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國(guó)內(nèi)6英寸、8英寸碳化硅襯底片迎來(lái)新進(jìn)展

11月4日，晶盛機(jī)電“年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸、5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目”正式簽約啟動(dòng)，此舉旨在攻關(guān)半導(dǎo)體材料端關(guān)鍵核心技術(shù)，最終實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。據(jù)悉，此次簽約項(xiàng)目總投資達(dá)21.2億元。據(jù)晶盛機(jī)電介紹，公司自2017年開始碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備和工藝研發(fā)，相繼成功開發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng)8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設(shè)了6-8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過(guò)多家下游企業(yè)驗(yàn)證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體代表
關(guān)鍵字： 6英寸 8英寸碳化硅襯底

近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進(jìn)展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實(shí)現(xiàn)大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長(zhǎng)了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵材料。電科材料持續(xù)布局第三代半導(dǎo)體外延材料研發(fā)生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)一系列技術(shù)突破，在碳化硅外延領(lǐng)域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時(shí)，積極與國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商合作開發(fā)生產(chǎn)裝備，推動(dòng)碳化硅核心裝備國(guó)產(chǎn)化。未來(lái)，電科材料將持續(xù)創(chuàng)新突破，推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品。
關(guān)鍵字：電科材料 6英寸碳化硅

芯研所消息，自去年下半年以來(lái)，全球“缺芯潮”愈演愈烈，作為芯片制造上游的硅片廠家，在宣布漲價(jià)與擴(kuò)產(chǎn)。近日晶盛機(jī)電在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示公司的碳化硅長(zhǎng)晶爐已成功生長(zhǎng)出6英寸碳化硅晶體，同時(shí)8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)已在研發(fā)中。晶盛機(jī)電表示，近年布局的第三代半導(dǎo)體材料碳化硅的研發(fā)取得關(guān)鍵進(jìn)展，碳化硅外延設(shè)備已通過(guò)客戶驗(yàn)證。同時(shí)在碳化硅晶體生長(zhǎng)、切片、拋光環(huán)節(jié)規(guī)劃建立測(cè)試線，以實(shí)現(xiàn)裝備和工藝技術(shù)的領(lǐng)先，目前測(cè)試線進(jìn)展順利，設(shè)備分批進(jìn)廠安裝調(diào)試中。據(jù)了解，晶盛機(jī)電公司2016年9月7日發(fā)布的公告，公司于2016年9月6日
關(guān)鍵字：晶盛機(jī)電 6英寸碳化硅晶體

全球存儲(chǔ)芯片龍頭韓國(guó)將關(guān)閉6寸廠產(chǎn)線，業(yè)界解讀，三星正檢視產(chǎn)線狀況以因應(yīng)全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境不振沖擊，有可能下一步將調(diào)整8寸廠甚至12寸廠產(chǎn)能。
關(guān)鍵字：三星 6英寸

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