率和更高的功率密度水平，為開關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應(yīng)用帶來性能飛躍?！　aN的優(yōu)勢　　從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關(guān)過程的反向恢復(fù)時間可忽略不計
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AOS：功率器件市場迎來歷史性變革

  • 　　萬國半導(dǎo)體?(Alpha?and?Omega?Semiconductor?,AOS)為集設(shè)計、開發(fā)與銷售為一體的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC產(chǎn)品系列?！耙孕履茉醇夹g(shù)的逐漸實用化為主軸，功率變換市場正經(jīng)歷一場歷史性的變革。新能源的普及過程中電池儲能技術(shù)是關(guān)鍵的一環(huán)?！?AOS?MOSFET全球市場資深總監(jiān)馮雷指出?！　∧?016年的功率器件市場發(fā)展具體呈現(xiàn)出哪些特點呢?馮雷表示
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹

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