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基于AOS AOZ7675QI及AOZ7658QI的高效率與高功率密度Type-C PD電源方案
- AOZ7675QI與AOZ7658QI是一款能實(shí)現(xiàn)高效率與高功率密度整合式控制IC,應(yīng)用在小型化Adapter Type-C PD產(chǎn)品,傳統(tǒng)的反馳式操作在定頻65kHz、QR mode,而AOS AOZ7675QI及AOZ7658QI則是使用COT控制技術(shù)頻率最高可達(dá)150kHz,借由COT控制模式與二次側(cè)主控權(quán)操作下使得設(shè)計(jì)簡單且高穩(wěn)定度,IC集成了功率晶體且使用bottom source封裝技術(shù),可有效改善溫度與EMI,進(jìn)而簡單的實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)?場景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)勢1. 高
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AOS:功率器件市場迎來歷史性變革
- 萬國半導(dǎo)體?(Alpha?and?Omega?Semiconductor?,AOS)為集設(shè)計(jì)、開發(fā)與銷售為一體的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商,提供廣泛的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線,包括完整的功率MOSFET和電源管理IC產(chǎn)品系列。“以新能源技術(shù)的逐漸實(shí)用化為主軸,功率變換市場正經(jīng)歷一場歷史性的變革。新能源的普及過程中電池儲能技術(shù)是關(guān)鍵的一環(huán)?!?AOS?MOSFET全球市場資深總監(jiān)馮雷指出?! ∧?016年的功率器件市場發(fā)展具體呈現(xiàn)出哪些特點(diǎn)呢?馮雷表示
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AOS推出適用便攜式應(yīng)用的功率MOSFET
- 日前,集設(shè)計(jì),開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司(AOS),發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。 新的產(chǎn)品上應(yīng)用了AOS的AlphaMOS專利技術(shù)。這些技術(shù)的好處在于它可以延長電池的使用壽命,還可以使設(shè)計(jì)變的更簡單緊湊,適用于便攜式產(chǎn)品,例如:平板電腦、智能手機(jī),電子書、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)及便攜式音樂播放器。 AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET,它們的RDS(ON)是目前市
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AOS上行鏈路控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 摘要:在對AOS系統(tǒng)進(jìn)行功能模塊劃分的基礎(chǔ)上,介紹了系統(tǒng)中一個(gè)非常關(guān)鍵的組成部分即上行鏈路控制器。該方案采用我國自主知識產(chǎn)權(quán)的方舟系列CPU芯片,在Linux操作系統(tǒng)下設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)上行鏈路控制器,并給出了其主要的工
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美國飛兆以侵害專利為由起訴臺灣AOS
- 美國飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 以其專利權(quán)受到侵害為由,起訴了臺灣Alpha & Omega Semiconductor(以下簡稱AOS)。飛兆半導(dǎo)體表示,AOS的功率晶體管產(chǎn)品至少侵犯了其持有的4項(xiàng)美國專利。該公司遭侵權(quán)的美國專利號分別為“6429481”“6521497”“6710406”及“6828195”。美國飛兆要求賠償損失,并停止AOS產(chǎn)品向美國的進(jìn)口和銷售。 飛兆半導(dǎo)體從2005年起便
- 關(guān)鍵字: AOS 飛兆 臺灣 消費(fèi)電子 消費(fèi)電子
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