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緩沖反激式轉(zhuǎn)換器

本期，我們將聚焦于緩沖反激式轉(zhuǎn)換器，探討如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓為大家提供全新的解決思路！上一期，我們介紹了如何在正向轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通時(shí)緩沖輸出整流器的電壓。現(xiàn)在，我們看一下如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓。圖 1 顯示了反激式轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和初級(jí) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器的工作原理是將能量存儲(chǔ)在變壓器的初級(jí)電感中，并在 MOSFET 關(guān)斷時(shí)將能量釋放到次級(jí)電感。圖 1. 漏電感會(huì)在 FET 關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過(guò)高電壓當(dāng) MOSFET 關(guān)斷時(shí)，通常需要一個(gè)緩沖器，因?yàn)樽儔浩鞯穆╇姼袝?huì)導(dǎo)
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用Python自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試

電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過(guò)渡到寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動(dòng)設(shè)備和其他消費(fèi)設(shè)備的快速充電器。本文主要說(shuō)明的是，但雙脈沖測(cè)試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設(shè)備的可靠性，雙脈沖測(cè)試（DPT）已發(fā)展成為一種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，用于測(cè)量開(kāi)啟、關(guān)閉和反向恢復(fù)期的一系列重要參數(shù)。雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)包括示波
關(guān)鍵字： 202411 寬禁帶 FET 測(cè)試

碳化硅模塊在太陽(yáng)能逆變器中的應(yīng)用

碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC FET)接近于理想的開(kāi)關(guān)，具有低損耗、寬帶隙技術(shù)和易于集成設(shè)計(jì)等優(yōu)勢(shì)。Qorvo的SiC FET技術(shù)如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用的理想之選。
關(guān)鍵字： 202407 太陽(yáng)能 PV SiC FET 寬帶隙碳化硅光伏

GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類(lèi)音頻放大器

D類(lèi)音頻放大器參考設(shè)計(jì)(EPC9192)讓模塊化設(shè)計(jì)具有高功率和高效，從而可實(shí)現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計(jì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類(lèi)音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計(jì)中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢(shì)，在4Ω負(fù)載時(shí)，每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計(jì)，其主板配有兩個(gè)PWM調(diào)制器和兩個(gè)半橋功率級(jí)子板，實(shí)現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計(jì)的靈活性高，使
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測(cè)試共源共柵氮化鎵 FET

Cascode GaN FET 動(dòng)態(tài)測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)　　Cascode GaN FET 比其他類(lèi)型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng)，因?yàn)樗梢蕴峁┏ｊP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而，電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來(lái)并不那么容易，因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測(cè)量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運(yùn)行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢(shì)。圖 1 顯示了關(guān)斷時(shí)的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導(dǎo)通時(shí)的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
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適用于自主駕駛車(chē)輛LiDAR的GaN FET快速指南

激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車(chē)輛、無(wú)人機(jī)、倉(cāng)庫(kù)自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類(lèi)參與其中，因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會(huì)對(duì)眼睛造成傷害。為防止此類(lèi)傷害，汽車(chē) LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類(lèi)安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復(fù)頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性，因?yàn)樾枰褂梦⒖刂破骰蚱渌笮蛿?shù)字集成電路 (IC) 來(lái)控制激光二極管，但又不能直接驅(qū)動(dòng)它，這樣就必須增加一個(gè)柵極
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Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)性能

中國(guó) 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ，非常適合車(chē)載充電器、DC/DC
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EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動(dòng)激光二極管，實(shí)現(xiàn)75~231A脈沖電流

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出三款激光驅(qū)動(dòng)器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實(shí)現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達(dá)系統(tǒng)。EPC推出三款評(píng)估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動(dòng)器和通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)AEC-Q101認(rèn)證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專(zhuān)為長(zhǎng)距離和
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Nexperia針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。經(jīng)過(guò)二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級(jí)聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN FET），Nexperia對(duì)此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，采用CCP
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FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究

由于半導(dǎo)體生物傳感器的低成本、迅速反應(yīng)、檢測(cè)準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于此類(lèi)傳感器的研究和開(kāi)發(fā)進(jìn)行了大量投入。特別是基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場(chǎng)效應(yīng)管，它們被廣泛用于各種應(yīng)用：如生物研究，即時(shí)診斷，環(huán)境應(yīng)用，以及食品安全。生物場(chǎng)效應(yīng)管將生物響應(yīng)轉(zhuǎn)換為分析物，并將其轉(zhuǎn)換為可以使用直流I-V技術(shù)輕松測(cè)量的電信號(hào)。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測(cè)量值相對(duì)于時(shí)間 (I-t) 可以與分析物的檢測(cè)和幅度相關(guān)。根據(jù)設(shè)備上的終端數(shù)量，可以使用多個(gè)源測(cè)量單元(SMU) 輕松完成這些直流
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EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現(xiàn)更小的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,用于電動(dòng)自行車(chē)、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)

基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設(shè)計(jì)顯著提高了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、扭矩而同時(shí)使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達(dá)60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，包括電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)滑板車(chē)、無(wú)人
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更小、更快、更節(jié)能，半導(dǎo)體芯片迎大突破

最先進(jìn)的電子硬件在大數(shù)據(jù)革命面前都顯得有些“捉襟見(jiàn)肘”，這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個(gè)方面。隨著數(shù)據(jù)集的存儲(chǔ)、搜索和分析越來(lái)越復(fù)雜，這些設(shè)備就必須變得更小、更快、更節(jié)能，以跟上數(shù)據(jù)創(chuàng)新的步伐。鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FE-FETs）是應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)的最有趣的答案之一。這是一種具有鐵電性能的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它利用鐵電材料的非易失記憶性質(zhì)，在其中植入場(chǎng)效應(yīng)和電荷積累，實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)期穩(wěn)定的記憶效應(yīng)。與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，它具有低功耗、高速度、高密度等優(yōu)勢(shì)。因此，一個(gè)成功的FE-FET設(shè)計(jì)可以大大降低傳統(tǒng)器件的尺寸和能量使
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Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動(dòng)器方案

加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來(lái), 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這款設(shè)計(jì)方案面向中低功率的應(yīng)用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強(qiáng)了公司在這個(gè)30億美元電力市場(chǎng)客戶(hù)的價(jià)值主張。不同于同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動(dòng)器或柵極保護(hù)器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
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使用開(kāi)爾文連接提高 SiC FET 的開(kāi)關(guān)效率

碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類(lèi)封裝的連接往往會(huì)導(dǎo)致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹(jǐn)慎使用開(kāi)爾文連接技術(shù)以解決電感問(wèn)題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴(kuò)展到電動(dòng)汽車(chē) (EV)、工業(yè)電源、電路保護(hù)、
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