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安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor
- onsemi AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數(shù)位影像感測器，擁有 3840 H x 2160 V 的有效像素陣列。這款先進(jìn)的汽車用感測器能以高動態(tài)范圍 (HDR) 并結(jié)合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT 可在每一幀中同時捕捉低光與極高亮度的場景，其 2.1 μm 超級曝光像素能實現(xiàn)高達(dá) 150 dB 的動態(tài)范圍，而無需進(jìn)行自動曝光調(diào)整。這顯著降低了場景依賴的汽車關(guān)鍵系統(tǒng)的延遲，實現(xiàn)更快速且更安全的數(shù)據(jù)收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
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國產(chǎn)無反相機產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)
- 根據(jù)相機及影像產(chǎn)品協(xié)會（CIPA）公布的數(shù)據(jù)，2024 年 1 月至 5 月，中國市場相機出貨量全球占比達(dá)到 23.4%，躍居繼美洲之后的全球第二大市場。在智能手機沖擊下曾一度遇冷的相機市場，如今因直播電商、短視頻等新興產(chǎn)業(yè)的崛起而重新煥發(fā)生機。產(chǎn)品創(chuàng)新與流量經(jīng)濟的交織，正在為傳統(tǒng)行業(yè)打開一條全新的消費路徑。日本佳能副社長、執(zhí)行董事小澤秀樹也表示，2023 年中國數(shù)碼相機市場實現(xiàn)了 25% 的增長，其中無反相機更是增長了 31%，預(yù)計 2024 年這一增長勢頭將持續(xù)，無反相機的增長有望達(dá)到 35%。隨著近
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打破索尼壟斷！晶合集成1.8億像素相機全畫幅CMOS成功試產(chǎn)：業(yè)內(nèi)首顆
- 8月19日消息，今日，晶合集成宣布與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫幅（2.77英寸）CMOS圖像傳感器（以下簡稱CIS），為高端單反相機應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。據(jù)了解，晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺，與思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限。同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依然保證電學(xué)性能和光學(xué)性能的連貫一致。晶合集成表示，首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產(chǎn)，既標(biāo)志著光刻拼接技術(shù)在
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業(yè)內(nèi)首顆！國產(chǎn) 1.8 億像素相機全畫幅 CMOS 圖像傳感器成功試產(chǎn)
- 8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，該公司與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆 1.8 億像素全畫幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 圖像傳感器），為高端單反相機應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。▲ 產(chǎn)品圖，圖源晶合集成，下同據(jù)介紹，為滿足 8K 高清化的產(chǎn)業(yè)要求，高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的 55 納米工藝平臺，攜手思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限，同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依
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使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節(jié)點設(shè)計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設(shè)計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進(jìn)
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CMOS反相器開關(guān)功耗的仿真
- 當(dāng)CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗：動態(tài)，當(dāng)反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時發(fā)生。靜態(tài)，由穩(wěn)態(tài)運行期間流動的泄漏電流引起。我們不再進(jìn)一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開關(guān)功率——當(dāng)輸出電壓變化時，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實現(xiàn)圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
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CMOS反相器的功耗
- 本文解釋了CMOS反相器電路中的動態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術(shù)史上的一個轉(zhuǎn)折點。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數(shù)字系統(tǒng)的電氣特性。CMOS的一個優(yōu)點是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態(tài)時才需要電流——簡單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來說，低功耗是一個理想的功能，當(dāng)你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個小空間中時，這尤其有益。正如計算機CPU愛好者提醒我們的那樣，充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒有CMOS反相
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Teledyne e2v宣布擴展其Flash CMOS圖像傳感器系列
- Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產(chǎn)品專門適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應(yīng)用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應(yīng)用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應(yīng)用，其角度響應(yīng)在30°角度下為四倍以上，在
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CMOS傳感器+高級色彩算法，快準(zhǔn)穩(wěn)捕獲色彩
- 用機器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異，實現(xiàn)在線檢測，大大提高了檢測效率，同時對產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測結(jié)果更為客觀、更準(zhǔn)確。無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機具備某些特征。那么，相機廠商該如何應(yīng)對這些需求提出的挑戰(zhàn)呢？Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結(jié)合，并具備：色彩校正矩陣，用于實現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)；高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對比度；靈活多變的自定義觸發(fā)設(shè)置，準(zhǔn)確觸發(fā)
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CMOS傳感器+高級色彩算法，快準(zhǔn)穩(wěn)捕獲一致色彩
- 用機器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異，實現(xiàn)在線檢測，大大提高了檢測效率，同時對產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測結(jié)果更為客觀、更準(zhǔn)確。問：無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機具備某些特征。那么，相機廠商該如何應(yīng)對這些需求提出的挑戰(zhàn)呢？答：Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結(jié)合，并具備：? 色彩校正矩陣，用于實現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)? 高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對比度?
