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Tensilica90納米工藝流程下實(shí)現(xiàn)全面支持

　　可配置處理器內(nèi)核供應(yīng)商TensilicaÒ公司宣布增加了其自動(dòng)可配置處理器內(nèi)核的設(shè)計(jì)方法學(xué)以面對(duì)90納米工藝下普通集成電路設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)。這些增加支持Cadence公司和Synosys公司的工具的最新能力，包括自動(dòng)生成物理設(shè)計(jì)流程腳本，這些腳本可以大幅降低功耗，自動(dòng)輸入用戶(hù)定義的功耗結(jié)構(gòu)以及支持串繞分析。　　“90納米設(shè)計(jì)代表了IC設(shè)計(jì)工程師所面臨的最重要的新挑戰(zhàn)，”Tensilica公司市場(chǎng)副總裁Steve Roddy指出，“通過(guò)針對(duì)同級(jí)別最佳（best-in-class）的設(shè)
關(guān)鍵字： 90納米 Tensilica 工藝流程

英飛凌科技股份有限公司和中芯國(guó)際集成電路制造有限公司近日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署合作協(xié)議，進(jìn)一步擴(kuò)展在標(biāo)準(zhǔn)記憶芯片（DRAM）產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域中的現(xiàn)有合作，開(kāi)始90納米標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。根據(jù)新協(xié)議的內(nèi)容，英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術(shù)和300毫米產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)轉(zhuǎn)讓于中芯國(guó)際，并可以在未來(lái)期間靈活進(jìn)行其70納米技術(shù)的進(jìn)一步轉(zhuǎn)讓。因此，中芯國(guó)際將為英飛凌獨(dú)家生產(chǎn)屬于此技術(shù)范圍之內(nèi)的產(chǎn)品。預(yù)計(jì)在2006年中期完成產(chǎn)品的最終驗(yàn)證之后，中芯國(guó)際將開(kāi)始將其目前用于英飛凌110納米D
關(guān)鍵字： 90納米合作英飛凌中芯

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