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啟方半導(dǎo)體發(fā)布用于低功耗電源管理芯片的0.18微米非外延BCD工藝

  • 韓國(guó)唯一一家純晶圓代工公司啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)今天宣布，將發(fā)布用于低功耗PMIC的0.18微米30V非外延BCD工藝。BCD是一種將雙極晶體管(Bipolar)、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)和用于高壓處理的雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)集成在同一個(gè)芯片上的工藝技術(shù)。它被廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體的制造，與普通半導(dǎo)體相比，功率半導(dǎo)體需要更高的額定電壓和更高的可靠性，隨著功率半導(dǎo)體應(yīng)用的擴(kuò)大，對(duì)BCD的需求也在不斷增加。與啟方半導(dǎo)體現(xiàn)有帶EPI外延層的BCD工藝相比，這個(gè)新的0.18微米30
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華虹半導(dǎo)體拓展電源管理技術(shù)平臺(tái) BCD工藝“8+12”齊發(fā)力

  • 全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司宣布，其高性能90納米BCD工藝平臺(tái)在華虹無(wú)錫12英寸生產(chǎn)線順利實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積，將在數(shù)字電源、數(shù)字電機(jī)驅(qū)動(dòng)、數(shù)字音頻功放等芯片領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。
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中國(guó)晶圓廠跨入BCD工藝　搶進(jìn)模擬IC更上層樓

  • 我國(guó)不少晶圓廠受限于6英寸、8英寸工藝條件，雖無(wú)法朝先進(jìn)工藝邁進(jìn)，不過卻在成熟工藝另覓一片春天，包括上海先進(jìn)、華虹NEC皆積極發(fā)展模擬成熟工藝。其中日前傳出將赴香港掛牌上市的華虹NEC宣布，第三季度將完成0.35微米40伏BCD工藝技術(shù)開發(fā)。過去我國(guó)晶圓廠多著重入門級(jí)雙載子(Bipolar)工藝，如今積極跨入工藝較為復(fù)雜的BCD(Bipolar、CMOS、DMOS)工藝，工藝技術(shù)方面更上層樓，值得企業(yè)重視。 上海華虹NEC宣布，目前正與技術(shù)合作伙伴共同開發(fā)新技術(shù)，預(yù)計(jì)將跨入0.35微米BCD工藝技術(shù)。同時(shí)
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