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CMOS 2.0 革命
- 受到威脅的不是摩爾定律本身，而是它所代表的促進(jìn)經(jīng)濟增長、科學(xué)進(jìn)步和可持續(xù)創(chuàng)新的能力。
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臺積電熊本新廠建筑工程上個月末已完成
- 1月8日消息，據(jù)報道，日本熊本放送消息，臺積電日本熊本新廠建筑工程在上個月末已完成，預(yù)定年內(nèi)投產(chǎn)，目前處于設(shè)備移入進(jìn)機階段。另外，該廠開幕式預(yù)計在2月24日舉行。公開資料顯示，臺積電日本子公司主要股東包括持股71%的臺積電、持股近20%的索尼，以及持股約10%的日本電裝（DENSO），熊本第一工廠計劃生產(chǎn)12/16nm和22/28nm這類成熟制程的半導(dǎo)體，初期多數(shù)產(chǎn)能為索尼代工 CMOS 圖像傳感器中采用的數(shù)字圖像處理器（ISP），其余則為電裝代工車用電子微控制器 MCU，電裝可取得約每月1萬片產(chǎn)能。臺積
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CIS 產(chǎn)能誘惑再起
- 移動互聯(lián)時代，在電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期由谷底向上走階段，有 3~4 類芯片會沖在前面，呈現(xiàn)出明顯的增長勢頭，存儲器是典型代表，還有一種芯片也很搶眼，那就是 CIS（CMOS 圖像傳感器），它在 2019~2020 年那一波產(chǎn)業(yè)高速增長過程中就扮演了重要角色。如今，2024 年半導(dǎo)體業(yè)即將復(fù)蘇，CIS 再一次沖在了前面。CIS 有三大應(yīng)用領(lǐng)域：手機、安防和汽車。當(dāng)然，CIS 在工業(yè)和其它消費類電子產(chǎn)品上也有應(yīng)用。近日，全球 CIS 市場排名第二的三星電子發(fā)出通知，將大幅調(diào)升 2024 年第一季度 CIS 產(chǎn)品的
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英特爾展示 3D 堆疊 CMOS 晶體管技術(shù)：在 60nm 柵距下實現(xiàn) CFET
- IT之家 12 月 10 日消息，由于當(dāng)下摩爾定律放緩，堆疊晶體管概念重獲關(guān)注，IMEC （比利時微電子研究中心）于 2018 年提出了堆疊互補晶體管的微縮版 CFET 技術(shù)（IT之家注：即垂直堆疊互補場效應(yīng)晶體管技術(shù)，業(yè)界認(rèn)為 CFET 將取代全柵極 GAA 晶體管技術(shù)），英特爾和臺積電也都進(jìn)行了跟進(jìn)。在今年的 IEEE 國際電子器件會議（IEDM 2023）上，英特爾展示了多項技術(shù)突破，并強調(diào)了摩爾定律的延續(xù)和演變。首先，英特爾展示了其中 3D 堆疊 CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管方面取得的突
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