cmos振蕩器 文章 進入cmos振蕩器技術(shù)社區(qū)
IDT推出全球首款超低功耗CMOS振蕩器
- 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.),推出業(yè)界首款擁有突破性±50ppm頻率精度和超低功耗的CMOS振蕩器。新器件代替了傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器,在任何要求±50ppm時間基準(zhǔn)的廣泛應(yīng)用中,節(jié)省功耗高達(dá)75%,包括計算、通信和消費市場。
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IDT 推出全球精度最高的全硅 CMOS 振蕩器
- 致力于豐富數(shù)字媒體體驗、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc)宣布,推出業(yè)界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器,在整個溫度、電壓和其他因數(shù)方面實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的 100ppm 總頻率誤差。 IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術(shù),可以用一個 100ppm 及以下頻率精度的單片 CMOS IC 取代基于石英晶體的振蕩器,并采用非常薄的外形,而無需使用任何機械頻率源或鎖相環(huán)(PLL)。
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