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IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

• 針對(duì)氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析，著重對(duì)不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過對(duì)比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強(qiáng)度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達(dá)到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測(cè)試7萬(wàn)次，滿足IGBT模塊對(duì)陶瓷基板可靠性需求。
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